JPH0158651B2 - - Google Patents
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- JPH0158651B2 JPH0158651B2 JP61104667A JP10466786A JPH0158651B2 JP H0158651 B2 JPH0158651 B2 JP H0158651B2 JP 61104667 A JP61104667 A JP 61104667A JP 10466786 A JP10466786 A JP 10466786A JP H0158651 B2 JPH0158651 B2 JP H0158651B2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウエーハへの不純物デポジシヨ
ンに適した加熱処理方法に関する。
ンに適した加熱処理方法に関する。
従来、半導体ウエーハに不純物をデポジシヨン
して、しかる後拡散する方法として、たとえばボ
ロンナイトライド（BN）を用いてシリコンウエ
ーハにｐ型不純物を拡散するとき、ボート上にｐ
型不純物源であるボロンナイトライドのウエーハ
（表面を若干酸化したもの）とシリコンのウエー
ハとを面対向させて配置し、この状態でボートを
石英管に挿入し、この後、石英管を外周より加熱
することによつて、石英管内に酸化ボロン
（B2O3）ふん囲気を作り、これによりシリコンウ
エーハにボロン酸化物をデポジシヨンするととも
にシリコンウエーハ表面に高不純物濃度の薄い拡
散層をつくり、しかるのち、酸化ボロンを含まな
いふん囲気中でシリコンウエーハ内部へ、ボロン
不純物を再拡散する方法が知られている。
して、しかる後拡散する方法として、たとえばボ
ロンナイトライド（BN）を用いてシリコンウエ
ーハにｐ型不純物を拡散するとき、ボート上にｐ
型不純物源であるボロンナイトライドのウエーハ
（表面を若干酸化したもの）とシリコンのウエー
ハとを面対向させて配置し、この状態でボートを
石英管に挿入し、この後、石英管を外周より加熱
することによつて、石英管内に酸化ボロン
（B2O3）ふん囲気を作り、これによりシリコンウ
エーハにボロン酸化物をデポジシヨンするととも
にシリコンウエーハ表面に高不純物濃度の薄い拡
散層をつくり、しかるのち、酸化ボロンを含まな
いふん囲気中でシリコンウエーハ内部へ、ボロン
不純物を再拡散する方法が知られている。
このデポジシヨン工程のとき、石英管の一端か
ら不活性ガス（N2）を送り込み、これによりシ
リコンウエーハの表面が酸化されないようにして
いる。
ら不活性ガス（N2）を送り込み、これによりシ
リコンウエーハの表面が酸化されないようにして
いる。
ところで、このような方法に使用される加熱装
置は石英管が加熱時に開放状態となるものであ
り、しかも一端から不活性ガスを送り込むように
したものであるため、石英管内の長手方向の温度
分布が不均一になり、ボート上に整列されたシリ
コンウエーハは、その置かれた位置によつて不純
物導入量が異なり、シリコンウエーハ表面の比抵
抗にばらつきが生じる。これを解決するための方
法として、石英管内を減圧または真空にする手段
を有する加熱装置を用い、減圧または真空にした
石英管内に半導体ウエーハと不純物源（BN）と
を相対向して配置し、それを加熱することによつ
て不純物を含んだガスが均一に半導体ウエーハ表
面に到達するようにした閉管法が本願出願人によ
つて提案された。
置は石英管が加熱時に開放状態となるものであ
り、しかも一端から不活性ガスを送り込むように
したものであるため、石英管内の長手方向の温度
分布が不均一になり、ボート上に整列されたシリ
コンウエーハは、その置かれた位置によつて不純
物導入量が異なり、シリコンウエーハ表面の比抵
抗にばらつきが生じる。これを解決するための方
法として、石英管内を減圧または真空にする手段
を有する加熱装置を用い、減圧または真空にした
石英管内に半導体ウエーハと不純物源（BN）と
を相対向して配置し、それを加熱することによつ
て不純物を含んだガスが均一に半導体ウエーハ表
面に到達するようにした閉管法が本願出願人によ
つて提案された。
しかし、このような閉管法では高不純物濃度領
域を得るためにデポジシヨン時に1000℃程度の高
温熱処理をするため、とくにシリコンウエーハ表
面から局部的にシリコン原子が蒸発し、シリコン
ウエーハ表面が荒れる。また前記シリコン原子の
蒸発によつて、ボロンナイトライド表面が黒灰色
に変化し、つぎのデポジシヨン時に使用できなく
なる。
域を得るためにデポジシヨン時に1000℃程度の高
温熱処理をするため、とくにシリコンウエーハ表
面から局部的にシリコン原子が蒸発し、シリコン
ウエーハ表面が荒れる。また前記シリコン原子の
蒸発によつて、ボロンナイトライド表面が黒灰色
に変化し、つぎのデポジシヨン時に使用できなく
なる。
さらにデポジシヨン後、シリコンウエーハ表面
にボロン酸化物以外の異物が付着し、エツチング
除去することが困難な汚れを生じるなどの問題が
あり、このシリコンウエーハ表面の荒れや汚れは
後の工程およびその工程を経てできた半導体装置
の歩留りが低下することが明らかになつた。
にボロン酸化物以外の異物が付着し、エツチング
除去することが困難な汚れを生じるなどの問題が
あり、このシリコンウエーハ表面の荒れや汚れは
後の工程およびその工程を経てできた半導体装置
の歩留りが低下することが明らかになつた。
したがつて、シリコンウエーハ表面の荒れや汚
れを防止するためにその表面に保護膜を形成する
ことが望まれた。
れを防止するためにその表面に保護膜を形成する
ことが望まれた。
そこで、本発明は半導体ウエーハに対する新規
な加熱処理方法を提供することを目的としてい
る。
な加熱処理方法を提供することを目的としてい
る。
上記目的を達成するための本発明の構成要件は
以下のとおりにある。
以下のとおりにある。
表面が酸化された金属窒化物または金属酸化物
よりなる固形体状の不純物源と、半導体ウエーハ
とが入れられた炉芯管内を減圧する工程と、 この半導体ウエーハおよび不純物源を1000℃以
下で加熱することにより、半導体ウエーハの表面
に前記不純物源表面の酸化物をデポジシヨンし、
もつて第１の不純物ガラスを形成する工程と、 前記低温・減圧雰囲気の炉芯管に少なくとも酸
素を含むガスを供給することにより、半導体ウエ
ーハの表面に薄い熱酸化膜を形成する工程と、 前記ガスの供給を停止し、前記温度よりも高温
の減圧雰囲気中で、その半導体ウエーハを加熱す
ることにより、前記第１の不純物ガラスの表面に
前記不純物源表面の金属酸化物をデポジシヨン
し、もつて第２の不純物ガラスを形成するととも
に、前記第１の不純物ガラスの不純物源物質と、
この第２の不純物ガラスの不純物源物質とによつ
て、半導体ウエーハの表面層に不純物源物質の浅
い拡散層を形成する工程と、 炉芯管が常圧に戻され、前記半導体ウエーハ表
面の第１、第２の不純物ガラスおよび熱酸化膜を
除去する工程と、 しかる後、その半導体ウエーハを酸化性雰囲気
内で加熱することにより、その半導体ウエーハの
表面層に形成された前記拡散層の不純物源物質を
再拡散する工程とを備えている。
よりなる固形体状の不純物源と、半導体ウエーハ
とが入れられた炉芯管内を減圧する工程と、 この半導体ウエーハおよび不純物源を1000℃以
下で加熱することにより、半導体ウエーハの表面
に前記不純物源表面の酸化物をデポジシヨンし、
もつて第１の不純物ガラスを形成する工程と、 前記低温・減圧雰囲気の炉芯管に少なくとも酸
素を含むガスを供給することにより、半導体ウエ
ーハの表面に薄い熱酸化膜を形成する工程と、 前記ガスの供給を停止し、前記温度よりも高温
の減圧雰囲気中で、その半導体ウエーハを加熱す
ることにより、前記第１の不純物ガラスの表面に
前記不純物源表面の金属酸化物をデポジシヨン
し、もつて第２の不純物ガラスを形成するととも
に、前記第１の不純物ガラスの不純物源物質と、
この第２の不純物ガラスの不純物源物質とによつ
て、半導体ウエーハの表面層に不純物源物質の浅
い拡散層を形成する工程と、 炉芯管が常圧に戻され、前記半導体ウエーハ表
面の第１、第２の不純物ガラスおよび熱酸化膜を
除去する工程と、 しかる後、その半導体ウエーハを酸化性雰囲気
内で加熱することにより、その半導体ウエーハの
表面層に形成された前記拡散層の不純物源物質を
再拡散する工程とを備えている。
以下、実施例を使用して詳細に説明する。
第１図は半導体ウエーハおよび不純物源等の被
加熱処理体が石英管内に挿入された状態を示す本
発明の加熱装置であり、第２図ａ〜ｄはその加熱
装置を用いた不純物拡散法の過程における半導体
