NL1032092C2 - Werkwijzen en systeem voor het onderdrukken van defectvorming bij immersielithografie. - Google Patents
Werkwijzen en systeem voor het onderdrukken van defectvorming bij immersielithografie. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1032092C2 NL1032092C2 NL1032092A NL1032092A NL1032092C2 NL 1032092 C2 NL1032092 C2 NL 1032092C2 NL 1032092 A NL1032092 A NL 1032092A NL 1032092 A NL1032092 A NL 1032092A NL 1032092 C2 NL1032092 C2 NL 1032092C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- immersion
- coating
- materials
- lithography system
- lens
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 title claims description 32
- 230000007547 defect Effects 0.000 title description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 62
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 45
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 45
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 36
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 19
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 14
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 13
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 claims description 7
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000012773 waffles Nutrition 0.000 claims description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002563 ionic surfactant Substances 0.000 claims description 3
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims 1
- 230000036039 immunity Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 33
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- XJWSAJYUBXQQDR-UHFFFAOYSA-M dodecyltrimethylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C XJWSAJYUBXQQDR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 101150039504 6 gene Proteins 0.000 description 1
- 102100023698 C-C motif chemokine 17 Human genes 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000978362 Homo sapiens C-C motif chemokine 17 Proteins 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- YVIGPQSYEAOLAD-UHFFFAOYSA-L disodium;dodecyl phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].CCCCCCCCCCCCOP([O-])([O-])=O YVIGPQSYEAOLAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005320 surfactant adsorption Methods 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical compound FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient
- G03F7/70958—Optical materials or coatings, e.g. with particular transmittance, reflectance or anti-reflection properties
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
WERKWIJZEN EN SYSTEEM VOOR HET ONDERDRUKKEN VAN DEFECTVORMING
BIJ IMMERSIELITHOGRAFIE
1 J
VERWIJZING
De onderhavige aanvrage claimt prioriteit van U.S. Provisional Patent Application Serial nr. 60/695,825, ingediend op 30 juni 2005, getiteld "METHODS AND SYSTEM FOR INHI-5 BITING IMMERSION LITHOGRAPHY DEFECT FORMATION".
ACHTERGROND
Immersielithografie omvat typisch het aanbrengen van een coating van fotoresist op een bovenoppervlak (bijv. een 10 dunne filmstapel) van een halfgeleiderwafel en vervolgens het belichten van de fotoresist met een patroon. Tijdens de belichting, kan gedemineraliseerd (Dl) water worden gebruikt om de ruimte te vullen tussen de belichtingslens en het resist-oppervlak om het venster van scherptediepte (DOF) te vergro-15 ten. Eén of meer bewerkingen van bakken na belichting en/of andere processen kunnen dan worden uitgevoerd, zoals om de belichte fotoresist te doen splijten (zoals wanneer de fotoresist een substantie op polymeerbasis bevat), om het polymeer te verdichten en/of om enig oplosmiddel te doen verdam-20 pen, naast andere doelen. Een ontwikkelkamer kan dan worden gebruikt om belichte polymeer te verwijderen, die oplosbaar kan zijn in een waterige ontwikkeloplossing, mogelijk na aanbrengen van tetramethylammoniumhydroxide (TMAH). Een Dl wa-terspoelen kan dan worden toegepast om het wateroplosbare po-25 lymeer te verwijderen of andere opgeloste fotoresist, en een spin droogproces kan worden gebruikt om de wafel te drogen.
De belichte en ontwikkelde wafel kan dan worden overgedragen voor volgende verwerkingshandelingen, hoewel mogelijk na extra bakken om vocht op het resistoppervlak te verdampen.
30 Immersielithografieapparatuur kan een immersiescan- ner Dl kamer omvatten, die een lenssysteem, een DI-waterhoudersysteem rond de lens, een sensorsysteem en/of een wafeltafelsysteem kan omvatten naast andere mogelijke componenten. Delen van de lensapparatuur kunnen zijn samengesteld \ 03 Z092 « i 2 uit silica, silicium, dioxide en/of andere soortgelijke materialen, en/of kunnen één of meerdere lagen silica, silicium-dioxide en/of soortgelijke materialen daarop hebben aangebracht. Het tafelsysteem kan zijn samengesteld van een lege-5 ring van aluminium, silica, silicium, magnesium, zink, fosfor, en/of zuurstof. Het oppervlak van het sensorsysteem kan zijn gecoat met titaniumnitride. Het DI-waterhoudersysteem kan zijn samengesteld van roestvrijstaal.
De hierboven beschreven bewerking/apparatuur, kan 10 worden gehinderd door verschillende problemen. Bijvoorbeeld kan de resistoppervlakte zeta-potentiaal ongeveer -40 mV zijn bij pH=7 (zeta potentiaal kan verwijzen naar de elektrische potentiaal die optreedt over het oppervlak van een vast lichaam in een vloeistof, of de potentiaal van een vast opper-15 vlak dat in wisselwerking staat met een omgeving met een specifieke chemische samenstelling, en kan ook worden aangeduid als elektrokinetische potentiaal). Dientengevolge, als het immersie Dl-fluïdum verontreinigingen bevat, kunnen de verontreinigingen hechten aan het resistoppervlak. Evenzo kunnen 20 de silica, siliciumdioxide of soortgelijke materialen van de lens en/of lensapparatuur een zeta-potentiaal hebben van ongeveer -25 mV, wat zwakker kan zijn dan het resistoppervlak, en dus mogelijk verontreinigingen kan aantrekken. Het gelegeerde materiaal van de houder kan ten minste één aluminium-25 element of component omvatten, die een +40 mV zeta-potentiaal kan hebben, zodat de oppervlakken daarvan makkelijk hechten aan deeltjes met negatieve zeta-potentiaal. Het roestvrijstaal van het DI-waterhoudersysteem kan ook een positieve zeta-potentiaal hebben, zodat deeltjes met negatieve zeta-30 potentiaal daaraan kunnen hechten.
