JPS6011457B2 - デイポジシヨン法 - Google Patents
デイポジシヨン法Info
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- JPS6011457B2 JPS6011457B2 JP48036757A JP3675773A JPS6011457B2 JP S6011457 B2 JPS6011457 B2 JP S6011457B2 JP 48036757 A JP48036757 A JP 48036757A JP 3675773 A JP3675773 A JP 3675773A JP S6011457 B2 JPS6011457 B2 JP S6011457B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boat
- impurity
- boron nitride
- tube
- wafers
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/16—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the gases
- C30B31/165—Diffusion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S118/00—Coating apparatus
- Y10S118/90—Semiconductor vapor doping
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はディポジション法等に半導体ウェーハに対する
不純物の拡散に用いられるディポジション方法に関する
。
不純物の拡散に用いられるディポジション方法に関する
。
従来、半導体ゥェーハに不純物を拡散する場合、例えば
ボロンナイトライド（ＢＮ）を用いてシリコンゥェーハ
にＰ型不純物を拡散する場合、ボート上にＰ型不純物源
であるボロンナィトラィド（ＢＮ）のウェーハ（一部を
若干酸化したもの）とシリコンのウェーハを交互に整列
配置し、この状態でボートを石英管に挿入し、石英管を
外周より加熱し石英管内に酸化ボロン雰囲気を作り、こ
れによりシリコンウェーハにボロン酸化物をデイポジシ
ョンし、かつそれよりウエーハ内へ不純物を拡散してい
る。
ボロンナイトライド（ＢＮ）を用いてシリコンゥェーハ
にＰ型不純物を拡散する場合、ボート上にＰ型不純物源
であるボロンナィトラィド（ＢＮ）のウェーハ（一部を
若干酸化したもの）とシリコンのウェーハを交互に整列
配置し、この状態でボートを石英管に挿入し、石英管を
外周より加熱し石英管内に酸化ボロン雰囲気を作り、こ
れによりシリコンウェーハにボロン酸化物をデイポジシ
ョンし、かつそれよりウエーハ内へ不純物を拡散してい
る。
この場合石英管内を不活性ガス（Ｎ２）の雰囲気にして
加熱し、これによりシリコンウェーハの表面にボロン酸
化物をディポジションし、かつボロンを半導体表面に浅
く拡散している。しかしながら、従来のこのような方法
にあってはシリコンウェーハの全数枚にそれぞれボロン
ナイトライド（ＢＮ）のウェーハを対応配置させなｏけ
ればならず、それに要する手数は相当なもので作業能率
を大幅に低下し、また石英ボート上にシリコンウエーハ
およびボロンナイトライド（ＢＮ）のウェーハを交互に
並べるため、ボロンナイトライド（ＢＮ）のウエーハに
スペースがとら夕れてしまい、石英ボート上に１度に並
べられるシリコンウェーハの枚数が少ないものになる。
加熱し、これによりシリコンウェーハの表面にボロン酸
化物をディポジションし、かつボロンを半導体表面に浅
く拡散している。しかしながら、従来のこのような方法
にあってはシリコンウェーハの全数枚にそれぞれボロン
ナイトライド（ＢＮ）のウェーハを対応配置させなｏけ
ればならず、それに要する手数は相当なもので作業能率
を大幅に低下し、また石英ボート上にシリコンウエーハ
およびボロンナイトライド（ＢＮ）のウェーハを交互に
並べるため、ボロンナイトライド（ＢＮ）のウエーハに
スペースがとら夕れてしまい、石英ボート上に１度に並
べられるシリコンウェーハの枚数が少ないものになる。
さらにシリコンウェーハ１枚１枚に、シリコンゥェーハ
の大きさとほぼ等しい大きさの円板状ボロンナィトラィ
ド（ＢＮ）のウェーハを対応させ０る必要があるため、
それに要するボロンナィトラィド（ＢＮ）の使用量が増
している。本発明は以上のような従来の欠点を除去する
ものであって、その目的とするところは半導体ウェーハ
に不純物源を対応配置させる場合に、それにタ要する作
業手数を大幅に減少できる方法を得る。
の大きさとほぼ等しい大きさの円板状ボロンナィトラィ