ウエーハの構造を示す。まず第１図において、こ
の加熱装置はヒータを含む拡散炉１に石英ガラス
またはシリコンなどからなる炉芯管２がはめこま
れており、この炉芯管２の一端には取りはずし可
能なキヤツプ３が装着されるような開口部７が設
けられている。そのキヤツプ３の一部には後述す
るボートを移動させる引き出し棒４を通す穴５が
設けられている。また炉芯管２の他端には炉芯管
２内を減圧および真空にするための先の細い排気
口６が形成され、これは真空ポンプ（図示しな
い）につながつている。さらに炉芯管２の排気口
６と反対側の開口部７の近傍であつてその炉芯管
２の側部にガス導入口８が形成されている。また
前記穴５は前記炉芯管２内を減圧および真空にし
ても外気がはいりこまないように設計されてい
る。
加熱処理体が石英管内に挿入された状態を示す本
発明の加熱装置であり、第２図ａ〜ｄはその加熱
装置を用いた不純物拡散法の過程における半導体
ウエーハの構造を示す。まず第１図において、こ
の加熱装置はヒータを含む拡散炉１に石英ガラス
またはシリコンなどからなる炉芯管２がはめこま
れており、この炉芯管２の一端には取りはずし可
能なキヤツプ３が装着されるような開口部７が設
けられている。そのキヤツプ３の一部には後述す
るボートを移動させる引き出し棒４を通す穴５が
設けられている。また炉芯管２の他端には炉芯管
２内を減圧および真空にするための先の細い排気
口６が形成され、これは真空ポンプ（図示しな
い）につながつている。さらに炉芯管２の排気口
６と反対側の開口部７の近傍であつてその炉芯管
２の側部にガス導入口８が形成されている。また
前記穴５は前記炉芯管２内を減圧および真空にし
ても外気がはいりこまないように設計されてい
る。
このように、特に炉芯管２の構造はキヤツプ３
自身にガス導入口を取り付けるようにしたもので
はなく、そのガス導入口が独立して設けている。
このため、キヤツプ３は極めて簡単な構造とする
ことができる。それゆえ、キヤツプ３の取りはず
しが楽になり、作業性が極めてよくなる。しか
も、排気口６は第１図から明らかなように炉芯管
２の他端の径が細くなつて、その炉芯管２の中心
部分に位置している。このため、炉芯管２内部を
均一、かつ迅速に減圧せしめることができる。
自身にガス導入口を取り付けるようにしたもので
はなく、そのガス導入口が独立して設けている。
このため、キヤツプ３は極めて簡単な構造とする
ことができる。それゆえ、キヤツプ３の取りはず
しが楽になり、作業性が極めてよくなる。しか
も、排気口６は第１図から明らかなように炉芯管
２の他端の径が細くなつて、その炉芯管２の中心
部分に位置している。このため、炉芯管２内部を
均一、かつ迅速に減圧せしめることができる。
このように本発明の加熱装置は減圧中での半導
体ウエーハの加熱処理に極めて適したものであ
る。
体ウエーハの加熱処理に極めて適したものであ
る。
なお、前記炉芯管２内に入れられるボート９は
石英ガラスおよびシリコン製の細長に形成された
支持体であつて、このボート９上にはシリコンウ
エーハ１０と拡散不純物源となるボロンナイトラ
イド（BN）ウエーハ１１がそれぞれ複数個、適
当に配置される。
石英ガラスおよびシリコン製の細長に形成された
支持体であつて、このボート９上にはシリコンウ
エーハ１０と拡散不純物源となるボロンナイトラ
イド（BN）ウエーハ１１がそれぞれ複数個、適
当に配置される。
つぎに上記した加熱装置を用いてのシリコンウ
エーハ１０にボロン不純物をデポジシヨンおよび
拡散する方法を以下に説明する。
エーハ１０にボロン不純物をデポジシヨンおよび
拡散する方法を以下に説明する。
まず、シリコンウエーハ１０と表面がわずか酸
化されたボロンナイトライド・ウエーハ１１を載
置した前記ボート９を炉芯管２の開口端７の近傍
に入れ、その開口端７をキヤツプ３で封止し、真
空ポンプで前記排気口６から炉芯管２内を減圧お
よび真空にする。
化されたボロンナイトライド・ウエーハ１１を載
置した前記ボート９を炉芯管２の開口端７の近傍
に入れ、その開口端７をキヤツプ３で封止し、真
空ポンプで前記排気口６から炉芯管２内を減圧お
よび真空にする。
つぎに前記引き出し棒４によつて炉芯管２内の
均熱部に前記ボート９を移動させ1000℃以下の低
温でシリコンウエーハ１０の表面にボロンナイト
ライド・ウエーハ１１表面の酸化ボロン（B2O3）