KORTE BESCHRIJVING VAN DE TEKENINGEN
Aspecten van de onderhavige openbaarmaking worden het best begrepen uit de volgende gedetailleerde beschrijving 35 wanneer deze wordt gelezen met de bij gevoegde figuren. Het wordt benadrukt dat in samenhang met de standaardpraktijk in de industrie, verschillende kenmerken niet op schaal kunnen zijn getekend. In feite, kunnen de afmetingen van de ver- • i 3 schillende kenmerken willekeurig worden vergroot of verkleind voor de duidelijkheid van de bespreking.
Fign. 1 en 2 zijn aanzichten in doorsnede van een wafel die wordt bewerkt door conventionele immersielithogra-5 fiewerkwijzen/apparatuur.
Fig. 3 illustreert verschillende voorbeelden van defecten op een wafel die kunnen resulteren uit conventionele immersielithografiewerkwij zen/apparatuur.
Fign. A-D geven grafisch verbanden weer tussen zeta-10 potentiaal en pH voor verschillende samenstellingen/wafels.
Fig. E toont de zetapotentiaal als functie van surfactant adsortptie op koperoppervlak (NaDDS = natriumdodecyl-fosfaat; DDTMABr = dodecyltrimethylammoniumbromide).
Fig. H toont zetapotentiaal (gemiddelde ±SD; nm = 15 15, nc = 5) als functie van buffer pH. De stippellijn is een ideale sigmoïdale aanpassing aan de experimentele punten, indicatief voor titratie van geladen plaatsen met pK2 nabij 4,8. Counterionconcentratie, 10 mM.
Fig. 4 toont een contacthoek van ongeveer 20 graden 20 van een fluïdum zoals gedemineraliseerd water op een oppervlak gecoat met siliciumdioxide.
Fig. 5 toont een contacthoek van ongeveer 90 graden van een fluïdum zoals gedemineraliseerd water op een oppervlak gecoat met PTFE of polytetrafluoroëthyleen.
25 Fign. 6 en 7 zijn aanzichten in doorsneden van een wafel die wordt verwerkt door conventionele immersielithogra-fie werkwijzen/apparatuur.
Fign. 8 en 9 zijn aanzichten in doorsnede van een wafel die wordt verwerkt door één uitvoeringsvorm van immer-30 sielithografieapparatuur volgens aspecten van de onderhavige openbaarmaking.
Fig. 10 is een stroomdiagram van ten minste een deel van één uitvoeringsvorm van een werkwijze voor het implementeren van een immersielithografieproces met verminderde de-35 fecten volgens aspecten van de onderhavige openbaarmaking.
4 . <
GEDETAILLEERDE BESCHRIJVING
De volledige openbaarmakingen van de volgende octrooien worden hierbij door verwijzing hierin ingelijfd: (1) Amerikaans Octrooischrift nr. 6,867,884; 5 (2) Amerikaans Octrooischrift nr. 6,809,794; (3) Amerikaans Octrooischrift nr. 6,778,477; (4) Amerikaans Octrooischrift nr. 5,879,577; (5) Amerikaans Octrooischrift nr. 6,114,747; en (6) Amerikaans Octrooischrift nr. 6,516,815.
10 De volledige openbaarmakingen van de volgende hieraan verwante Amerikaanse octrooiaanvragen en algemeen hieraan toegewezen, zijn ook hierbij door verwijzing hierin ingelijfd: (7) Amerikaans Ser. Nr. 10/995,693, getiteld "Immersion Photolithography With Megasonic Rinse", Attorney 15 Docket Nr. 24061.536; (8) Amerikaans Ser. Nr. 11/025,538, getiteld "Supercritical Developing For A Lithographic Process", Attorney Docket Nr. 24061.565; (9) Amerikaans Ser. Nr. 60/695,562, getiteld "Immersion 20 Lithography Defect Reduction", Attorney Docket Nr.
24061.565; en (10) Amerikaans Ser. Nr. 60/695,826, getiteld "Immersion Lithography Defect Reduction", Attorney Docket Nr. 24061.657.
25 Er moet worden begrepen dat de volgende openbaarma king veel verschillende uitvoeringsvormen of voorbeelden verschaft voor het implementeren van verschillende kenmerken van verscheidene uitvoeringsvormen. Specifieke voorbeelden van componenten en samenstellingen worden hieronder beschreven om 30 de onderhavige openbaarmaking te vereenvoudigen. Dit zijn natuurlijk slechts voorbeelden en niet bedoeld ter beperking. Bovendien kan de onderhavige openbaarmaking verwijzingscij-fers en/of letters in de verschillende voorbeelden herhalen. Deze herhaling is voor het doel van eenvoud en helderheid en 35 dicteert op zich geen verband tussen de verschillende besproken uitvoeringsvormen en/of configuraties. Bovendien kan het vormen van een eerste kenmerk over of op een tweede kenmerk in de beschrijving die volgt, uitvoeringsvormen omvatten * 5 waarin de eerste en tweede kenmerken in direct contact worden gevormd, en kunnen ook uitvoeringsvormen omvatten waarin extra kenmerken kunnen worden gevormd tussen de eerste en tweede kenmerken, zodat de eerste en tweede kenmerken niet in di-5 reet contact kunnen zijn.
Met verwijzing naar Fign. 1 en 2, worden aanzichten in doorsneden geïllustreerd van conventionele immersielitho-grafieapparatuur 100 waarin verschillende gebieden van een halfgeleiderwafel 110 immersielithografieverwerking onder-10 gaan. De halfgeleiderwafel 110 kan een substraat omvatten en een patroon gevende laag. Het substraat kan één of meerdere lagen omvatten, inclusief poly, metaal, en/of diëlektrisch, die van een patroon moeten worden voorzien. De patroon gevende laag kan een fotoresist (resist)laag zijn die reageert op 15 een belichtingsproces voor het creëren van patronen.