ド（ＢＮ）のウェーハを対応させ０る必要があるため、
それに要するボロンナィトラィド（ＢＮ）の使用量が増
している。本発明は以上のような従来の欠点を除去する
ものであって、その目的とするところは半導体ウェーハ
に不純物源を対応配置させる場合に、それにタ要する作
業手数を大幅に減少できる方法を得る。
他の目的は、半導体ウェーハに対応される不純物源の使
用量を低減できる方法を得る。更に他の目的は、一度に
拡散できる半導体ウェーハの枚数を大幅に増すと共に半
導体ウェーハ間の不純物ドープ量のバラッキも少なくす
ることのできる方法を得る。
用量を低減できる方法を得る。更に他の目的は、一度に
拡散できる半導体ウェーハの枚数を大幅に増すと共に半
導体ウェーハ間の不純物ドープ量のバラッキも少なくす
ることのできる方法を得る。
このような目的を達成するための本発明によれば、炉心
管の長手方向に沿って複数の不純物源を配置し、半導体
ゥェーハを上記不純物娘によって包囲されるように上記
炉心管の長手方向軸に対してほぼ垂直に配置し、炉心管
内を減圧状態とし上記不純物源からの不純物を上言己半
導体ウェーハ表面にディポジションすることを特徴とす
るデイポジション法にある。
管の長手方向に沿って複数の不純物源を配置し、半導体
ゥェーハを上記不純物娘によって包囲されるように上記
炉心管の長手方向軸に対してほぼ垂直に配置し、炉心管
内を減圧状態とし上記不純物源からの不純物を上言己半
導体ウェーハ表面にディポジションすることを特徴とす
るデイポジション法にある。
そして、特にその不純物源はボロンナィトラィドからな
る不純物源または酸化ボ。ンあるいは酸化りんを含む不
純物源よりなるものである。以下図面に示す実施例によ
り本発明を詳細に説明する。
る不純物源または酸化ボ。ンあるいは酸化りんを含む不
純物源よりなるものである。以下図面に示す実施例によ
り本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明による半導体ウェーハの拡散方法を実施
する際用いられる拡散装置を示し、同図においてこの拡
散装置はヒータを含む炉１に石英ガラスまたはシリコン
などからなる炉心管２がはめ込まれており、この炉心管
２の一端には取り外し可能なキャップ３が隣入され、前
記キャップ３の一部には後述するボートを移動させるた
めの引き出し榛４が挿入される孔５が設けられている。
また前記炉心管２の池端には炉心管２内を真空にするた
めの排気口６が形成され、これは図示しない真空ポンプ
につながっている。また前記孔５は前記炉心管２内を減
圧にしても外気が入り込まないように設計されている。
する際用いられる拡散装置を示し、同図においてこの拡
散装置はヒータを含む炉１に石英ガラスまたはシリコン
などからなる炉心管２がはめ込まれており、この炉心管
２の一端には取り外し可能なキャップ３が隣入され、前
記キャップ３の一部には後述するボートを移動させるた
めの引き出し榛４が挿入される孔５が設けられている。
また前記炉心管２の池端には炉心管２内を真空にするた
めの排気口６が形成され、これは図示しない真空ポンプ
につながっている。また前記孔５は前記炉心管２内を減
圧にしても外気が入り込まないように設計されている。
このような拡散装置の前記炉○管２内に入れられるボー
ト９は石英ガラスまたはシリコンから細長に形成された
ボートであって、このボ−ト９の上面には幅方向に向っ
てシリコンウェーハ８の一部を収容できる溝１０が長さ
方向に並列して複数設けられている。（第２図）。また
前記ボート９と同機に前記炉心管２内に入れられる不純
物源すなわちポロンナィトラィド（ＢＮ）１１は前記シ
リコンウェーハ８の外周よりも大きく形成され、かつ並
列して複数並べられた弧状の支注１２間にかけ渡されて
おり、しかもこれらのボロンナィトラィド（ＢＮ）１１
は棒状をなして前記支注１２の外周に沿って配設されて
いる（第３図）。
ト９は石英ガラスまたはシリコンから細長に形成された
ボートであって、このボ−ト９の上面には幅方向に向っ
てシリコンウェーハ８の一部を収容できる溝１０が長さ
方向に並列して複数設けられている。（第２図）。また
前記ボート９と同機に前記炉心管２内に入れられる不純
物源すなわちポロンナィトラィド（ＢＮ）１１は前記シ
リコンウェーハ８の外周よりも大きく形成され、かつ並
列して複数並べられた弧状の支注１２間にかけ渡されて
おり、しかもこれらのボロンナィトラィド（ＢＮ）１１
は棒状をなして前記支注１２の外周に沿って配設されて
いる（第３図）。
このような機構のもとに、まずシリコンゥェ−ハ８をボ
ート９の溝９ａにそれぞれ配置し、これ夕 を炉心管２
の開口端１３におく、これと並行して前記シリコンウェ
ーハ８の外側から支注１２に支えられたボロンナイトラ