をデポジシヨンして第１のボロンシリケートガラ
ス膜１２を形成する〔第２図ａ参照〕。
均熱部に前記ボート９を移動させ1000℃以下の低
温でシリコンウエーハ１０の表面にボロンナイト
ライド・ウエーハ１１表面の酸化ボロン（B2O3）
をデポジシヨンして第１のボロンシリケートガラ
ス膜１２を形成する〔第２図ａ参照〕。
この場合、低温ふん囲気中のデポジシヨンであ
るためシリコンウエーハ１０からシリコン原子の
蒸発はおこなわれない。
るためシリコンウエーハ１０からシリコン原子の
蒸発はおこなわれない。
つぎにガス導入口８から低温・減圧ふん囲気の
炉芯管２内に微量の酸素または酸素とアルゴン、
窒素、ヘリウムなどの不活性ガスとの混合ガスを
流し込み、シリコンウエーハ１０の表面に薄い
（1000Å程度）熱酸化膜（SiO2）１３を形成する
〔第２図ｂ参照〕。この酸化膜１３の厚さは後述の
高温中のデポジシヨン時にボロン原子が通過でき
るように選定する。
炉芯管２内に微量の酸素または酸素とアルゴン、
窒素、ヘリウムなどの不活性ガスとの混合ガスを
流し込み、シリコンウエーハ１０の表面に薄い
（1000Å程度）熱酸化膜（SiO2）１３を形成する
〔第２図ｂ参照〕。この酸化膜１３の厚さは後述の
高温中のデポジシヨン時にボロン原子が通過でき
るように選定する。
しかるのち、前記酸素または混合ガスの供給を
止め、炉芯管２内を高温（1100℃程度）・減圧状
態にし、シリコンウエーハ１０の前記第１ボロン
シリケートガラス膜１２表面にボロンナイトライ
ド・ウエーハ１１表面の酸化ボロン（B2O3）を
デポジシヨンして、第２のボロンシリケートガラ
ス膜１４を形成するとともに、前記第１ボロンシ
リケートガラス膜１２のボロン不純物と前記酸化
膜１３を通して拡散する前記第２ボロンシリケー
トガラス膜１４のボロン不純物とによつて、シリ
コンウエーハ１０の表面層にボロン不純物の浅い
ｐ型高濃度拡散層１５を形成する〔第２図ｃ参
照〕。
止め、炉芯管２内を高温（1100℃程度）・減圧状
態にし、シリコンウエーハ１０の前記第１ボロン
シリケートガラス膜１２表面にボロンナイトライ
ド・ウエーハ１１表面の酸化ボロン（B2O3）を
デポジシヨンして、第２のボロンシリケートガラ
ス膜１４を形成するとともに、前記第１ボロンシ
リケートガラス膜１２のボロン不純物と前記酸化
膜１３を通して拡散する前記第２ボロンシリケー
トガラス膜１４のボロン不純物とによつて、シリ
コンウエーハ１０の表面層にボロン不純物の浅い
ｐ型高濃度拡散層１５を形成する〔第２図ｃ参
照〕。
つぎに炉芯管２内を常圧にもどし前記引き出し
棒４によりボート９を炉芯管２の開口端７に引き
寄せてキヤツプ３をはずし、ボート９を取り出
す。そしてシリコンウエーハ１０のみを抽出し、
ウエーハ表面の第１および第２ボロンシリケート
ガラス膜および酸化膜をエツチング除去する。こ
のシリコンウエーハ１０を酸化性ふん囲気の拡散
炉内に入れ、シリコンウエーハ１０の表面層に形
成された前記ｐ型高濃度拡散層１５のボロン不純
物を再拡散し、所望のｐ型半導体領域１６を形成
する〔第２図ｄ参照〕。
棒４によりボート９を炉芯管２の開口端７に引き
寄せてキヤツプ３をはずし、ボート９を取り出
す。そしてシリコンウエーハ１０のみを抽出し、
ウエーハ表面の第１および第２ボロンシリケート
ガラス膜および酸化膜をエツチング除去する。こ
のシリコンウエーハ１０を酸化性ふん囲気の拡散
炉内に入れ、シリコンウエーハ１０の表面層に形
成された前記ｐ型高濃度拡散層１５のボロン不純
物を再拡散し、所望のｐ型半導体領域１６を形成
する〔第２図ｄ参照〕。
このとき同時に熱酸化膜１７がシリコンウエー
ハ１０表面に形成される。
ハ１０表面に形成される。
上記方法においてデポジシヨン工程を同一炉管
内で連続しておこなつているが低温・減圧中での
デポジシヨン工程および高温・減圧中でのデポジ
シヨン工程を別な炉体中でおこなつてもよい。
内で連続しておこなつているが低温・減圧中での
デポジシヨン工程および高温・減圧中でのデポジ
シヨン工程を別な炉体中でおこなつてもよい。
また前記低温・減圧中および高温・減圧中での
デポジシヨン工程において、微量の酸素または酸
素と不活性ガスの混合ガスを供給すれば、とくに
高温デポジシヨン時にボロンナイトライドウエー
ハ表面に酸化ボロン（B2O3）が生成され、その
ボロンナイトライドウエーハ表面の酸化ボロンの
