NL140656B - Werkwijze voor het vormen van een halfgeleiderlichaam van silicium met een dun gebied met bepaald geleidingsvermogen aan het oppervlak van het lichaam en inrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van silicium, vervaardigd door toepassing van de werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het vormen van een halfgeleiderlichaam van silicium met een dun gebied met bepaald geleidingsvermogen aan het oppervlak van het lichaam en inrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van silicium, vervaardigd door toepassing van de werkwijze.Info
- Publication number
- NL140656B NL140656B NL646415066A NL6415066A NL140656B NL 140656 B NL140656 B NL 140656B NL 646415066 A NL646415066 A NL 646415066A NL 6415066 A NL6415066 A NL 6415066A NL 140656 B NL140656 B NL 140656B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- silicon semiconductor
- semiconductor body
- procedure
- forming
- application
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
- H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
- H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/3165—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation
- H01L21/31654—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself
- H01L21/31658—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself by thermal oxidation, e.g. of SiGe
- H01L21/31662—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself by thermal oxidation, e.g. of SiGe of silicon in uncombined form
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/003—Anneal
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/053—Field effect transistors fets
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/062—Gold diffusion
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/162—Testing steps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/909—Controlled atmosphere
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/91—Controlling charging state at semiconductor-insulator interface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US33335163A | 1963-12-26 | 1963-12-26 | |
US573773A US3349474A (en) | 1963-12-26 | 1966-08-05 | Semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL6415066A NL6415066A (de) | 1965-06-28 |
NL140656B true NL140656B (nl) | 1973-12-27 |
Family
ID=26988679
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL646415066A NL140656B (nl) | 1963-12-26 | 1964-12-24 | Werkwijze voor het vormen van een halfgeleiderlichaam van silicium met een dun gebied met bepaald geleidingsvermogen aan het oppervlak van het lichaam en inrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van silicium, vervaardigd door toepassing van de werkwijze. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3349474A (de) |
BE (1) | BE657563A (de) |
DE (1) | DE1489258C2 (de) |
GB (1) | GB1094068A (de) |
NL (1) | NL140656B (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL154867B (nl) * | 1964-02-13 | 1977-10-17 | Hitachi Ltd | Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting, alsmede volgens deze werkwijze vervaardigde veldeffect-transistor en planaire transistor. |
US3999282A (en) * | 1964-02-13 | 1976-12-28 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor devices having oxide films and the semiconductor devices manufactured thereby |
US3406050A (en) * | 1965-08-04 | 1968-10-15 | Texas Instruments Inc | Method of making electrical contact to a semiconductor body |
US3427514A (en) * | 1966-10-13 | 1969-02-11 | Rca Corp | Mos tetrode |
US3528168A (en) * | 1967-09-26 | 1970-09-15 | Texas Instruments Inc | Method of making a semiconductor device |
US3907607A (en) * | 1969-07-14 | 1975-09-23 | Corning Glass Works | Continuous processing of ribbon material |
US3726002A (en) * | 1971-08-27 | 1973-04-10 | Ibm | Process for forming a multi-layer glass-metal module adaptable for integral mounting to a dissimilar refractory substrate |
US4138280A (en) * | 1978-02-02 | 1979-02-06 | International Rectifier Corporation | Method of manufacture of zener diodes |
JPS5530846A (en) * | 1978-08-28 | 1980-03-04 | Hitachi Ltd | Method for manufacturing fixed memory |
JPS5534444A (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-11 | Fujitsu Ltd | Preparation of semiconductor device |
DE3170327D1 (en) * | 1980-11-06 | 1985-06-05 | Nat Res Dev | Annealing process for a thin-film semiconductor device and obtained devices |
US5514628A (en) * | 1995-05-26 | 1996-05-07 | Texas Instruments Incorporated | Two-step sinter method utilized in conjunction with memory cell replacement by redundancies |
US7384727B2 (en) * | 2003-06-26 | 2008-06-10 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing patterning methods |
US7115532B2 (en) * | 2003-09-05 | 2006-10-03 | Micron Technolgoy, Inc. | Methods of forming patterned photoresist layers over semiconductor substrates |
US7026243B2 (en) * | 2003-10-20 | 2006-04-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming conductive material silicides by reaction of metal with silicon |