Het geïllustreerde voorbeeld van de immersielitho-grafieapparatuur 100 omvat een lenssysteem 122, een structuur 124 voor het bevatten van een immersiefluïdura 126, zoals ge-demineraliseerd water, verschillende openingen 128 waardoor 20 fluïdum kan worden toegevoegd of verwijderd, en een tafel 130 en een bevestiging 132 (zoals een houder, en die één geheel kan zijn met de tafel 130) voor het vasthouden en bewegen van de wafel 110 ten opzichte van het lenzensysteem 122. De structuur 124 die de immersievloeistof bevat en het lenzen-25 systeem 122 vormen een immersiekop 120a. De immersiekop 120a kan enkele van de openingen 128 gebruiken als een "luchtmes" dat lucht kan spuiten in de wafel voor drogen, en andere openingen om alle weggespoten vloeistof te verwijderen. Het luchtmes alleen kan onvoldoende zijn om alle immersievloei-30 stof 126 van de wafel 110 te verwijderen.
Fig. 3 omvat een bovenaanzicht van de wafel 110 na het ondergaan van conventionele immersielithografieverwerking, zoals via verwerking in de apparatuur 100 getoond in Fign. 1 en 2. Fig. 3 omvat ook verschillende aanzichten in 35 detail van defecten 150 die zich kunnen vormen op de wafel 110 tijdens verwerking in de apparatuur 100. De defecten kunnen watermerken, residuen of vreemde deeltjes in de resist waarin het patroon is aangebracht, zijn, of kunnen vervormin- 6 gen of "gaten" (missende patronen) zijn in de resist. Andere soorten van defecten kunnen ook optreden. Er wordt opgemerkt dat als bakken na belichting (PEB) wordt verhoogd in tijd of temperatuur om de defecten van het watermerktype te verwijde-5 ren, dat dan de kans op vreemde deeltjes en/of andere defecten kan toenemen.
Fign. 6 en 7 zijn extra aanzichten in doorsnede van de apparatuur 100 getoond in Fign. 1 en 2 en de wafel 110 getoond in Fign. 1-3. Zoals hierboven is beschreven, kan de sa-10 menstelling of oppervlaktekarakteristieken van één of meerdere componenten van de apparatuur 100 een affiniteit hebben voor het hechten van verontreinigingen. Bijvoorbeeld kan de silica of siliciumdioxidesamenstelling van de tafel 130 een betrekkelijk kleine contacthoek (zie Fig. 4) hebben of hydro-15 fiel zijn, zodat deeltjes, waterdruppeltjes 155 (die mogelijk deeltjes bevatten) , en/of andere verontreinigingen zich kunnen hechten aan de oppervlakken van de tafel 130. De samenstelling, contacthoek, affiniteit tot water, en/of andere aspecten van de tafel 130, houder 132, lens 122, structuur 124, 20 en/of andere componenten van de apparatuur 100 kunnen op soortgelijke wijze de oppervlakken daarvan gevoelig maken voor het hechten van verontreinigingen.
Met verwijzing naar Fign. 8 en 9 worden aanzichten in doorsnede geïllustreerd van ten minste een deel van een 25 uitvoeringsvorm van inrichting 200 volgens aspecten van de onderhavige openbaarmaking. De inrichting 200 kan in wezen soortgelijk zijn aan uitvoeringsvormen van de inrichting 100 die is getoond in Fign. 1, 2, 6 en 7. Echter, in inrichting 200 is een coating, bekleding of andere laag 210 aanwezig op 30 één of meer oppervlakken van één of meer componenten van de inrichting 200. Bijvoorbeeld kan één of meer oppervlakken van de lens 122 de coating 210 omvatten. In één uitvoeringsvorm kunnen verschillende of alle oppervlakken van de lens 122 de coating 210 omvatten, behalve mogelijk de oppervlakken (bijv. 35 boven en onder) waardoor belichtingslicht zich voortplant.
Eén of meerdere oppervlakken van de tafel 130, de houder 132, de immersievloeistof bevattende structuur 124, en/of de ope-ningen 128 kunnen ook, of als alternatief, de coating 210 om- « 7 vatten. In één uitvoeringsvorm kunnen alle oppervlakken van alle componenten van de inrichting 200, die in contact kunnen komen met de immersievloeistof 126 (behalve mogelijk voor de lichtvoortplantende oppervlakken van de lens 122) de coating 5 210 omvatten.
De coating 210 kan één of meer lagen siliciumdioxi-de, polytetrafluoroëthyleen ("PTFE"of TEFLON zoals geleverd door de DuPont Corp.), fluoride, polyethyleen, polyvinylchloride, polymeren van ten minste één van dergelijke materialen, 10 legeringen van ten minste één van dergelijke materialen, combinaties die ten minste één van dergelijke materialen bevatten en/of andere polymeren, bevatten, onder andere samenstellingen binnen de reikwijdte van de onderhavige openbaarmaking. De coating 210 kan worden aangeduid als een "hydrofiele 15 coating" omdat het verbeterde bevochtigbaarheid verschaft.
Daarnaast of als alternatief, kan de coating worden aangeduid als "coating voor verminderde hechting van vervuiling" omdat het de hechting van verontreinigingen in het water aan het bijbehorende oppervlak vermindert. De coating 210 kan op de 20 oppervlakken van de componenten van de inrichting 200 zijn aangebracht door één of meer van een myriade van conventionele en/of toekomstig ontwikkelde processen, zoals chemische dampafzetting (CVD), dopen, borstelen, sproeien, stempelen, gieten, binden, spin-on-coaten, elektrodepositie, en anderen. 25 De dikte van de coating 210 kan variëren binnen de reikwijdte van de onderhavige openbaarmaking. Bovendien kunnen de dikte, compositie, processen van aanbrengen, en/of andere aspecten van de coating 210 variëren binnen een enkelvoudige uitvoeringsvorm. Bijvoorbeeld kunnen de dikte en de compositie van 30 de coating 210 op één component van de inrichting 200 verschillen van de dikte en compositie van de coating op een andere component van de inrichting 200.