減少を押え、ボロンナイトライドウエーハ自身か
ら酸化ボロン以外の物質の蒸発を防止できる。
デポジシヨン工程において、微量の酸素または酸
素と不活性ガスの混合ガスを供給すれば、とくに
高温デポジシヨン時にボロンナイトライドウエー
ハ表面に酸化ボロン（B2O3）が生成され、その
ボロンナイトライドウエーハ表面の酸化ボロンの
減少を押え、ボロンナイトライドウエーハ自身か
ら酸化ボロン以外の物質の蒸発を防止できる。
なお上記方法においては、シリコンウエーハに
ついて説明したがゲルマニウムなどの半導体ウエ
ーハへの不純物拡散法にも応用できる。また不純
物源としてボロンナイトライドの他にりん、イン
ジウム、アルミニウムなどの金属窒化物およびそ
の金属酸化物を使用する場合にも適用できる。
ついて説明したがゲルマニウムなどの半導体ウエ
ーハへの不純物拡散法にも応用できる。また不純
物源としてボロンナイトライドの他にりん、イン
ジウム、アルミニウムなどの金属窒化物およびそ
の金属酸化物を使用する場合にも適用できる。
以上説明したように本発明の加熱装置を用いた
半導体ウエーハへの不純物拡散法を用いれば、初
めに半導体ウエーハ表面からその半導体原子の蒸
発がおこらない低温ふん囲気で酸化不純物のガラ
ス膜および熱酸化膜を形成しているので、それら
の膜が保護膜となつて高温・減圧中での基体半導
体原子の蒸発がそれらの膜によつて防止できる。
半導体ウエーハへの不純物拡散法を用いれば、初
めに半導体ウエーハ表面からその半導体原子の蒸
発がおこらない低温ふん囲気で酸化不純物のガラ
ス膜および熱酸化膜を形成しているので、それら
の膜が保護膜となつて高温・減圧中での基体半導
体原子の蒸発がそれらの膜によつて防止できる。
さらに高温・減圧中のデポジシヨン時に半導体
ウエーハ上に酸化膜があるため、半導体ウエーハ
表面に外部から直接異物が付着することがないな
どの効果がある。
ウエーハ上に酸化膜があるため、半導体ウエーハ
表面に外部から直接異物が付着することがないな
どの効果がある。
第１図は本発明の加熱装置の略断面図、第２図
ａ〜ｄは本発明の加熱装置を使用した不純物デポ
ジシヨンから拡散までの過程における半導体ウエ
ーハの一部断面図である。 １…拡散炉、２…炉芯管、３…キヤツプ、４…
引き出し棒、５…引き出し棒を通すための穴、６
…排気口、７…開口部、８…ガス導入口、９…ボ
ート、１０…シリコンウエーハ、１１…ボロンナ
イトライド・ウエーハ、１２…第１ボロンシリケ
ートガラス膜、１３…薄い酸化膜、１４…第２ボ
ロンシリケートガラス膜、１５…ｐ型高濃度拡散
層、１６…ｐ型半導体領域、１７…熱酸化膜。
ａ〜ｄは本発明の加熱装置を使用した不純物デポ
ジシヨンから拡散までの過程における半導体ウエ
ーハの一部断面図である。 １…拡散炉、２…炉芯管、３…キヤツプ、４…
引き出し棒、５…引き出し棒を通すための穴、６
…排気口、７…開口部、８…ガス導入口、９…ボ
ート、１０…シリコンウエーハ、１１…ボロンナ
イトライド・ウエーハ、１２…第１ボロンシリケ
ートガラス膜、１３…薄い酸化膜、１４…第２ボ
ロンシリケートガラス膜、１５…ｐ型高濃度拡散
層、１６…ｐ型半導体領域、１７…熱酸化膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面が酸化された金属窒化物または金属酸化
物よりなる固形体状の不純物源と、半導体ウエー
ハとが入れられた炉芯管内を減圧する工程と、 この半導体ウエーハおよび不純物源を1000℃以
下で加熱することにより、半導体ウエーハの表面
に前記不純物源表面の酸化物をデポジシヨンし、
もつて第１の不純物ガラスを形成する工程と、 前記低温・減圧雰囲気の炉芯管に少なくとも酸
素を含むガスを供給することにより、半導体ウエ
ーハの表面に薄い熱酸化膜を形成する工程と、 前記ガスの供給を停止し、前記温度よりも高温
の減圧雰囲気中で、その半導体ウエーハを加熱す
ることにより、前記第１の不純物ガラスの表面に
前記不純物源表面の金属酸化物をデポジシヨン
し、もつて第２の不純物ガラスを形成するととも
に、前記第１の不純物ガラスの不純物源物質と、
この第２の不純物ガラスの不純物源物質とによつ
て、半導体ウエーハの表面層に不純物源物質の浅
い拡散層を形成する工程と、 炉芯管が常圧に戻され、前記半導体ウエーハ表
面の第１，第２の不純物ガラスおよび熱酸化膜を