ィド（ＢＮ）１ １を覆った後、前記関口端１３をキャ
ップ３で封止して、図示しない真空ポンプで前記開□端
１３の反対方０向の排気口６から炉心管２内を真空にす
る。
ート９の溝９ａにそれぞれ配置し、これ夕 を炉心管２
の開口端１３におく、これと並行して前記シリコンウェ
ーハ８の外側から支注１２に支えられたボロンナイトラ
ィド（ＢＮ）１ １を覆った後、前記関口端１３をキャ
ップ３で封止して、図示しない真空ポンプで前記開□端
１３の反対方０向の排気口６から炉心管２内を真空にす
る。
そして真空状態を保持した状態で前記ボート９およびボ
ロンナィトラィド（ＢＮ）１１を引き出し棒４によって
炉心管２の中央部２ａまで移動させ、ディポジションお
よび拡散をおこなう。この場合のタデイポジションおよ
び拡散は、前記ボロンナィトライド（ＢＮ）１１が炉心
管２内で加熱されることにより酸化ボロン（＆０３）不
純物ガス化されて、これが、シリコンウェーハ８に主表
面にディポジションおよび拡散される。０ このように
シリコンウエーハ８のデイポジシヨンおよび拡散が完了
した時点で前記引き出し棒４によりボート９を炉○管２
のキャップ３側に引き寄せてキャップ３をはずしボート
９を取り出す。
ロンナィトラィド（ＢＮ）１１を引き出し棒４によって
炉心管２の中央部２ａまで移動させ、ディポジションお
よび拡散をおこなう。この場合のタデイポジションおよ
び拡散は、前記ボロンナィトライド（ＢＮ）１１が炉心
管２内で加熱されることにより酸化ボロン（＆０３）不
純物ガス化されて、これが、シリコンウェーハ８に主表
面にディポジションおよび拡散される。０ このように
シリコンウエーハ８のデイポジシヨンおよび拡散が完了
した時点で前記引き出し棒４によりボート９を炉○管２
のキャップ３側に引き寄せてキャップ３をはずしボート
９を取り出す。
なお前記実施例においては、支柱１２に複数のタ不純物
漉すなわちボロンナィトラィド（ＢＮ）１１をかけ渡し
たものの中にシリコンウェーハ８を挿入してディポジシ
ョンおよび拡散を行っているが〜前記ポロンナィトラィ
ド（ＢＮ）１ １を第４図に示すように、板状に形成し
、これをシリコン０ウェーハ８をほぼ包囲するような形
で上部、下部の両方に配置して、ディポジションおよび
拡散を行ってもよい。また、第５図に示すように、ボロ
ンナイトラィド（ＢＮ）１１をトンネル状に形成し、こ
の中にタボート９ごとシリコンウェーハ８を挿入しても
よい。
漉すなわちボロンナィトラィド（ＢＮ）１１をかけ渡し
たものの中にシリコンウェーハ８を挿入してディポジシ
ョンおよび拡散を行っているが〜前記ポロンナィトラィ
ド（ＢＮ）１ １を第４図に示すように、板状に形成し
、これをシリコン０ウェーハ８をほぼ包囲するような形
で上部、下部の両方に配置して、ディポジションおよび
拡散を行ってもよい。また、第５図に示すように、ボロ
ンナイトラィド（ＢＮ）１１をトンネル状に形成し、こ
の中にタボート９ごとシリコンウェーハ８を挿入しても
よい。
さらに、第５図に示すトンネル状のボロンナィトライド
（ＢＮ）１ １をいくつかに小さく切り離して並べて形
成し、この中にボート９ごとシリコ０ンウェーハ８を挿
入してもよい（第６図）。
（ＢＮ）１ １をいくつかに小さく切り離して並べて形
成し、この中にボート９ごとシリコ０ンウェーハ８を挿
入してもよい（第６図）。
なお、前記実施例においては、減圧状態を保持した状態
でボート９およびボロンナィトラィド（ＢＮ）１ １を
、引出陣によって移動させているが、他の方法としてボ
ート９及びボロンナィトラィド（ＢＮ）１１を炉○管２
の中央部に挿入した後、開□端をキャップで封止して、
その後減圧してディポジション及び拡散を行ってもほぼ
同様の効果を得ることができる。又、前記実施例におい
ては「ボート９とボロンナィトラィド（ＢＮ）１１を一
緒に移動させているが他の方法としてボロンナイトラィ
ドは、石英管の中央部に予め入れておき、ボートのみ作
業毎に出し入れすることによってもほぼ同様の効果を得
ることができる。
でボート９およびボロンナィトラィド（ＢＮ）１ １を
、引出陣によって移動させているが、他の方法としてボ
ート９及びボロンナィトラィド（ＢＮ）１１を炉○管２
の中央部に挿入した後、開□端をキャップで封止して、
その後減圧してディポジション及び拡散を行ってもほぼ
同様の効果を得ることができる。又、前記実施例におい
ては「ボート９とボロンナィトラィド（ＢＮ）１１を一
緒に移動させているが他の方法としてボロンナイトラィ
ドは、石英管の中央部に予め入れておき、ボートのみ作
業毎に出し入れすることによってもほぼ同様の効果を得
ることができる。
さらにまた他の方法としては半導体ゥェーハおよびボロ
ンナィトラィドを石英管内に封止し、それを炉○管内に
入れ加熱してもよい。