Zoals is geïllustreerd in de uitvoeringsvorm die is getoond in Fign. 8 en 9, kan de inrichting 200 ook één of 35 meer sensors of een sensorsysteem (hierin collectief aangeduid als "sensor") 160 omvatten. De sensor 160 kan zijn samengesteld om vervuilingsniveaus van immersievloeistof 126, spoelmiddelen en/of andere fluïda/gassen, aantallen belich- • *·' 8 tingscycli, aantallen cycli van vullen en leeghalen van de immersievloeistof bevattende structuur 124, verontreinigings-niveaus van het substraat 110, en/of andere karakteristieken, kwaliteiten, metingen, of aspecten, bevatten, die gebruikt 5 kunnen worden om de noodzaak te bepalen voor het reinigen, filteren, onderhouden en/of vervangen van componenten van de inrichting 200 en/of bronnen van vloeistof/gas (zoals een bron van immersievloeistof). De sensor 160 kan zijn gekoppeld aan of integraal zijn met de structuur 124 die de immersie-10 vloeistof bevat, zoals in de geïllustreerde uitvoeringsvorm. Echter, de sensor 160 kan ook of als alternatief integraal zijn met, of direct of indirect gekoppeld aan, een andere component van de inrichting 200, zoals de tafel 130, de im-mersiekop 120a, en/of de houder 132, onder andere componen-15 ten. De sensor 160 kan ook zijn voorzien van de uitwendige coating 210.
Met verwijzing naar Fig. 10 wordt een stroomdiagram geïllustreerd van ten minste een deel van één uitvoeringsvorm van een werkwijze 300 voor immersielithografie volgens aspec-20 ten van de onderhavige openbaarmaking. In stap 304 wordt een resist aangebracht op het oppervlak van een wafelsubstraat.
De resist kan een negatieve of een positieve resist zijn, en kan van een onbekend materiaal zijn of een materiaal dat later is ontwikkeld voor dit doel. Bijvoorbeeld kan de resist 25 een één-, twee-, of multi-componentenresistsysteem zijn. Het aanbrengen van de resist kan plaatsvinden met spin-coating of een andere passende procedure. Voor het aanbrengen van de resist, kan de wafel eerst zijn bewerkt om deze voor te bereiden voor het fotolithografieproces. Bijvoorbeeld kan de wafel 30 worden gereinigd, gedroogd en/of zijn voorzien van een laag van hechtingbevorderend materiaal voor het aanbrengen van de resist.
Bij stap 306 wordt de stap van immersiebelichting uitgevoerd. De wafel en resist worden ondergedompeld in een 35 immersiebelichtingsvloeistof zoals gedemineraliseerd water, en blootgesteld aan een stralingsbron door een lens. De stra-lingsbron kan een ultraviolette lichtbron zijn, bijvoorbeeld een krypton fluoride (KrF, 248 nm), argon fluoride (ArF, 193 9 nm), of F2 (157 ηΜ) excimer laser. De wafel wordt gedurende een voorafbepaalde tijdsduur blootgesteld aan de straling, afhankelijk van de soort gebruikte resist, de intensiteit van de ultraviolette lichtbron, en/of andere factoren. De belich-5 tingstijd kan duren van ongeveer 0,2 seconden tot ongeveer 30 seconden bijvoorbeeld.
Bij stap 308 wordt een droogproces uitgevoerd, het droogproces kan ter plaatse worden uitgevoerd met de vorige of de volgende bewerkingsstap, of kan in een aparte kamer 10 worden uitgevoerd. Eén of meer droogprocessen kunnen individueel worden gebruikt of in verschillende combinaties. Bijvoorbeeld kunnen één of meer vloeistoffen worden toegevoegd voor het droogproces, zoals superkritische CO2, alcohol (bijv. methanol, ethanol, isopropanol (IPA), en/of xyleen), surfac-15 tanten en/of zuiver gedemineraliseerd water. Als alternatief, of daarnaast, kunnen één of meer gassen worden toegevoegd voor de droge stap 308, zoals gecondenseerde/schone droge lucht (CDA), N2 of Ar voor een droogproces met spuiten. Vacu-umverwerking en/of spin-droogverwerking kan als alternatief 20 of daarnaast worden gebruikt om het drogen te ondersteunen. Spin-droogbewerking werkt bijzonder goed in combinatie met één of meer van de hierboven op een rij gezette droogprocessen, en kan ter plaatse worden uitgevoerd. Bijvoorbeeld kan een spoeling met gedemineraliseerd water worden aangebracht 25 door een spuitmond om eventueel aanwezige vuile vloeistof-druppeltjes op te lossen en/of te reinigen, hetzij tegelijkertijd met of direct gevolgd door een spin-droogproces.
Bij stap 310 wordt de wafel met de belichte en droge resist opgewarmd voor een bakken na belichting (PEB) voor po-30 lymeerdesintegratie. Deze stap laat het belichte fotozuur reageren met de polymeer en zorgt voor de polymeerdesintegra-tie. De wafel kan worden verhit tot een temperatuur die ligt tussen ongeveer 85°C en ongeveer 150°C, mogelijk voor een duur die ligt tussen ongeveer 30 seconden en ongeveer 200 se-35 conden, alhoewel andere temperaturen en tijdsduren ook liggen binnen de reikwijdte van de onderhavige openbaarmaking. In sommige uitvoeringsvormen kan de PEB stap 310 worden voorafgegaan door een eerste bakken bij lagere temperatuur (bijv.
9 φ· 10 80% van de hierboven beschreven temperatuur), die kan helpen bij het verwijderen van iets van de bestaande vloeistof van de wafel.