除去する工程と、 しかる後、その半導体ウエーハを酸化性雰囲気
内で加熱することにより、その半導体ウエーハの
表面層に形成された前記拡散層の不純物源物質を
再拡散する工程とを備えていることを特徴とする
半導体ウエーハ加熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10466786A JPS61258415A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 半導体ウェ−ハ加熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10466786A JPS61258415A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 半導体ウェ−ハ加熱処理方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16287181A Division JPS6028136B2 (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 炉心管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61258415A JPS61258415A (ja) | 1986-11-15 |
| JPH0158651B2 true JPH0158651B2 (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=14386814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10466786A Granted JPS61258415A (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 半導体ウェ−ハ加熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61258415A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2771330B2 (ja) * | 1992-03-27 | 1998-07-02 | ハイムゾート フェアヴァルトゥンゲン ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー ベタイリグングスゲゼルシャフト | 金属製品を熱処理する方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6461948B1 (en) * | 2000-03-29 | 2002-10-08 | Techneglas, Inc. | Method of doping silicon with phosphorus and growing oxide on silicon in the presence of steam |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4839169A (ja) * | 1971-09-22 | 1973-06-08 |
-
1986
- 1986-05-09 JP JP10466786A patent/JPS61258415A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4839169A (ja) * | 1971-09-22 | 1973-06-08 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2771330B2 (ja) * | 1992-03-27 | 1998-07-02 | ハイムゾート フェアヴァルトゥンゲン ゲーエムベーハー ウント コー カーゲー ベタイリグングスゲゼルシャフト | 金属製品を熱処理する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61258415A (ja) | 1986-11-15 |
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