NL142524B - Werkwijze voor het vervaardigen van een monokristallijn halfgeleiderlichaam van een met germanium gedoteerde aiiibv-verbinding, alsmede halfgeleiderinrichting voorzien van een monokristallijn halfgeleiderlichaam verkregen volgens de werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een monokristallijn halfgeleiderlichaam van een met germanium gedoteerde aiiibv-verbinding, alsmede halfgeleiderinrichting voorzien van een monokristallijn halfgeleiderlichaam verkregen volgens de werkwijze.

Info

Publication number
NL142524B
NL142524B NL707009556A NL7009556A NL142524B NL 142524 B NL142524 B NL 142524B NL 707009556 A NL707009556 A NL 707009556A NL 7009556 A NL7009556 A NL 7009556A NL 142524 B NL142524 B NL 142524B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semiconductor body
monocrystalline semiconductor
dotated
germanium
procedures
Prior art date
Application number
NL707009556A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL7009556A (enExample
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of NL7009556A publication Critical patent/NL7009556A/xx
Publication of NL142524B publication Critical patent/NL142524B/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/81—Bodies
    • H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
    • H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
    • H10H20/8242—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP characterised by the dopants
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
    • C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
    • C30B11/12—Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
    • H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
    • H10H20/0133—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N80/00—Bulk negative-resistance effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H10P14/2902—Materials being Group IVA materials
    • H10P14/2905—Silicon, silicon germanium or germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/29—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials characterised by the substrates
    • H10P14/2901—Materials
    • H10P14/2907—Materials being Group IIIA-VA materials
    • H10P14/2911—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
    • H10P14/3418—Phosphides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
    • H10P14/3421—Arsenides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3438—Doping during depositing
    • H10P14/3441—Conductivity type
    • H10P14/3442—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Led Devices (AREA)
NL707009556A 1969-06-30 1970-06-29 Werkwijze voor het vervaardigen van een monokristallijn halfgeleiderlichaam van een met germanium gedoteerde aiiibv-verbinding, alsmede halfgeleiderinrichting voorzien van een monokristallijn halfgeleiderlichaam verkregen volgens de werkwijze. NL142524B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5160969A JPS4921992B1 (enExample) 1969-06-30 1969-06-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL7009556A NL7009556A (enExample) 1971-01-04
NL142524B true NL142524B (nl) 1974-06-17

Family

ID=12891629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL707009556A NL142524B (nl) 1969-06-30 1970-06-29 Werkwijze voor het vervaardigen van een monokristallijn halfgeleiderlichaam van een met germanium gedoteerde aiiibv-verbinding, alsmede halfgeleiderinrichting voorzien van een monokristallijn halfgeleiderlichaam verkregen volgens de werkwijze.

Country Status (3)

Country Link
US (1) US3746943A (enExample)
JP (1) JPS4921992B1 (enExample)
NL (1) NL142524B (enExample)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3914785A (en) * 1973-12-03 1975-10-21 Bell Telephone Labor Inc Germanium doped GaAs layer as an ohmic contact
US5481123A (en) * 1994-12-20 1996-01-02 Honeywell Inc. Light emitting diode with improved behavior between its substrate and epitaxial layer

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3427211A (en) * 1965-07-28 1969-02-11 Ibm Process of making gallium phosphide dendritic crystals with grown in p-n light emitting junctions
US3387163A (en) * 1965-12-20 1968-06-04 Bell Telephone Labor Inc Luminescent semiconductor devices including a compensated zone with a substantially balanced concentration of donors and acceptors
US3581232A (en) * 1967-07-14 1971-05-25 Hitachi Ltd Tunable semiconductor bulk negative resistance microwave oscillator
US3560275A (en) * 1968-11-08 1971-02-02 Rca Corp Fabricating semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
JPS4921992B1 (enExample) 1974-06-05
US3746943A (en) 1973-07-17
DE2032099B2 (de) 1972-09-28
NL7009556A (enExample) 1971-01-04
DE2032099A1 (de) 1971-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL142287B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL158655B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende een halfgeleiderlichaam met een vlakke, gelijkrichtende overgangszone, die begrensd wordt door een ringvormig passiverend gebied.
NL171309C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, waarbij een laag van siliciumdioxyde wordt gevormd op een oppervlak van een monokristallijn lichaam van silicium.
NL158025B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL170901C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL161305C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL143732B (nl) Werkwijze voor het beschermen van een halfgeleiderlichaam met een p,n-overgang en halfgeleiderlichaam vervaardigd volgens de werkwijze.
NL162789C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL149859B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een ohms contact, alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL141031B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met ten minste een elektrisch geisoleerd halfgeleidergebied, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL158022B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL161920B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, waarbij de roostervervorming t.g.v. doteerstoffen wordt gecompenseerd.
NL148364B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een treksluiting, alsmede treksluiting vervaardigd onder toepassing van deze werkwijze.
NL148425B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een dubbelspleets-meerkanaalsmagneetkop, alsmede dubbelspleets-meerkanaalsmagneetkop vervaardigd volgens de werkwijze.
NL139843B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichtingen.
NL161919B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, die een p,n-overgang bevat.
NL154866B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL152115B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een siliciumhalfgeleiderinrichting door etsen.
NL144778B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting.
NL139193B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ritssluiting, alsmede ritssluiting vervaardigd onder toepassing van deze werkwijze.
NL143073B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting verkregen door toepassing van deze werkwijze.
NL142524B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een monokristallijn halfgeleiderlichaam van een met germanium gedoteerde aiiibv-verbinding, alsmede halfgeleiderinrichting voorzien van een monokristallijn halfgeleiderlichaam verkregen volgens de werkwijze.
NL7611022A (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van halfgelei- derinrichtingen, alsmede halfgeleiderinrich- tingen verkregen volgens deze werkwijze.
NL149711B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van pillen, alsmede de aldus vervaardigde pillen.
NL174760B (nl) Selectief absorberend oppervlak van een collector voor zonnestraling, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijk oppervlak.

Legal Events

Date Code Title Description
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee
NL80 Information provided on patent owner name for an already discontinued patent

Owner name: HITACHI