US6969677B2 (en) * | 2003-10-20 | 2005-11-29 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming conductive metal silicides by reaction of metal with silicon |
US7153769B2 (en) * | 2004-04-08 | 2006-12-26 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a reaction product and methods of forming a conductive metal silicide by reaction of metal with silicon |
US7119031B2 (en) * | 2004-06-28 | 2006-10-10 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming patterned photoresist layers over semiconductor substrates |
US7241705B2 (en) * | 2004-09-01 | 2007-07-10 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming conductive contacts to source/drain regions and methods of forming local interconnects |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2748325A (en) * | 1953-04-16 | 1956-05-29 | Rca Corp | Semi-conductor devices and methods for treating same |
US2981646A (en) * | 1958-02-11 | 1961-04-25 | Sprague Electric Co | Process of forming barrier layers |
NL267831A (de) * | 1960-08-17 | |||
FR1276723A (fr) * | 1960-10-11 | 1961-11-24 | D Electroniques Et De Physique | Perfectionnements aux procédés de fabrication de dispositifs photo-électriques semi-conducteurs et à de tels dispositifs |
NL302804A (de) * | 1962-08-23 | 1900-01-01 |
-
1964
- 1964-12-07 GB GB49763/64A patent/GB1094068A/en not_active Expired
- 1964-12-15 DE DE1489258A patent/DE1489258C2/de not_active Expired
- 1964-12-23 BE BE657563A patent/BE657563A/xx unknown
- 1964-12-24 NL NL646415066A patent/NL140656B/xx unknown
-
1966
- 1966-08-05 US US573773A patent/US3349474A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BE657563A (de) | 1965-04-16 |
DE1489258C2 (de) | 1975-04-24 |
GB1094068A (en) | 1967-12-06 |
DE1489258B1 (de) | 1969-10-02 |
US3349474A (en) | 1967-10-31 |
NL6415066A (de) | 1965-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL140656B (nl) | Werkwijze voor het vormen van een halfgeleiderlichaam van silicium met een dun gebied met bepaald geleidingsvermogen aan het oppervlak van het lichaam en inrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van silicium, vervaardigd door toepassing van de werkwijze. | |
NL154560B (nl) | Werkwijze voor het reinigen van het oppervlak van een op een halfgeleider aangebrachte metaallaag door kathodeverstuiving, alsmede met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL153947B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze. | |
NL159533B (nl) | Werkwijze voor het met een tussenruimte scheiden van door verdeling van een halfgeleiderschijf gevormde halfgeleiderplaatjes, en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze. | |
NL144201B (nl) | Werkwijze voor het bekleden van het oppervlak van een substraat. | |
NL7613893A (nl) | Halfgeleiderinrichting met gepassiveerd opper- vlak, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting. | |
NL142386B (nl) | Werkwijze voor het verhogen van de slijtvastheid van een glasoppervlak, alsmede aldus gevormde voorwerpen. | |
NL172301C (nl) | Stimulatie-inrichting bestemd voor het inplanten in het lichaam. | |
NL154873B (nl) | Metalen orgaan voor het monteren van een halfgeleiderelement, alsmede halfgeleiderinrichting voorzien van het gemonteerde halfgeleiderelement. | |
NL154669B (nl) | Inrichting voor het stimuleren van de hartwerking. | |
NL154870B (nl) | Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting. | |
NL158655B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting omvattende een halfgeleiderlichaam met een vlakke, gelijkrichtende overgangszone, die begrensd wordt door een ringvormig passiverend gebied. | |
NL7604986A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd door toe- passing van de werkwijze. | |
NL161617C (nl) | Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL162250B (nl) | Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen. | |
NL142526B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen. | |
NL143072B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL152116B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een ingekapselde halfgeleiderinrichting en ingekapselde halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL162511B (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL157662B (nl) | Werkwijze voor het etsen van een oppervlak onder toepassing van een etsmasker, alsmede voorwerpen, verkregen door toepassing van deze werkwijze. | |
NL154061B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
NL7710322A (nl) | Inrichting voor het elektrostatisch opbrengen van in het bijzonder in water verdunde verfstof- fen. | |
NL161920B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting, waarbij de roostervervorming t.g.v. doteerstoffen wordt gecompenseerd. | |
NL155663B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede voorwerp vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL154866B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze. |