ンナィトラィドを石英管内に封止し、それを炉○管内に
入れ加熱してもよい。
またディポジション剤としては若干の酸化ボロンを含む
ボロンナィトラィドの他若千の酸化ボロンを含むセラミ
ック等の固形ディポジション源がその保持上有効に利用
できる。
ボロンナィトラィドの他若千の酸化ボロンを含むセラミ
ック等の固形ディポジション源がその保持上有効に利用
できる。
またディポジション剤としては酸化ボロンの池酸化りん
その他の酸化物を用いるとができる。以上のように本発
明によれば、不純物源を半導体ウェーハのおのおのに配
置する必要がないから、その配置作業に要する手数が大
幅に減少される。
その他の酸化物を用いるとができる。以上のように本発
明によれば、不純物源を半導体ウェーハのおのおのに配
置する必要がないから、その配置作業に要する手数が大
幅に減少される。
また、本発明によれば、ボート上に半導体ウェーハと不
純物源とを交互に並べる必要がないかり、一つのボート
に収められる半導体ウェーハの数を増すことができる。
純物源とを交互に並べる必要がないかり、一つのボート
に収められる半導体ウェーハの数を増すことができる。
したがって、半導体ゥェーハの１回の処理枚数が増す。
さらに、本発明によれば、半導体ウェーハと不純物源と
を交互に並べないことから、不純物源の使用量を大幅に
低減できるなどの数々の効果がある。上述のようなディ
ポジション工程においては若干のボロン原子が半導体表
面部に拡散されるから上記工程の後上記ディポジション
された酸化物をエッチング除去し、さらに加熱すれば半
導体表面に所定の深さで所定の比抵抗の拡散層を得るこ
とができる。
さらに、本発明によれば、半導体ウェーハと不純物源と
を交互に並べないことから、不純物源の使用量を大幅に
低減できるなどの数々の効果がある。上述のようなディ
ポジション工程においては若干のボロン原子が半導体表
面部に拡散されるから上記工程の後上記ディポジション
された酸化物をエッチング除去し、さらに加熱すれば半
導体表面に所定の深さで所定の比抵抗の拡散層を得るこ
とができる。
第１図は拡散装置の断面図、第２図はボートの斜面図、
第３図ａ，ｂは本発明による半導体ゥェーハの拡散方法
の実施例中用いられる不純物源の正面図および側面図、
第４図ａ，ｂ〜第６図ａ，ｂは本発明方法の他の実施例
中用いられる不純物源の正面図および側面図である。 １・・・・・・炉、２・・・・・・炉心管、２ａ・・・
・・・中央部、３……キャップ、４……引き出し棒、５
……孔、６……排気口、８・・・・・・シリコンウェー
ハ、９・・・・・・ボート、９ａ……満、１１……ボロ
ンナィトラィド（ＢＮ）、１２・・・・・・支注、１３
・・・…閉口端。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
第３図ａ，ｂは本発明による半導体ゥェーハの拡散方法
の実施例中用いられる不純物源の正面図および側面図、
第４図ａ，ｂ〜第６図ａ，ｂは本発明方法の他の実施例
中用いられる不純物源の正面図および側面図である。 １・・・・・・炉、２・・・・・・炉心管、２ａ・・・
・・・中央部、３……キャップ、４……引き出し棒、５
……孔、６……排気口、８・・・・・・シリコンウェー
ハ、９・・・・・・ボート、９ａ……満、１１……ボロ
ンナィトラィド（ＢＮ）、１２・・・・・・支注、１３
・・・…閉口端。 第１図第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 炉心管の長手方向に沿って複数の不純物源を配置し
、半導体ウエーハを上記不純物源によって包囲されるよ
うに上記炉心管の長手方向軸に対してほぼ垂直に配置し
、炉心管内を減圧状態とし上記不純物源からの不純物を
上記半導体ウエーハ表面にデイポジシヨンすることを特
徴とするデイポジシヨン法。 ２ 上記不純物源はボロンナイトライドからなる不純物
源または酸化ボロンあるいは酸化りんを含む不純物源よ
りなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のデ
イポジシヨン法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48036757A JPS6011457B2 (ja) | 1973-04-02 | 1973-04-02 | デイポジシヨン法 |