Bij stap 312 wordt een patroon ontwikkelend proces 5 uitgevoerd op de belichte (positieve) of onbelichte (negatieve) resist om het gewenste maskerpatroon achter te laten. In enkele uitvoeringsvormen wordt de wafel ondergedompeld in een ontwikkelvloeistof gedurende een voorafbepaalde tijdsduur tijdens welke een deel van de resist wordt opgelost en ver-10 wijderd. De wafel kan in de ontwikkeloplossing worden ondergedompeld gedurende ongeveer 5 tot ongeveer 60 seconden bijvoorbeeld. De samenstelling van de ontwikkeloplossing is afhankelijk van de samenstelling van de resist, en wordt geacht welbekend te zijn in de techniek.
15 De werkwijze 300 kan ook één of meer reinigingsstap- pen 302 omvatten voorafgaand aan de stap 304 van het aanbrengen van de resist en/of één of meer reinigingsstappen 314 na de ontwikkelstap 312. Bijvoorbeeld kunnen dergelijke optionele stap(pen) reinigen omvatten van ten minste een deel van 20 ten minste één van de wafeltafel, de houder van immersie-vloeistof (bijv., gedemineraliseerd water), een sensor, de lens en een andere component van de immersiebelichtingsin-richting. Het drogen kan gebruik maken van een chemische rei-nigingsoplossing die ten minste één bevat van ammonia, water-25 stofperoxide, ozon, zwavelzuur, en samenstellingen daarvan. Daarnaast, als alternatief, kan de reiniging gebruik maken van een surfactantoplossing die ten minste één van een ioni-sche surfactant en een niet-ionische surfactant bevat. De reinigingsstappen 320 en/of 314 kunnen worden uitgevoerd tus-30 sen elke belichting, of op een basis van naar behoefte. De reinigingsstappen 302 en/of 314 kunnen daarnaast of als alternatief worden uitgevoerd met regelmatige intervallen, zoals na een voorafbepaald aantal wafels verwerkt door de lens, een voorafbepaald aantal cycli van vullen en leeghalen van de 35 houder van de immersievloeistof, of een voorafbepaald aantal belichtingen met de lens. De reinigingsstappen 302 en/of 314 kunnen daarnaast of als alternatief worden uitgevoerd wanneer een meting, karakteristiek, aspect of waarde gemeten door de • l- 11 sensor een voorafbepaalde drempel overschrijdt, onder een voorafbepaalde drempel daalt, of anderszins voldoet aan een voorafbepaalde voorwaarde.
Aldus introduceert de onderhavige openbaarmakingen 5 een inrichting dat een immersiebelichtingsinrichting is of omvat, met ten minste in één uitvoeringsvorm een wafeltafel, een houder voor immersievloeistof (bijv. gedemineraliseerd water), een sensor en een lens, naast andere mogelijke componenten. Ten minste een deel van ten minste één van de wafel-10 tafel, de houder van immersievloeistof, de sensor, de lens en/of een andere component van de immersiebelichtingsinrichting is voorzien van een uitwendige coating geselecteerd uit de groep die bestaat uit: (i) siliciumdioxide; (ii) PTFE; (iii) fluoride; (iv) polyethyleen; (v) polyvinylchloride; 15 (vi) polymeren van ten minste één van deze materialen; (vii) legeringen van ten minste één van deze materialen; (viii) combinaties die ten minste één van deze materialen bevatten; en (ix) andere polymeren. Werkwijzen van het maken, vervaardigen, gebruiken, bedienen of reinigen van ten minste een 20 deel van dergelijke inrichtingen liggen ook binnen de reikwijdte van de onderhavige openbaarmaking.
Eén uitvoeringsvorm van een inrichting geconstrueerd volgens aspecten van de onderhavige openbaarmaking omvat een veelvoud van componenten die gezamenlijk werkzaam zijn of ge-25 schikt zijn om immersielithografie uit te voeren, waarbij het veelvoud van componenten één of meer omvat van een wafeltafel, een houder voor immersievloeistof (bijv. gedemineraliseerd water), een sensor, en een lens, naast andere mogelijke componenten. Ten minste een deel (bijv. één of meer opper-30 vlakken of gebieden daarvan) van ten minste één van het veelvoud van componenten is voorzien van een uitwendige coating geschikt om aanhechting van vervuiling te verminderen. Bijvoorbeeld kan de uitwendige coating de contacthoek vergroten van oppervlakken met de uitwendige coating, de mate verhogen 35 waarin oppervlakken met de uitwendige coating hydrofiel zijn, en/of de mate verminderen waarin de oppervlakken met de uitwendige coating hydrofoob zijn.
12 . K'
De onderhavige openbaarmaking introduceert ook een werkwijze die ten minste in één uitvoeringsvorm omvat het aanbrengen van een fotoresist (of resist)laag op een substraat, het belichten van de fotoresistlaag met gebruikmaking 5 van immersiebelichtingsapparatuur, het bakken van de belichte fotoresistlaag, en het ontwikkelen van de gebakken belichte fotoresistlaag. De immersiebelichtingsinrichting omvat een wafeltafel, een houder voor immersievloeistof (bijv. gedemi-neraliseerd water) een sensor en een lens. Ten minste een 10 deel van ten minste één van de wafeltafel, de houder van immersievloeistof, de sensor en de lens is voorzien van een uitwendige coating gekozen uit siliciumdioxide, PTFE, fluoride, polyethyleen, polyvinylchloride, polymeren van ten minste één van deze materialen, legeringen van ten minste één van 15 deze materialen, combinaties die ten minste één van deze materialen bevatten, en/of andere polymeren.
Uitvoeringsvormen van een dergelijke werkwijze kunnen worden uitgevoerd voor immersielithografie met verminderde defectenvervuiling. De werkwijze kan ook omvatten het rei-20 nigen van ten minste een deel van ten minste één van de wafeltafel, de houder van gedemineraliseerd water, de sensor, de lens en/of een andere component van de immersiebelichtingsinrichting. De onderhavige openbaarmaking verschaft ook uitvoeringsvormen van de inrichting die werkzaam of geschikt 25 zijn om ten minste een deel van ten minste één van de bovenstaande werkwijzen uit te voeren.
