NL142524B - Werkwijze voor het vervaardigen van een monokristallijn halfgeleiderlichaam van een met germanium gedoteerde aiiibv-verbinding, alsmede halfgeleiderinrichting voorzien van een monokristallijn halfgeleiderlichaam verkregen volgens de werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een monokristallijn halfgeleiderlichaam van een met germanium gedoteerde aiiibv-verbinding, alsmede halfgeleiderinrichting voorzien van een monokristallijn halfgeleiderlichaam verkregen volgens de werkwijze.Info
- Publication number
- NL142524B NL142524B NL707009556A NL7009556A NL142524B NL 142524 B NL142524 B NL 142524B NL 707009556 A NL707009556 A NL 707009556A NL 7009556 A NL7009556 A NL 7009556A NL 142524 B NL142524 B NL 142524B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semiconductor body
- monocrystalline semiconductor
- dotated
- germanium
- procedures
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 3
- 238000000034 method Methods 0.000 title 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 title 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/305—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table characterised by the doping materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
- C30B11/12—Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02395—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02543—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N80/00—Bulk negative-resistance effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Led Devices (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5160969A JPS4921992B1 (nl) | 1969-06-30 | 1969-06-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7009556A NL7009556A (nl) | 1971-01-04 |
NL142524B true NL142524B (nl) | 1974-06-17 |
Family
ID=12891629
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL707009556A NL142524B (nl) | 1969-06-30 | 1970-06-29 | Werkwijze voor het vervaardigen van een monokristallijn halfgeleiderlichaam van een met germanium gedoteerde aiiibv-verbinding, alsmede halfgeleiderinrichting voorzien van een monokristallijn halfgeleiderlichaam verkregen volgens de werkwijze. |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3746943A (nl) |
JP (1) | JPS4921992B1 (nl) |
NL (1) | NL142524B (nl) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3914785A (en) * | 1973-12-03 | 1975-10-21 | Bell Telephone Labor Inc | Germanium doped GaAs layer as an ohmic contact |
US5481123A (en) * | 1994-12-20 | 1996-01-02 | Honeywell Inc. | Light emitting diode with improved behavior between its substrate and epitaxial layer |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3427211A (en) * | 1965-07-28 | 1969-02-11 | Ibm | Process of making gallium phosphide dendritic crystals with grown in p-n light emitting junctions |
US3387163A (en) * | 1965-12-20 | 1968-06-04 | Bell Telephone Labor Inc | Luminescent semiconductor devices including a compensated zone with a substantially balanced concentration of donors and acceptors |
US3581232A (en) * | 1967-07-14 | 1971-05-25 | Hitachi Ltd | Tunable semiconductor bulk negative resistance microwave oscillator |
US3560275A (en) * | 1968-11-08 | 1971-02-02 | Rca Corp | Fabricating semiconductor devices |
-
1969
- 1969-06-30 JP JP5160969A patent/JPS4921992B1/ja active Pending
-
1970
- 1970-06-29 NL NL707009556A patent/NL142524B/nl not_active IP Right Cessation
- 1970-06-29 US US00050870A patent/US3746943A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS4921992B1 (nl) | 1974-06-05 |
US3746943A (en) | 1973-07-17 |
DE2032099A1 (de) | 1971-01-28 |
NL7009556A (nl) | 1971-01-04 |
DE2032099B2 (de) | 1972-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL142287B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL158655B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende een halfgeleiderlichaam met een vlakke, gelijkrichtende overgangszone, die begrensd wordt door een ringvormig passiverend gebied. | |
NL171309C (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderlichaam, waarbij een laag van siliciumdioxyde wordt gevormd op een oppervlak van een monokristallijn lichaam van silicium. | |
NL141329B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een maskerlaag van siliciumnitride, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL143732B (nl) | Werkwijze voor het beschermen van een halfgeleiderlichaam met een p,n-overgang en halfgeleiderlichaam vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL161305B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL154873B (nl) | Metalen orgaan voor het monteren van een halfgeleiderelement, alsmede halfgeleiderinrichting voorzien van het gemonteerde halfgeleiderelement. | |
NL161302B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL158022B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL162511B (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL155291B (nl) | Werkwijze ter bereiding van tegen invloed van warmte gestabiliseerde, vormbare samenstellingen. | |
NL161920B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, waarbij de roostervervorming t.g.v. doteerstoffen wordt gecompenseerd. | |
NL148364B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een treksluiting, alsmede treksluiting vervaardigd onder toepassing van deze werkwijze. | |
NL148425B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een dubbelspleets-meerkanaalsmagneetkop, alsmede dubbelspleets-meerkanaalsmagneetkop vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL139843B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichtingen. | |
NL161919B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, die een p,n-overgang bevat. | |
NL154866B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL144562B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een hol voorwerp van kwartsglas, alsmede hol glazen voorwerp van kwartsglas verkregen met deze werkwijze. | |
NL160010B (nl) | Werkwijze voor het bereiden van een waterige filmvormende polyurethaandispersie alsmede werkwijze voor het vervaardi- gen van een film uit de verkregen dispersie. | |
NL144778B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door anisotroop etsen alsmede aldus vervaardigde inrichting. | |
NL139193B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ritssluiting, alsmede ritssluiting vervaardigd onder toepassing van deze werkwijze. | |
NL143073B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting verkregen door toepassing van deze werkwijze. | |
NL142524B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een monokristallijn halfgeleiderlichaam van een met germanium gedoteerde aiiibv-verbinding, alsmede halfgeleiderinrichting voorzien van een monokristallijn halfgeleiderlichaam verkregen volgens de werkwijze. | |
NL174760B (nl) | Selectief absorberend oppervlak van een collector voor zonnestraling, alsmede werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijk oppervlak. | |
NL141712B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een elektroluminescerend element, alsmede het vervaardigde element. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee | ||
NL80 | Information provided on patent owner name for an already discontinued patent |
Owner name: HITACHI |