| US05/456,291 US3939017A (en) | 1973-04-02 | 1974-03-29 | Process for depositing the deposition agent on the surface of a number of semiconductor substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48036757A JPS6011457B2 (ja) | 1973-04-02 | 1973-04-02 | デイポジシヨン法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23310384A Division JPS60151300A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 減圧デポジシヨン用不純物源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS49124967A JPS49124967A (ja) | 1974-11-29 |
| JPS6011457B2 true JPS6011457B2 (ja) | 1985-03-26 |
Family
ID=12478603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP48036757A Expired JPS6011457B2 (ja) | 1973-04-02 | 1973-04-02 | デイポジシヨン法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3939017A (ja) |
| JP (1) | JPS6011457B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5145974A (en) * | 1974-10-16 | 1976-04-19 | Fujitsu Ltd | Fujunbutsuno kakusanhoho |
| JPS5149675A (en) * | 1974-10-28 | 1976-04-30 | Fujitsu Ltd | Fujunbutsuno kakusanhoho |
| US4016006A (en) * | 1974-10-30 | 1977-04-05 | Hitachi, Ltd. | Method of heat treatment of wafers |
| US4239560A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-16 | General Electric Company | Open tube aluminum oxide disc diffusion |
| CA1244969A (en) * | 1986-10-29 | 1988-11-15 | Mitel Corporation | Method for diffusing p-type material using boron disks |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2956913A (en) * | 1958-11-20 | 1960-10-18 | Texas Instruments Inc | Transistor and method of making same |
| US3362858A (en) * | 1963-01-04 | 1968-01-09 | Westinghouse Electric Corp | Fabrication of semiconductor controlled rectifiers |
| NL6407230A (ja) * | 1963-09-28 | 1965-03-29 | ||
| US3374125A (en) * | 1965-05-10 | 1968-03-19 | Rca Corp | Method of forming a pn junction by vaporization |
| DE1801187B1 (de) * | 1968-10-04 | 1970-04-16 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Waermebehandlung von Siliziumscheiben |
-
1973
- 1973-04-02 JP JP48036757A patent/JPS6011457B2/ja not_active Expired
-
1974
- 1974-03-29 US US05/456,291 patent/US3939017A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS49124967A (ja) | 1974-11-29 |
| US3939017A (en) | 1976-02-17 |
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