Eén of meer aspecten van één of meer uitvoeringsvormen of werkwijzen en/of inrichtingen binnen de reikwijdte van de onderhavige openbaarmaking kan de immersielenskamer vrij 30 maken van defectaanhechting, of verminderde defectaanhech-ting. Eén of meer van dergelijke aspecten kan daarnaast of als alternatief wederzijdse vervuiling verminderen tussen de lens, de resist, sensors, de tafel, en/of de houder van immersievloeistof. Eén of meer van dergelijke aspecten kan 35 daarnaast of als alternatief de frequentie en/of complexiteit van onderhoud van de inrichting verlagen. Eén of meer van dergelijke aspecten kan daarnaast, of als alternatief, het resistoppervlak vrij maken van defecten en/of watermerkver- 13 , lx vuiling, of defecten en/of watermerkvervuiling verminderen. Eén of meer van dergelijke aspecten kan daarnaast, of als alternatief, de wafelscansnelheid uitbreiden of vergroten, waardoor mogelijk de verwerkingscapaciteit kan worden verbe-5 terd. Eén of meer van dergelijke aspecten kan daarnaast of als alternatief flexibele loogspecificaties verminderen of vrijgeven. Eén of meer dergelijke aspecten kunnen daarnaast, of als alternatief, de behoefte voor TAR coating verminderen of opheffen, en/of TARC verwerking verminderen en daarmee 10 verbonden kosten en verwerkingscapaciteit.
Hoewel uitvoeringsvormen van de onderhavige openbaarmaking in detail zijn beschreven, zullen deskundigen begrijpen dat zij verschillende wijzigingen, substituties en veranderingen daarin kunnen aanbrengen zonder af te wijken va 15 de geest en reikwijdte van de onderhavige openbaarmaking.
1032092
Claims (21)
1. Werkwijze voor het uitvoeren van iimnersielith θ'-grafie, omvattend: het aanbrengen van een hydrofiele coating op één of meer oppervlakken van een immersielithografiesysteem, waarbij 5 de één of meer oppervlakken dienen voor het bevatten van een immersievloeistof; het verschaffen van de immersievloeistof aan het immersielithograf iesysteem; het uitvoeren van immersielithografie op een sub- 10 straat voorzien van een resistcoating met gebruikmaking van het immersielithografiesysteem met de één of meer oppervlakken voorzien van hydrofiele coating, waarbij de hydrofiele coating wordt geselecteerd uit de groep die bestaat uit: (i) siliciumdioxide; 15 (ii) polytetrafluoroëthyleen; (iii) fluoride; (iv) polyethyleen; (v) polyvinylchloride; (vi) polymeren van ten minste één van de materialen (i) - 20 (v) hierboven; (vii) legeringen van ten minste één van de materialen (i) - (v) hierboven; en (viii) combinaties die ten minste één van de materialen (i)-(v) hierboven bevatten.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het sub straat voorzien van een resist-coating een halfgeleider wafel is.
3. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij het imme r-sielithografiesysteem is voorzien van een wafeltafel, een 30 houder voor immersievloeistof; en een lens, en tenminste een deel van de houder voor immersievloeistof is voorzien van een hydrofiele coating.
4. Werkwijze volgens conclusie 3, waarbij elk van de wafeltafel, houder voor immersievloeistof, en lens zijn voor- 35 zien van een hydrofiele coating. 1032092
5. Werkwijze volgens conclusie 3, verder omvattend: het reinigen van tenminste een deel van ten minste één van de wafeltafel, houder voor immersievloeistof, en de lens van de immersiebelichtingsinrichting na het uitvoeren 5 van de immersielithografie.
6. Werkwijze volgens conclusie 3, verder omvattend: het reinigen van ten minste een deel van ten minste één van de wafeltafel, en de houder voor immersievloeistof, en de lens van de immersiebelichtingsinrichting wanneer een 10 waarde die wordt gemeten door een sensor een voorafbepaalde drempelwaarde overschrijdt.
7. Werkwijze volgens conclusie 3, verder omvattend: het reinigen van tenminste een deel van ten minste één van de wafeltafel, de immersievloeistofhouder, en de lens 15 van de immersiebelichtingsinrichting met gebruikmaking van een chemische reinigingsoplossing en een surfactantoplossing.
8. Werkwijze volgens conclusie 7, waarbij de chemische reinigingsoplossing ten minste één omvat van ammonia, waterstofperoxide, ozon, zwavelzuur, en samenstellingen daa r- 20 van.
9. Werkwijze volgens conclusie 7, waarbij de surfactantoplossing ten minste één omvat van een ionische surfa c-tant en een niet-ionische surfactant.
10. Immersielithografiesysteem omvattend: 25 een kamer voor het bevatten van immersievloeistof voorzien van een veelvoud van oppervlakken; een immersievloeistof gepositioneerd in de kamer voor het bevatten van immersievloeistof; een substraattafel gepositioneerd binnen de kamer 30 voor immersievloeistof; een lens; en een coating voor verminderde hechting van vervuiling aangebracht op één of meer van het veelvoud van oppervla kken, waarbij de coating voor verminderde hechting van vervuiling 35 wordt geselecteerd uit de groep die bestaat uit: (i) siliciumdioxide; (ii) polytetrafluoroëthyleen; (iii) fluoride; (iv) polyethyleen; (v) polyvinylchloride; (vi) polymeren van ten minste één van de materialen (i) - (v) hierboven; 5 (vii) legeringen van ten minste één van de materialen (i) - (v) hierboven; en (viii) combinaties die ten minste één van de materialen (i)-(v) hierboven bevatten.
11. Immersielithografiesysteem volgens conclusie 10, 10 waarbij de tafel voor het substraat geschikt is voor het houden van een halfgeleiderwafel gecoat met een resist.
12. Immersielithografiesysteem volgens conclusie 10, verder voorzien van: een coating voor verminderde hechting van vervuiling 15 aangebracht op ten minste een deel van de substraattafel.
13. Immersielithografiesysteem volgens conclusie 10, verder voorzien van: een coating voor verminderde hechting van vervuiling aangebracht op ten minste een deel van de lens.
14. Immersielithografiesysteem volgens conclusie 10, verder voorzien van: een mechanisme voor het verschaffen van een reini-gingsoplossing aan de kamer voor het bevatten van immersie-vloeistof.
15. Immersielithografiesysteem volgens conclusie 14 verder voorzien van: een sensor voor het detecteren wanneer de rein i-gingsoplossing moet worden verschaft aan de kamer voor het bevatten van immersievloeistof.
16. Immersielithografiesysteem volgens conclusie 14, waarbij de reinigingsoplossing ten minste één bevat van ammonia, waterstofperoxide, ozon, zwavelzuur, en samenstellingen daarvan.
17. Immersielithografiesysteem volgens conclusie 14, 35 waarbij de reinigingsoplossing ten minste één bevat van een ionische surfactant en een niet-ionische surfactant.
18. Immersielithografiesysteem voorzien van: een immersievloeistofhouder voor het bevatten van een immersievloeistof; een tafel voor het positioneren van een halfgelei-derwafel voorzien van een resistcoating in de immersievloe i-stofhouder; 5 een sensor nabij de immersievloeistofhouder; en een lens nabij de immersievloeistofhouder en posit i-oneerbaar voor het projecteren van een beeld door de immersievloeistof en op de halfgeleider wafel voorzien van de re-sistcoating; 10 waarbij de immersievloeistofhouder is voorzien van een coating bedoeld voor het verminderen van hechting van vervuiling, van vervuilingen in de immersievloeistof , waarbij de coating bedoeld voor het verminderen van hechting van vervuiling, van vervuilingen in de immersievloeistof wordt ges e- 15 lecteerd uit de groep die bestaat uit: (i) siliciumdioxide; (ii) polytetrafluoroëthyleen; (iii) fluoride; (iv) polyethyleen; 20 (v) polyvinylchloride; (vi) polymeren van ten minste één van de materialen (i) - (v) hierboven; (vii) legeringen van ten minste één van de materialen (i) - (v) hierboven; en 25 (viii) combinaties die ten minste één van de materialen (i)-(v) hierboven bevatten..
19. Immersielithografiesysteem volgens conclusie 18, waarbij de coating een eigenschap omvat voor het verhogen van de bevochtigbaarheid van een oppervlak van de immersievloe i- 30 stofhouder dat zich nabij de immersievloeistof bevindt.
20. Inrichting omvattend: een veelvoud van componenten die gezamenlijk werkzaam zijn om immersielithografie uit te voeren, waarbij het veelvoud van componenten één of meer componenten omvat ges e- 35 lecteerd uit de groep die bestaat uit: een wafeltafel, een immersievloeistofhouder, een sensor, en een lens; waarbij tenminste een deel van ten minste één van het veelvoud van componenten van de immersiebelichtingsi n- richting is voorzien van een uitwendige coating bedoeld om een contacthoek te hebben groter dan ongeveer 50 graden.
21. Inrichting volgens conclusie 20, waarbij de coating is geselecteerd uit de groep die bestaat uit: 5 (i) siliciumdioxide; (ii) polytetrafluoroëthyleen; (iii) fluoride; (iv) polyethyleen; (v) polyvinylchloride; 10 (vi) polymeren van ten minste één van de materialen (i) - (v) hierboven; (vii) legeringen van ten minste één van de materialen (i)- (v) hierboven; en (viii) combinaties die ten minste één van de materialen 15 (i)-(v) hierboven bevatten. 1 032 092
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US69582505P | 2005-06-30 | 2005-06-30 | |
US69582505 | 2005-06-30 | ||
US11/280,162 US20070004182A1 (en) | 2005-06-30 | 2005-11-16 | Methods and system for inhibiting immersion lithography defect formation |
US28016205 | 2005-11-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL1032092A1 NL1032092A1 (nl) | 2007-01-04 |
NL1032092C2 true NL1032092C2 (nl) | 2007-10-25 |
Family
ID=37590153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL1032092A NL1032092C2 (nl) | 2005-06-30 | 2006-06-29 | Werkwijzen en systeem voor het onderdrukken van defectvorming bij immersielithografie. |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070004182A1 (nl) |
JP (1) | JP2007013161A (nl) |
KR (1) | KR100801161B1 (nl) |
CN (1) | CN102331686A (nl) |
DE (1) | DE102006029720A1 (nl) |
FR (1) | FR2891065B1 (nl) |
IL (1) | IL176566A0 (nl) |
NL (1) | NL1032092C2 (nl) |
SG (1) | SG128552A1 (nl) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007235112A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-09-13 | Canon Inc | 露光装置及びデバイス製造方法 |
CN101416076A (zh) * | 2006-04-03 | 2009-04-22 | 株式会社尼康 | 对浸没液体为疏溶的入射表面和光学窗 |
US7903232B2 (en) * | 2006-04-12 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP5645406B2 (ja) * | 2006-09-12 | 2014-12-24 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | 浸漬リソグラフィーのための疎水性被膜を有する光学的配置、ならびにそれを具える投影露光器機 |
WO2008108253A2 (en) * | 2007-02-23 | 2008-09-12 | Nikon Corporation | Exposing method, exposure apparatus, device fabricating method, and substrate for immersion exposure |
US7841352B2 (en) * | 2007-05-04 | 2010-11-30 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US7561250B2 (en) * | 2007-06-19 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having parts with a coated film adhered thereto |
US20090014030A1 (en) * | 2007-07-09 | 2009-01-15 | Asml Netherlands B.V. | Substrates and methods of using those substrates |
US7916269B2 (en) | 2007-07-24 | 2011-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method |
US20090025753A1 (en) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic Apparatus And Contamination Removal Or Prevention Method |
NL1035757A1 (nl) * | 2007-08-02 | 2009-02-03 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US9418904B2 (en) | 2011-11-14 | 2016-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Localized CMP to improve wafer planarization |
US10065288B2 (en) | 2012-02-14 | 2018-09-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing (CMP) platform for local profile control |
CN110597021B (zh) * | 2019-09-20 | 2021-04-23 | 上海华力微电子有限公司 | 浸没式光刻工艺中晶圆表面残水缺陷的改善方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005017625A2 (en) * | 2003-08-11 | 2005-02-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US20050078286A1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005150734A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
WO2001068256A2 (en) * | 2000-03-16 | 2001-09-20 | Sri International | Microlaboratory devices and methods |
US6867884B1 (en) * | 2000-07-07 | 2005-03-15 | Kodak Polychrome Graphics, Llc | Halftone dot placement for multi-color images |
JP3886712B2 (ja) * | 2000-09-08 | 2007-02-28 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
EP1586386A4 (en) * | 2002-12-03 | 2010-04-21 | Nikon Corp | METHOD AND DEVICE FOR REMOVING CONTAMINATION AND EXPOSURE METHOD AND DEVICE |
JP4595320B2 (ja) * | 2002-12-10 | 2010-12-08 | 株式会社ニコン | 露光装置、及びデバイス製造方法 |
KR101101737B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
US6809794B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
EP1491956B1 (en) * | 2003-06-27 | 2006-09-06 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7924397B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
WO2005055296A1 (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-16 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法、並びに光学部品 |
KR101941351B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2019-01-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법 |
US20050208539A1 (en) * | 2003-12-31 | 2005-09-22 | Vann Charles S | Quantitative amplification and detection of small numbers of target polynucleotides |
US7145641B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-12-05 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
DE102004018659A1 (de) * | 2004-04-13 | 2005-11-03 | Carl Zeiss Smt Ag | Abschlussmodul für eine optische Anordnung |
US20050260503A1 (en) * | 2004-05-20 | 2005-11-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Reticle film stabilizing method |
US7880860B2 (en) * | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7450217B2 (en) * | 2005-01-12 | 2008-11-11 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
WO2006078292A1 (en) * | 2005-01-21 | 2006-07-27 | Nikon Corporation | Offset partial ring seal in immersion lithographic system |
US7317507B2 (en) * | 2005-05-03 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2007129753A1 (ja) * | 2006-05-10 | 2007-11-15 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
-
2005
- 2005-11-16 US US11/280,162 patent/US20070004182A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-05-02 SG SG200602938A patent/SG128552A1/en unknown
- 2006-06-26 IL IL176566A patent/IL176566A0/en active IP Right Grant
- 2006-06-27 FR FR0605774A patent/FR2891065B1/fr active Active
- 2006-06-28 DE DE102006029720A patent/DE102006029720A1/de not_active Ceased
- 2006-06-28 JP JP2006177947A patent/JP2007013161A/ja active Pending
- 2006-06-29 NL NL1032092A patent/NL1032092C2/nl active Search and Examination
- 2006-06-30 KR KR1020060060878A patent/KR100801161B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-30 CN CN2011102912889A patent/CN102331686A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005017625A2 (en) * | 2003-08-11 | 2005-02-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US20050078286A1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005150734A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
US20050175776A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-08-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007013161A (ja) | 2007-01-18 |
KR20070003689A (ko) | 2007-01-05 |
DE102006029720A1 (de) | 2007-06-06 |
CN102331686A (zh) | 2012-01-25 |
FR2891065A1 (fr) | 2007-03-23 |
SG128552A1 (en) | 2007-01-30 |
KR100801161B1 (ko) | 2008-02-11 |
FR2891065B1 (fr) | 2014-05-02 |
IL176566A0 (en) | 2006-10-31 |
US20070004182A1 (en) | 2007-01-04 |
NL1032092A1 (nl) | 2007-01-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL1032092C2 (nl) | Werkwijzen en systeem voor het onderdrukken van defectvorming bij immersielithografie. | |
NL1032068C2 (nl) | Reductie van defecten bij immersielithografie. 1810 | |
US8895234B2 (en) | Immersion lithography watermark reduction | |
TWI334161B (en) | A method of processing a semiconductor wafer, immersion lithography and edge-bead removal system | |
Wei et al. | Advanced processes for 193-nm immersion lithography | |
CN102054721B (zh) | 检测半导体晶圆表面涂层的涂布情况的方法及装置 | |
JP2006520104A5 (nl) | ||
JP2007088328A (ja) | 液浸型露光装置の洗浄方法 | |
JP2016500202A (ja) | 基板から物質を除去するための方法 | |
TW201243909A (en) | Method for manufacturing integrated circuit devices, optical devices, micromachines and mechanical precision devices having patterned material layers with line-space dimensions of 50 nm and less | |
US6818387B2 (en) | Method of forming a pattern | |
JP4531726B2 (ja) | 微細化されたレジストパターンの形成方法 | |
US7732123B2 (en) | Immersion photolithography with megasonic rinse | |
JP2004505319A (ja) | 微細電子デバイスの製造方法 | |
US6929904B2 (en) | Positive tone lithography with carbon dioxide development systems | |
JP4167642B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
CN112420487A (zh) | 清洗方法、半导体制造方法及其系统 | |
JPH11288877A (ja) | レジストパターンの形成方法及び微細加工方法 | |
JP3115647B2 (ja) | 現像液及び現像方法 | |
Streefkerk et al. | A dive into clear water: immersion defect capabilities | |
JPH05303207A (ja) | リソグラフィ用現像液及びリソグラフィ工程 | |
Krishna et al. | Integrated yield and CD enhancement for advanced DUV lithography | |
JP3969085B2 (ja) | 微細構造部を有する被洗浄体の洗浄方法と洗浄装置 | |
Hertlein | Practical photolithography for modern semiconductor production | |
JP2011071170A (ja) | パターン形成方法及びパターン形成装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AD1A | A request for search or an international type search has been filed | ||
RD2N | Patents in respect of which a decision has been taken or a report has been made (novelty report) |
Effective date: 20070824 |
|
PD2B | A search report has been drawn up |