NL151845B - Halfgeleiderinrichting met een elektrode, die uit een goud-chroomlegering bestaat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting met een elektrode, die uit een goud-chroomlegering bestaat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Info

Publication number
NL151845B
NL151845B NL686818715A NL6818715A NL151845B NL 151845 B NL151845 B NL 151845B NL 686818715 A NL686818715 A NL 686818715A NL 6818715 A NL6818715 A NL 6818715A NL 151845 B NL151845 B NL 151845B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
gold
semi
manufacturing
same
conductor device
Prior art date
Application number
NL686818715A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL6818715A (me
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Publication of NL6818715A publication Critical patent/NL6818715A/xx
Publication of NL151845B publication Critical patent/NL151845B/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/02—Contacts, special

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
NL686818715A 1967-12-28 1968-12-27 Halfgeleiderinrichting met een elektrode, die uit een goud-chroomlegering bestaat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. NL151845B (nl)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP468 1967-12-28
JP467 1967-12-28
JP46867 1967-12-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6818715A NL6818715A (me) 1969-07-01
NL151845B true NL151845B (nl) 1976-12-15

Family

ID=27274263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL686818715A NL151845B (nl) 1967-12-28 1968-12-27 Halfgeleiderinrichting met een elektrode, die uit een goud-chroomlegering bestaat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3591838A (me)
DE (1) DE1816748C3 (me)
FR (1) FR1599998A (me)
GB (1) GB1258580A (me)
NL (1) NL151845B (me)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3909319A (en) * 1971-02-23 1975-09-30 Shohei Fujiwara Planar structure semiconductor device and method of making the same
JPS5950212B2 (ja) * 1978-07-28 1984-12-07 富士電機株式会社 半導体素子の電極の製造方法
US5422513A (en) * 1992-10-16 1995-06-06 Martin Marietta Corporation Integrated circuit chip placement in a high density interconnect structure
AU703344B2 (en) * 1994-08-26 1999-03-25 Igen International, Inc. Biosensor for and method of electrogenerated chemiluminescent detection of nucleic acid adsorbed to a solid surface
WO1997030480A1 (en) * 1996-02-16 1997-08-21 Alliedsignal Inc. Low resistivity thin film conductor for high temperature integrated circuit electronics
US6150262A (en) * 1996-03-27 2000-11-21 Texas Instruments Incorporated Silver-gold wire for wire bonding
US6873020B2 (en) * 2002-02-22 2005-03-29 North Carolina State University High/low work function metal alloys for integrated circuit electrodes
JP7271166B2 (ja) * 2018-12-21 2023-05-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置およびその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL292995A (me) * 1962-05-25 1900-01-01
NL297607A (me) * 1962-09-07
US3432913A (en) * 1962-12-26 1969-03-18 Philips Corp Method of joining a semi-conductor to a base
US3324357A (en) * 1964-01-29 1967-06-06 Int Standard Electric Corp Multi-terminal semiconductor device having active element directly mounted on terminal leads

Also Published As

Publication number Publication date
DE1816748C3 (de) 1979-02-22
US3591838A (en) 1971-07-06
GB1258580A (me) 1971-12-30
DE1816748B2 (de) 1972-01-27
NL6818715A (me) 1969-07-01
FR1599998A (me) 1970-07-20
DE1816748A1 (de) 1969-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL153947B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze.
NL148654B (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL142281B (nl) Samengestelde halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL153709B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elektrisch geleidend voorwerp, alsmede voorwerp, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL152116B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL144853B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een laselektrode en laselektrode, verkregen door deze werkwijze.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL159532B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een, van een geisoleerde stuurelektrode voorziene veldeffecttransistor van het verrijkingstype, alsmede veldeffecttransistor, vervaardigd met deze werkwijze.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL157749C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffect- transistor en veldeffecttransistor vervaardigd volgens de werkwijze.
NL151845B (nl) Halfgeleiderinrichting met een elektrode, die uit een goud-chroomlegering bestaat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL154062B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderschakeling, alsmede geintegreerde halfgeleiderschakeling, vervaardigd met deze werkwijze.
NL140101B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL149950B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderschakelelement samengesteld uit een aantal halfgeleiderdraden met een metalen kern, alsmede een halfgeleiderschakelelement en een halfgeleiderdraad vervaardigd volgens zulk een werkwijze.
NL167542C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een electreet en aldus vervaardigde electreet.
NL161515B (nl) Inrichting voor de vervaardiging van een volumineus garen, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van dit garen met behulp van deze inrichting.
NL139874B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een liksteen en liksteen, vervaardigd met de werkwijze.
NL141030B (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een elektrode bij een halfgeleiderinrichting, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL153719B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL162710B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ladder en een met behulp van de werkwijze vervaardigde ladder.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL164420C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een legering en inrichting voorzien van een kern bestaande uit deze legering.
NL144120B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een dunnelaagschakeling, alsmede de volgens deze werkwijze verkregen schakeling.

Legal Events

Date Code Title Description
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: MATSUSHITA

V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent