MXPA05009421A - Metodo y sistema para sellar un sustrato. - Google Patents

Abstract

Un metodo para sellar un dispositivo 76 de sistema microelectromecanico (MEMS) de condiciones ambiente se describe, en donde el dispositivo 76 de MEMS se forma en un sustrato 72 y una sello 78 sustancialmente hermetico se forma como parte del proceso de fabricacion del dispositivo de MEMS. El metodo comprende formar un sello 78 de metal en el sustrato proximo a un perimetro del dispositivo 76 de MEMS utilizando un metodo tal como fotolitografia. El sello 78 de metal se forma en el sustrato mientras el dispositivo 76 de MEMS retiene una capa de sacrificio entre los miembros conductivos de los elementos de MEMS, y la capa de sacrificio se remueve despues de la formacion del sello y antes de la union de una placa base 74.

Description

MÉTODO Y SISTEMA PARA SELLAR UN SUSTRATO Campo de la Invención El campo de la invención se refiere a sistemas microelectromecánicos (MEMS), y más particularmente a un método para sellar un dispositivo de MEMS de condiciones ambiente .

Antecedentes de la Invención Los sistemas microelectromecánicos (MEMS) incluyen elementos micromecánicos, activadores, y electrónicos. Los elementos micromecánicos pueden crearse utilizando electrodeposición, grabado al agua fuerte, y/u otros procesos micromecánicos que graban al agua fuerte las partes de sustratos y/o las capas de material depositado o que agregan capas para formar dispositivos eléctricos y electromecánicos. Un tipo de dispositivo de MEMS se llama modulador interferométrico . Un modulador interferométrico puede comprender un par de placas conductivas, una o ambas de las cuales pueden ser transparentes y/o reflectivas en todo o parte y con capacidad de movimiento relativo con la aplicación de una señal eléctrica apropiada. Una placa puede comprender una capa estacionaria depositada en un sustrato, la otra placa puede comprender una membrana metálica separada de la capa estacionaria por un entrehierro. Tales dispositivos tienen un amplio margen de aplicaciones, y pueden ser benéficos en la técnica para utilizar y/o modificar las características de estos tipos de dispositivos de manera que sus características puedan explotarse para mejorar productos existentes y crear nuevos productos que aún no se han desarrollado.

Sumario de la Invención El sistema, método, y dispositivos de la invención, tienen cada uno varios aspectos, ninguno de los cuales es solamente responsable por sus atributos deseables. Sin limitar el alcance de esta invención, sus características más prominentes ahora se discutirán brevemente. Después de considerar esta discusión, y particularmente después de leer la sección titulada "Descripción Detallada de Ciertas Modalidades" uno entenderá cómo las características de esta invención proporcionan ventajas sobre otros dispositivos de visualización . Una modalidad de un método para sellar un dispositivo de sistema microelectromecánico (MEMS) de las condiciones ambiente comprende formar un sello sustancialmente metálico en un sustrato que comprende un dispositivo de MEMS, y unir una placa base al sello metálico para sellar el dispositivo de MEMS de las condiciones ambiente. Formar el sello sustancialmente metálico puede comprender conformar una capa aislante en el sustrato, y conformar una pared selladora metálica en la capa aislante, y el método además puede comprender conformar una capa adhesiva en el sello metálico para la unión a la placa base. En algunas modalidades, unir la placa base comprende soldadura . Otra modalidad de un método para sellar un dispositivo de MEMS de las condiciones ambiente comprende conformar un dispositivo de MEMS .en un sustrato, en donde el dispositivo de MEMS comprende una capa de sacrificio, depositar una capa aislante sobre el dispositivo de MEMS y el sustrato, depositar una o más capas metálicas sobre la capa del aislante, y conformar una máscara con una o más cavidades sobre una o más capas metálicas, en donde las cavidades definen un perímetro alrededor del dispositivo de MEMS . El método además comprende formar una o más capas de sello metálico en una o más cavidades en la máscara, conformar con esto un sello sustancialmente hermético próximo al perímetro del dispositivo de MEMS, remover la capa de máscaras, una o más capas de metal, y la capa aislante para formar una pared selladora alrededor del perímetro del dispositivo de MEMS, remover la capa de sacrificio del dispositivo de MEMS, y unir una placa base a la pared selladora para sellar el dispositivo de MEMS de las condiciones ambiente. En algunas modalidades, conformar una o más capas de sello metálico comprende electrodepositar sobre la capa de la máscara. En ciertas modalidades, la máscara comprende película fotoresisti a, en donde la conformación de la máscara comprende el uso de luz UV. El método además puede comprender conformar una o más capas de metal de adhesión sobre una o más capas de sello de metal, en donde una o más capas de metal de adhesión se configuran para la unión a la placa base. Una o más capas de adhesión pueden comprender una soldadura, por ejemplo . En algunas modalidades, una o más capas de metal depositadas sobre la capa aislante comprenden por lo menos una de una capa de pepita de metal y una capa de adhesión. En algunas modalidades, la placa base comprende una capa de adhesión pre-depositada configurada para adherirse a la pared selladora. Unir la placa base a la pared selladora puede comprender soldadura, y la placa base puede comprender una capa de adhesión y una capa de soldadura próxima a un área para la unión a la pared selladora, en donde la capa de adhesión comprende metal, por ejemplo. Aún otra modalidad de un método para empacar un dispositivo de MEMS comprende depositar un aislante sobre de un dispositivo de MEMS formado en un sustrato, en donde el dispositivo de MEMS incluye una capa de sacrificio, depositar una o más capas de metal sobre el aislante, y conformar la máscara con una o más cavidades sobre la capa de metal . El método además comprende conformar una o más capas de sello de . metal en una o más cavidades, formando con esto, un sello sustancialmente hermético próximo a un perímetro del dispositivo de MEMS, removiendo la capa de máscara, una o más capas de metal, y la capa aislante, remover la capa de sacrificio del dispositivo de MEMS, y colocar una placa base en contacto con el sello para sellar el dispositivo de MEMS de las condiciones ambiente. En algunas modalidades, conformar una o más capas de sello de metal comprende electrodepositar una capa de máscara, y la máscara puede comprender película fotoresistiva, en donde la conformación de la máscara comprende el uso de luz UV. El método además puede comprender conformar una o más capas de metal de adhesión sobre una o más capas de sello de metal en donde una o más capas de metal de adhesión se configuran para la unión a la placa base, y una o más capas de adhesión pueden comprender una soldadura, por ejemplo. Una o más capas de metal depositadas sobre la capa aislante pueden comprender por lo menos una de una capa de pepita de metal y una capa de adhesión, y la placa base puede comprender una capa de adhesión pre-depositada configurada para adherirse a la pared selladora. En algunas modalidades, unir la placa base a la pared selladora comprende soldadura. La placa base puede comprender una capa de adhesión y una capa de soldadura próxima a un área para la unión a la pared selladora, y la capa de adhesión puede comprender metal, por ejemplo. Una modalidad de un sistema para sellar un dispositivo de MEMS de las condiciones ambiente comprende un dispositivo de MEMS formado en un sustrato, medios para proporcionar un sello sustancialmente de metal en el sustrato y próximo a un perímetro del dispositivo de MEMS, conformar con esto un sello sustancialmente hermético próximo a un perímetro del dispositivo de MEMS, y una placa base en contacto con el sello sustancialmente de metal, encapsulando con esto el dispositivo de MEMS dentro del sustrato, el sello sustancialmente de metal, y la placa base. El sistema además puede comprender medios para conformar una o más capas de metal de adhesión sobre una o más capas de sello de metal, en donde una o más capas de metal de adhesión se configuran para la unión a una placa base. Una o más capas de adhesión pueden comprender una soldadura, por ejemplo. Además, el sello de metal puede comprender por lo menos una de una capa de pepita de metal y una capa de adhesión. En ciertas modalidades, el sistema además comprende medios para unir la placa base al sello de metal . El medio para unir la placa base puede comprender una capa de adhesión predepositada para adherirse al sello de metal. El medio para unir la placa base puede comprender una soldadura. En algunas modalidades, el medio para unir la placa base comprende una capa de adhesión y una capa de soldadura en la placa base próxima a un área, para la unión al sello de metal, y la capa de adhesión puede comprender metal, por ejemplo. Una modalidad de un dispositivo de EMS sellado de las condiciones ambiente comprende un dispositivo de MEMS formado en un sustrato, un sello sustancialmente de metal formado en el sustrato próximo a un perímetro del dispositivo de MEMS, y una placa base en contacto con el sello sustancialmente de metal, encapsulando con esto un dispositivo de MEMS dentro del sustrato, el sello sustancialmente de metal y la placa base.

Breve Descripción de los Dibujos La Figura 1 es una vista isométrica que representa una porción de una modalidad de un visualizador de moduladores interferométricos en la cual una capa reflectiva móvil de un primer modulador interferométrico está en una posición liberada y una capa reflectiva móvil de un segundo modulador interferométrico está en una posición activada. La Figura 2 es un diagrama de bloque del sistema que ilustra una modalidad de un dispositivo electrónico que incorpora un visualizador de moduladores interferométricos de 3x3. La Figura 3 es un diagrama de una posición de espejo movible versus voltaje aplicado para una modalidad ejemplar de un modulador interferométrico de la Figura 1. La Figura 4 es una ilustración de un conjunto de voltajes de filas y columnas que puede utilizarse para accionar un visualizador de moduladores interferométricos . La Figura 5? ilustra una trama ejemplar de los datos de visualización en el visualizador de moduladores interferométricos de 3x3 de la Figura 2. La Figura 5B ilustra un diagrama de tiempos ejemplar para señales de filas y columnas que pueden utilizarse para escribir la trama de la Figura 5A. La Figura 6A es una sección transversal del dispositivo de la Figura 1. La Figura 6B es una sección transversal de una modalidad alternativa de un modulador interferométrico.

La Figura 6C es una sección transversal de otra modalidad alternativa de un modulador interferométrico . La Figura 7? es una vista en corte transversal de una estructura de paquete básica para un dispositivo de moduladores interferométricos . La Figura 7B es una vista isométrica de la estructura de paquete de la Figura 7? con un sello de metal . Las Figuras 8A-E son vistas en corte transversal que ilustran etapas progresivas de una modalidad de un método para conformar un sello de metal y empacar un dispositivo de MEMS. La Figura 9 es un diagrama de flujo que ilustra una modalidad de un método para conformar un sello de metal laminado para una estructura de paquete de MEMS. Las Figuras 10A y 10B son diagramas de bloque de sistema que ilustran una modalidad de un dispositivo de visualización visual que comprende una pluralidad de moduladores interferométricos .

Descripción Detallada de la Invención Una modalidad de la invención es un paquete de dispositivo basado en MEMS que comprende un dispositivo de MEMS en un sustrato, en donde un sello se coloca próximo a un perímetro del dispositivo de MEMS y una placa base se une al sello para crear una cavidad para encapsular el dispositivo de MEMS. El sello de preferencia comprende una o más capas de metal aisladas del sustrato, en donde el sello se configura para evitar que la humedad entre al paquete . La siguiente descripción detallada se dirige a ciertas modalidades específicas de la invención. Sin embargo, la invención puede representarse en una multitud de diferentes formas. En esta descripción, se hace referencia a los dibujos en donde partes similares se designan con números similares a través de las mismas. Como será aparente a partir de la siguiente descripción, la invención puede implementarse en cualquier dispositivo que se configure para desplegar una imagen, ya sea en movimiento (por ejemplo, video) o estacionaria (por ejemplo, imagen fija), y ya sea con texto o con imágenes. Más particul rmente, se contempla que la invención puede implementarse en o asociarse con una variedad de dispositivos electrónicos tales como, pero no limitados a, teléfonos móviles, dispositivos inalámbricos, asistentes de datos personales (los PDA) , computadoras de bolsillo o portátiles, receptores/navegadores de GPS, cámaras, reproductores de MP3, videocámaras, consolas de juegos, relojes de muñeca, relojes, calculadoras, monitores de televisión, pantallas de panel plano, monitores de computadora, autovisualizadores (por ejemplo, visualizador de odómetro, etc.), controles y/o visualizadores de cabina, visualización de las vistas de la cámara (por ejemplo, visualización de una cámara de vista posterior en un vehículo), fotografías electrónicas, anuncios o señales electrónicos, proyectores, estructuras arquitectónicas, empaque, y estructuras estéticas (por ejemplo, visualización de imágenes en una pieza de joyería) . Los dispositivos de MEMS de estructura similar a aquellos descritos en la presente también pueden utilizarse en aplicaciones sin visualización tales como dispositivos de conmutación electrónica. Una modalidad del visualizador de moduladores interferométricos que comprende un elemento de visualización de MEMS interferométrico se ilustra en la Figura 1. En estos dispositivos, los píxeles están ya sea en un estado luminoso u oscuro. En el estado luminoso ("encendido" o "abierto") el elemento de visualización refleja una porción grande de luz visible incidente para un usuario. Cuando está en el estado oscuro ("apagado" o "cerrado") , el elemento de visualización refleja poca luz visible incidente al usuario. Dependiendo de la modalidad, las propiedades de la reflectancia de luz de los estados "encendido" y "apagado" pueden invertirse. Los píxeles de MEMS pueden configurarse para reflejar predominantemente colores seleccionados, permitiendo una visualización en color además de blanco y negro . La Figura 1 es una vista isométrica que representa dos pixeles adyacentes en una serie de pixeles de una visualización visual, en donde cada pixel comprende un modulador interferométrico de EMS . En algunas modalidades, un visualizador de moduladores interferométricos comprende una disposición de filas/columnas de estos moduladores interferométricos . Cada modulador interferométrico incluye un par de capas reflectivas colocadas a una distancia variable y controlable entre si para formar una cavidad óptica resonante con por lo menos una dimensión variable. En una modalidad, una de las capas reflectivas puede moverse entre dos posiciones. En la primera posición, referida en la presente como el estado liberado, la capa móvil se coloca a una distancia relativamente larga desde una capa parcialmente reflectiva fija. En la segunda posición, la capa móvil se coloca más estrechamente adyacente a la capa parcialmente reflectiva. La luz incidente que se refleja de las dos capas interfiere constructiva o destructivamente dependiendo de la posición de la capa reflectiva móvil, produciendo ya sea un estado general reflectivo o no reflectivo para cada pixel . La porción representada de la disposición de píxeles en la Figura 1 incluye dos moduladores 12a y 12b interferométricos adyacentes. En el modulador 12a interferométrico a la izquierda, una capa 14a móvil y altamente reflectiva se ilustra en una posición liberada a una distancia predeterminada desde una capa 16a parcialmente reflectiva fija. En el modulador 12b interferométrico a la derecha, la capa 14b altamente reflectiva móvil se ilustra en una posición activada adyacente a la capa 16b parcialmente reflectiva fija. Las capas 16a, 16b fijas son eléctricamente conductivas, parcialmente transparentes y parcialmente reflectivas, y pueden fabricarse, por ejemplo, al depositar una o más capas cada una de cromo y óxido de estaño-indio en un sustrato 20 transparente. Las capas se diseñan en tiras paralelas, y pueden formar electrodos en filas en un dispositivo de visualización como se describe además en lo siguiente. Las capas 14a, 14b móviles pueden formarse como una serie de tiras paralelas de una capa metálica depositada, o capas (ortogonal a los electrodos 16a, 16b en filas) depositadas en la parte superior de los postes 18 y un material de sacrificio intermedio depositado entre los postes 18. Cuando el material de sacrificio se graba al agua fuerte, las capas metálicas deformables se separan de las capas metálicas fijas mediante un entrehierro 19 definido. Un material altamente conductivo y reflectivo tal como aluminio puede utilizarse para las capas deformables, y estas tiras pueden formar electrodos de columnas en un dispositivo de visualización. Sin voltaje aplicado, la cavidad 19 permanece entre las capas 14a, 16a y la capa deformable está en un estado mecánicamente relajado como se ilustra por el pixel 12a en la Figura 1. Sin embargo, cuando se aplica una diferencia de potencial a una fila y columna seleccionada, el condensador formado en la intersección de los electrodos de filas y columnas en el pixel correspondiente se carga, y las fuerzas electrostáticas jalan juntas los electrodos. Si el voltaje es demasiado elevado, la capa móvil se deforma y se fuerza contra la capa fija (un material dieléctrico el cual no se ilustra en esta Figura puede depositarse en la capa fija para evitar corto circuito y controlar la distancia de separación) como se ilustra por el pixel 12b a la derecha en la Figura 1. El desempeño es el mismo independientemente de la polaridad de la diferencia de potencial aplicada. De esta forma, la activación de filas/columnas que pueden controlar los estados de pixeles reflectivos versus no reflectivos es análoga en muchas formas a aquellas utilizadas en LCD convencional y otras tecnologías de visualización. Las Figuras 2 a 5B ilustran un proceso ejemplar y sistema para utilizar una disposición de moduladores interfere-métricos en una aplicación de visualización. La Figura 2 es un diagrama de bloque del sistema que ilustra una modalidad de un dispositivo electrónico que puede incorporar aspectos de la invención. En la modalidad ejemplar, el dispositivo electrónico incluye un procesador 21 el cual puede ser cualquier microprocesador de propósito general de uno o varios chips tal como un ARM, Pentium®, Pentium II®, Pentium III®, Pentium IV®, Pentium® Pro, un 8051, un MIPS®, un Power PC®, un ALPHA®, o cualquier microprocesador de propósito especial tal como un procesador digital de señales, microcontrolador, o una disposición de puerta programable. Como es convencional en la técnica, el procesador 21 puede configurarse para ejecutar uno o más módulos de software. Además de ejecutar un sistema operativo, el procesador puede configurarse para ejecutar una o más aplicaciones de software, incluyendo un navegador de red, una aplicación telefónica, un programa de correo electrónico, o cualquier otra aplicación de software . En una modalidad, el procesador 21 también se configura para comunicarse con un controlador 22 de disposición. En una modalidad, el controlador 22 de disposición incluye un circuito 24 excitador de filas y un circuito 26 excitador de columnas que proporciona señales a una disposición 30 de pixeles. La sección transversal de la disposición ilustrada en la Figura 1 se muestra por las lineas 1-1 en la Figura 2. Para moduladores interferométricos de MEMS, el protocolo de activación de filas/columnas puede tomar ventaja de una propiedad de histéresis de estos dispositivos ilustrados en la Figura 3. Puede requerir, por ejemplo, una diferencia de potencial de 10 voltios para provocar que una capa móvil se deforme del estado liberado al estado activado. Sin embargo, cuando el voltaje se reduce de ese valor, la capa móvil mantiene su estado cuando el voltaje cae nuevamente por debajo de 10 voltios. En la modalidad ejemplar de la Figura 3, la capa móvil no se libera completamente hasta que el voltaje cae por debajo de 2 voltios. De este modo existe un margen de voltaje, aproximadamente de 3 a 7 V en el ejemplo ilustrado en la Figura 3, donde existe una ventana de voltaje aplicado dentro de la cual el dispositivo es estable ya sea en el estado liberado o activado. Éste se refiere en la presente como la "ventana de histéresis" o "ventana de estabilidad". Para una disposición de visualización que tiene las características de histéresis de la Figura 3, el protocolo de activación de filas/columnas puede diseñarse de manera que durante la estroboscopía de filas, los pixeles en la fila estroboscópica que van a activarse se exponen a una diferencia de voltaje de aproximadamente 10 voltios, y los pixeles que van a liberarse se exponen a una diferencia de voltaje de casi cero voltios. Después de la estroboscopia, los pixeles se exponen a una diferencia de voltaje de estado estable de aproximadamente 5 voltios de manera que permanecen en cualquier estado en que los ponga la estroboscopia de filas. Después de escribirse, cada píxel ve una diferencia de potencial dentro de la 'Ventana de estabilidad" de 3-7 voltios en este ejemplo. Esta característica hace al diseño de los pixeles ilustrado en la Figura 1 estable bajo las mismas condiciones de voltaje aplicado ya sea en un estado pre-existente activado o liberado. Puesto que cada píxel del modulador interferométrico, ya sea en el estado activado o liberado, es esencialmente un condensador formado por las capas reflectivas fija y móvil, este estado estable puede mantenerse en un voltaje dentro de la ventana de histéresxs con casi ninguna disipación de energía. Esencialmente ninguna corriente fluye en el píxel si el potencial aplicado es fijo. En aplicaciones típicas, una trama de visualización puede crearse al asegurar el conjunto de electrodos en columnas de acuerdo con el conjunto deseado de pixeles activados en la primera fila. Un impulso de filas entonces se aplica al electrodo de fila 1, activando los pixeles que corresponden a las líneas de columnas aseguradas. El conjunto asegurado de electrodos en columnas IB entonces se cambia para corresponder al conjunto deseado de pixeles activados en la segunda fila. Un impulso entonces se aplica al electrodo de fila 2, activando los pixeles apropiados en la fila 2 de acuerdo con los electrodos de columnas asegurados. Los pixeles de fila 1 no son afectados por el impulso de fila .2, y permanecen en el estado en que se establecieron durante el impulso de fila 1. Esto puede repetirse para toda la serie de filas en una forma secuencial para producir la trama. Generalmente, las tramas son renovadas y/o actualizadas con nuevos datos de visualización al repetir continuamente este proceso en el mismo número deseado de tramas por segundo. Una amplia variedad de protocolos para accionar electrodos de filas y columnas de disposiciones de pixeles para producir tramas de visualización también se conocen bien y pueden utilizarse junto con la presente invención. Las Figuras 4, 5A y 5B ilustran un protocolo de activación posible para crear una trama de visualización en la disposición de 3x3 de la Figura 2. La Figura 4 ilustra un conjunto posible de niveles de voltaje de columnas y filas que puede utilizarse para pixeles que muestran las curvas de histéresis de la Figura 3. En la modalidad de la Figura 4, la activación de un pixel involucra establecer la columna apropiada en -Vbias, y la fila apropiada en +??, la cual puede corresponder a -5 voltios y +5 voltios respectivamente. Liberar el pixel se logra al establecer la columna apropiada en +Vbias, y la fila apropiada en la misma +ÁV, produciendo una diferencia de potencial de cero voltios a través del pixel. En estas filas donde el voltaje de fila se mantiene en cero voltios, los píxeles son estables en cualquier estado en que originalmente estuvieron, independientemente de si la columna está en +Vbias, o -Vbias . La Figura 5B es un diagrama de tiempos que muestra una serie de señales de filas y columnas aplicadas a la disposición de 3x3 de la Figura 2 la cual resultará en la disposición de visualización ilustrada en la Figura 5?, donde los pixeles activados no son reflectivos . Antes de escribir la trama ilustrada en la Figura 5A, los pixeles pueden estar en cualquier estado, y en este ejemplo, todas las filas están en 0 voltios, y todas las columnas están en +5 voltios. Con estos voltajes aplicados, todos los pixeles son estables en sus estados existentes activados o liberados . En la trama de la Figura 5A, los pixeles (1,1), (1,2), (2,2), (3,2) y (3,3) se activan. Para lograr esto, durante un "tiempo de linea" para la fila 1, las columnas 1 y 2 se establecen en -5 voltios, y la columna 3 se establece en +5 voltios. Esto no cambia el estado de ningún pixel, debido a que todos los pixeles permanecen en la ventana de estabilidad de 3-7 voltios. La fila 1 entonces es estroboscópica con un impulso que va de 0 hasta 5 voltios, y nuevamente a cero. Esto activa los pixeles (1,1) y (1,2) y libera el pixel (1,3). Ningún otro de los pixeles en la disposición se afecta. Para establecer la fila 2 como se desea, la columna 2 se establece en -5 voltios, y las columnas 1 y 3 se establecen en +5 voltios. La misma estroboscopía aplicada a la fila 2 entonces activará el pixel (2,2) y liberará los pixeles (2,1) y (2,3). Nuevamente, ningún otro de los pixeles en la disposición se afecta. La fila 3 se establece similarmente al establecer las columnas 2 y 3 en -5 voltios, y la columna 1 en +5 voltios. La estroboscopía de la fila 3 establece los pixeles de la fila 3 como se muestra en la Figura 5A. Después de escribir la trama, los potenciales de las filas son cero, y los potenciales de las" columnas pueden permanecer en cualquiera de +5 o -5 voltios, y la visualización entonces es estable en la disposición de la Figura 5A. Se apreciará que el mismo procedimiento puede emplearse para disposiciones de docenas o cientos de filas y columnas. También se apreciará que el tiempo, secuencia y niveles de voltaje utilizados para realizar activación de filas y columnas pueden variarse ampliamente dentro de los principios generales representados en lo anterior, y el ejemplo anterior es ejemplar solamente, y cualquier método de voltaje de activación puede utilizarse con la presente invención. Los detalles de la estructura de los moduladores interferométricos que operan de acuerdo con los principios establecidos en lo anterior pueden variar ampliamente. Por ejemplo, las Figura 6A-6C ilustran tres diferentes modalidades de la estructura de espejo móvil. La Figura 6A es una sección transversal de la modalidad de la Figura 1, donde una tira de material 14 metálico se deposita en los soportes 18 que se extienden ortogonalmente . En la Figura 6B, el material 14 reflectivo móvil se une a los soportes en las esquinas solamente, sobre ataduras 32. En la Figura 6C, el material 14 reflectivo móvil se suspende de una capa 34 deformable. Esta modalidad tiene beneficios debido a que el diseño estructural y materiales utilizados para el material 14 reflectivo pueden optimizarse con respecto a las propiedades ópticas, y el diseño estructural y materiales utilizados para la capa 34 deformable pueden optimizarse con respecto a las propiedades mecánicas deseadas. La producción de varios tipos de dispositivos interferométricos se describen en una variedad de documentos publicados, que incluyen, por ejemplo, la Solicitud Publicada Norteamericana 2004/0051929. Una amplia variedad de técnicas bien conocidas puede utilizarse para producir las estructuras antes descritas involucrando una serie de etapas de electrodeposición, diseño y grabado al agua fuerte del material . Las partes móviles de un dispositivo de MEMS, tales como una disposición de moduladores interferométricos, de preferencia tienen un espacio protegido en el cual se mueven. Las técnicas de empacado para un dispositivo de MEMS se describirán en mayor detalle en lo siguiente . Un diagrama esquemático de una estructura de paquete básico para un dispositivo de MEMS, tal como una disposición de moduladores interferométricos, se ilustra en la Figura 7?. Como se muestra en la Figura 7A, una estructura 70 de paquete básico incluye un sustrato 72 y una cubierta o "tapa" 74 de placa base, en donde una disposición 76 de moduladores interferométricos se forma en el sustrato 72. Esta tapa 74 también se llama "placa base". El sustrato 72 y la placa 74 base se unen por un sello 78 para formar la estructura 70 de paquete, de manera que la disposición 76 de moduladores interferométricos se encapsula por el sustrato 72, la placa base 74, y el sello 78. Esto forma una cavidad 79 entre la placa base 74 y el sustrato 72. El sello 78 puede ser un sello no hermético, tal como un adhesivo a base de epoxi convencional. En otras modalidades, el sello 78 puede ser un poliisobutileno (algunas veces llamado caucho de butilo, y otras veces PIB) , anillos o, poliuretano, soldadura de metal de película delgada, vidrio líquido de conformación, soldadura, polímeros, o plásticos, entre otros tipos de sellos que pueden tener un margen de permeabilidad de vapor de agua de aproximadamente 0.2-4.7 g mm/m2kPa al día. En aún otras modalidades, el sello 78 puede ser un sello hermético. En algunas modalidades, la estructura 70 de paquete incluye un desecante 80 configurado para reducir la humedad dentro de la cavidad 79. El técnico experimentado apreciará que un desecante puede no ser necesario para un paquete herméticamente sellado, pero puede ser deseable para controlar la humedad permanente dentro del paquete. En una modalidad, el desecante 80 se coloca entre la disposición 76 de moduladores interferométricos y la placa base 74. Los desecantes pueden utilizarse para paquetes que tienen sellos herméticos o no herméticos. En paquetes que tienen un sello hermético, los desecantes se utilizan típicamente para controlar la humedad permanente dentro del interior del paquete. En paquetes que tienen un sello no hermético, un desecante puede utilizarse para controlar la humedad que se mueve en el paquete desde el ambiente. Generalmente, cualquier sustancia que pueda atrapar la humedad mientras no interfiera con las propiedades ópticas de la disposición de moduladores interferométricos puede utilizarse como el desecante 80. Materiales desecantes adecuados incluyen, pero no se limitan a zeolitas, tamices moleculares, adsorbentes superficiales, adsorbentes de volumen y reactivos químicos. El desecante 80 puede estar en diferentes formas, conformaciones y tamaños . Además de estar en una forma sólida, el desecante 80 puede estar alternativamente en forma de polvo. Estos polvos pueden insertarse directamente en el paquete o pueden mezclarse con un adhesivo para la aplicación. En una modalidad alternativa, el desecante 80 puede formarse en diferentes conformaciones, tales como cilindros u hojas, antes de aplicarse dentro del paquete. El técnico experimentado entenderá que el desecante 80 puede aplicarse en diferentes formas. En una modalidad, el desecante 80 se deposita como parte de la disposición 76 de moduladores interferométricos . En otra modalidad, el desecante 80 se aplica dentro del paquete 70 como un revestimiento por aspersión o inmersión. El sustrato 72 puede ser una sustancia semitransparente o transparente capaz de tener los dispositivos de MEMS de película delgada construidos sobre la misma. Tales sustancias transparentes incluyen, pero no se limitan a vidrio, plástico, y polímeros transparentes. La disposición 76 de moduladores interferométricos puede comprender moduladores de membranas o moduladores del tipo separable. El técnico experimentado apreciará que la placa base 74 puede formarse de cualquier material adecuado tal como vidrio, metal, lámina, polímero, plástico, cerámica, o materiales semiconductores (por ejemplo, silicio) . El proceso de empacado puede lograrse en una presión al vacío entre un vacio elevado e incluye presión ambiente, o presión más elevada que la presión ambiente. El proceso de empacado también puede lograrse en un ambiente de presión elevada o baja variada y controlada durante el proceso de sellado. Pueden existir ventajas para empacar la disposición 76 de moduladores interferométricos en un ambiente completamente seco, pero no es necesario. Similarmente, el ambiente de empacado puede ser de un gas inerte a condiciones ambiente. El empacado a condiciones ambiente permite un proceso de costo más bajo y más potencial para versatilidad en la elección de equipo debido a que el dispositivo puede transportarse a través de condiciones ambiente sin afectar la operación del dispositivo . Generalmente, es deseable minimizar la permeación del vapor de agua en la estructura del paquete y de este modo controlar el ambiente dentro de la estructura 70 de paquete y sellarlo herméticamente para asegurar que el ambiente permanezca constante. Cuando la humedad dentro del paquete excede un nivel más allá del cual la tensión superficial de la humedad se vuelve más elevada que la fuerza de restauración de un elemento móvil (no mostrada) en el modulador 10 interferométrico, el elemento móvil puede pegarse permanentemente a la superficie. Como se observa en lo anterior, un desecante puede utilizarse para controlar la humedad residente dentro de la estructura 70 de paquete. Sin embargo, la necesidad de un desecante puede reducirse o eliminarse con la implementación de un sello 78 hermético para evitar que la humedad viaje desde la atmósfera al interior de la estructura 70 de paquete. La reducción continua en las dimensiones del dispositivo de visualización restringe los métodos disponibles para manejar el ambiente dentro de la estructura 70 de paquete debido a que existe menos área para colocar un desecante 80 dentro de la estructura 70 de paquete. Aunque el área de una estructura de paquete susceptible a influjo de vapor de agua puede seguir siendo la misma o reducirse ligeramente cuando las estructuras de paquete se reducen en tamaño, el área disponible para un desecante se reduce dramáticamente en comparación. La eliminación de la necesidad de un desecante también permite que la estructura 70 de paquete sea más delgada, lo cual es deseable en algunas modalidades. Típicamente, en paquetes que contienen desecantes, la expectación de tiempo de vida del dispositivo empacado puede depender del tiempo de vida del desecante. Cuando el desecante se consume completamente, el dispositivo de moduladores interferométricos puede fallar cuando suficiente humedad entra a la estructura de paquete y daña en la disposición de moduladores interferométricos . En una modalidad, el sello 78 comprende un metal laminado que forma una barrera configurada para actuar como una barrera ambiental que inhibe o evita el flujo de humedad a través de la misma. La Figura 7B es una ilustración isométrica de una estructura 70 de empacado con un sello 78 de metal. En una modalidad, el sello 78 es un sello hermético que evita que el aire y el vapor de agua fluyan a través del sello 78. El sello 78 de metal se forma de preferencia de acuerdo con un proceso fotolitográfico y permite la colocación del sello 78 dentro de +/- 1 um de una posición deseada. Las Figuras 8A-E son vistas en corte transversal que ilustran diferentes etapas de una modalidad de un método para conformar el sello 78 ilustrado en la Figura 7B, y empacar un dispositivo de MEMS tal como la disposición 76 de moduladores interferométricos . La Figura 8R es una vista en corte transversal que ilustra la disposición 76 de moduladores interferométricos formado en el sustrato 72. En una modalidad, la disposición 76 de moduladores interferométricos aún comprende una capa de sacrificio (no mostrada) entre los miembros conductivos, tal como los miembros 14, 16 conductivos ilustrados en la Figura 1, de los elementos de moduladores interferométricos de la disposición 76. La capa de sacrificio puede comprender molibdeno, por ejemplo. En referencia a la Figura 8B, las interlineas 801 conductivas en el sustrato 72 se aislan eléctricamente del sello al depositar un aislante 802 sobre el sustrato 72. En ciertas modalidades, el aislante 802 también se deposita sobre la disposición 76 de moduladores interferométricos, como se ilustra en la Figura 8B. En algunas modalidades, el aislante 802 puede aplicarse a una ubicación en el sustrato 72 donde el sello 78 va a formarse. Sin embargo, puede ser más práctico formar el aislante 802 por deposición la parte superior del sustrato 72 y la disposición 76 de moduladores interferométricos como se ilustra en la Figura 8B, y remueve secuencialmente las porciones indeseadas del aislante 802. El aislante puede formarse por ejemplo, mediante métodos de electrodeposición de película delgada tales como pulverización o deposición por vapor químico (CVD) . En una modalidad, el aislante es Si02 u otro óxido aislante o nitruro, y tiene un espesor de aproximadamente 2000 Á o menos, o aproximadamente 1000 Á o menos. Como se apreciará por aquellos con experiencia en la tecnología, otros métodos de electrodeposición del aislante y materiales aislantes alternativos están dentro del alcance de la invención. Después de la electrodeposición del aislante 802, una o más capas 804 de metal para electrodepositar se depositan directamente en la parte superior del aislador 802. La capa 804 de metal puede comprender una pluralidad de capas, y en una modalidad, las capas 804 de metal incluyen una capa de adhesión y una capa de pepita de metal. La capa de adhesión de preferencia promueve la adhesión entre el aislador y la capa de pepita de metal. En ciertas modalidades, la capa de pepita de metal es una base de laminación conductiva sobre la cual se forma la electrodeposición y no necesita ser del mismo material que la electrodeposición. En una modalidad, la capa de pepita de metal tiene un espesor de aproximadamente 500-2000 Á y la capa de adhesión tiene un espesor de aproximadamente 50-100 Á. En una modalidad, el espesor combinado de la capa de adhesión y la capa de pepita de metal es de aproximadamente 100-500 A. En algunas modalidades, la capa de adhesión comprende diferentes tipos de metal, tal como titanio (Ti) o cromo (Cr) . El artesano experimentado entenderá que también es posible distribuir con la capa de adhesión si la superficie a la cual la capa de pepita de metal va a unirse es fuerte, por ejemplo.

Como se ilustra en la Figura 8C, una máscara 806 se diseña sobre las capas 804 de metal para definir una o más cavidades 808 para la formación de la pared selladora próxima a un perímetro de la disposición 76 de moduladores interferométricos . La cavidad 808 de perímetro puede ser cuadrada o rectangular, o puede tener otras geometrías. En una modalidad de la estructura 70 de paquete, que contiene más de una disposición 76 de moduladores interferométricos, el sello 78 se coloca alrededor de un perímetro total de la pluralidad de disposiciones de moduladores interferométricos . En una modalidad, las capas 804 de metal se depositan después del diseño de la máscara 806, de manera que las capas 804 de metal se depositan en el aislador 802 sólo en las cavidades 808. La máscara 806 de preferencia comprende película fotoresistiva y puede diseñarse utilizando luz UV, por ejemplo. La película fotoresistiva puede comprender un polímero orgánico que se vuelve soluble cuando se expone a la luz ultravioleta y evita el grabado al agua fuerte o laminación del área que cubre (que también se conoce como película resistiva) . La película fotoresistiva y el uso de la misma se conocen bien en varias industrias tales como semiconductores, diseño biomédico, holografía, electrónica, y nanofabricación. En ciertas modalidades, el uso de la película fotoresistiva como la máscara es de preferencia para definir capas gruesas con precisión. Como se ilustra en la Figura 8D, una o más capas de metal se depositan sobre la capa 804 de pepita de metal expuesta en la cavidad 808, formando con esto una pared 810 selladora. La deposición de una o más capas de metal de preferencia comprende electrodeposición usando un baño de electrodeposició . Otros métodos para depositar o formar las capas de metal se contemplan, incluyendo por ejemplo laminación sin electrodos. En una modalidad, el espesor de la máscara 806 es dependiente del espesor deseado o altura de la pared 810 selladora, en donde el espesor de la máscara 806 es sustancialmente el mismo o ligeramente mayor que la altura deseada de la pared 810 selladora. En ciertas modalidades, la máscara 806 es más gruesa que la altura deseada de la pared 810 selladora, o menos gruesa que la altura deseada de la pared 810 selladora. En una modalidad, la altura de la pared 810 selladora es aproximadamente 10-70 µ?. En algunas modalidades, la altura de la pared 810 selladora es aproximadamente 30-50um. Otras alturas para la pared 810 selladora se contemplan. Como se ilustra en la Figura 8E, la máscara 806, las capas 804 de metal, y el aislante 802 se remueven en áreas no cubiertas por el metal 808 electrodepositado mediante un método tal como grabado químico en húmedo.

Alternativamente, las capas 804 de metal y el aislador 802 pueden removerse cada una en etapas separadas . En la modalidad en donde la capa de pepita de metal se deposita en la parte superior de la máscara 806, la capa de pepita de metal se remueve con la máscara 806. Antes de unir la placa base 74 al sello 78, la capa de sacrificio presente en la disposición 76 de moduladores interferométricos se graba al agua fuerte, utilizando gas de XeF2 por ejemplo, para liberar las membranas o miembros conductivos de los elementos moduladores interferométricos de la disposición 76. Después de que se remueve la capa de sacrificio de la disposición 76 de moduladores interferométricos, la placa base 74 se une al sello 78, la cual incluye el aislador 802 y la pared 810 selladora, para formar la estructura 70 de paquete. El artesano experimentado apreciará que la placa base 74 puede formarse de cualquier material adecuado, tal como vidrio, metal, lamina, polímero, plástico, cerámica, o materiales semiconductores (por ejemplo, silicio) . Con referencia a la Figura 7A, una persona de experiencia ordinaria en la técnica puede seleccionar la altura del sello 78 y las características de la placa base 74 de manera que el desecante 80 se distancia suficientemente de la disposición 76 de moduladores interferométricos . La altura del sello 78 es directamente proporcional a la altura de la pared 810 selladora. En ciertas modalidades, el sello 78 se forma de preferencia a una altura de aproximadamente 100-300 um. En otras modalidades, el sello 78 se forma de preferencia a una altura de menos de aproximadamente 400 um. En otras modalidades, el sello 78 se forma de preferencia a un espesor mayor que aproximadamente 50µ?. El artesano experimentado apreciará que el espesor del sello 78 puede depender de varios factores, tal como el tiempo de vida deseado de la disposición 76 de moduladores interferométricos, el material del sello 78, la cantidad de contaminantes y humedad que se estima perneará en la estructura 70 de paquete durante el tiempo de vida de la disposición 76, la humedad del ambiente externo y/o si un desecante 80 se incluye dentro de la estructura 70 de paquete . La Figura 9 es un diagrama de flujo de proceso que ilustra una modalidad de un método para formar un sello de metal y empacar un dispositivo de MEMS . En algunas modalidades, la estructura ilustrada en la Figura 8A es la estructura inicial para el rendimiento del método 900 de la Figura 9 la cual comienza en una etapa 902. El método 900 procede a una etapa 902 donde el sello se aisla eléctricamente de las interlineas conductivas localizadas en el sustrato al depositar un aislador sobre el sustrato y la disposición de moduladores interferométricos, como se ilustra en la FIGURA 8B. Después de la deposición del aislador en la etapa 904, una o más capas de metal para electrodeposición se depositan directamente en la parte superior del aislador en una etapa 906. Como se discute en lo anterior con referencia a la Figura 8B, una o más capas de metal pueden comprender una pluralidad de capas, y en una modalidad, las capas de metal incluyen una capa de adhesión y una capa de pepita de metal. En una etapa 908, una máscara se diseña sobre las capas de metal formadas en la etapa 906 para definir una o más cavidades 808 para la formación de la pared selladora próxima a un perímetro de la disposición de moduladores interferométricos . En una etapa 910, la electrodeposición se realiza utilizando un baño de electrodeposición para depositar una o más capas de metal sobre la capa de pepita de metal expuesta en la cavidad formada en la etapa 908, formando con esto una pared selladora. La electrodeposición es capaz de depositar más de la mitad de los elementos de la tabla periódica. En una modalidad, el metal de electrodeposición preferido es níquel, sin embargo, el cobre y el estaño también pueden utilizarse. La electrodeposición es un método eficiente para lograr el espesor deseado del sello, el cual está en el orden de decenas a cientos de micrones. Métodos diferentes a la electrodeposición pueden utilizarse para depositar el metal para la pared selladora incluyendo laminación sin electrodos, evaporación y pulverización, por ejemplo. La etapa 910 también puede incluir electrodeposición de una capa de adhesión de placa base a la pared selladora, en donde la capa de adhesión de placa base comprende una soldadura, tal como PbSn, InSb, SnBi, u otras soldaduras capaces de laminarse. En algunas modalidades, la. capa de adhesión de placa base comprende capas múltiples, tales como capa de metal humectable y una capa de soldadura. En una etapa 912, la máscara, las capas de metal, y el aislador se remueven en áreas no cubiertas por el metal electrodepositado mediante un método tal como grabado al agua fuerte químico en húmedo. Alternativamente, las capas de metal 804 y el aislador 802 pueden removerse cada uno en etapas separadas . La capa de pepita de metal puede removerse mediante laminación iónica, por ejemplo. En la modalidad, donde la capa de pepita de metal se deposita en la parte superior de la máscara 806, la capa de pepita de metal se remueve con la máscara 806. En la etapa 914, antes de unir la placa base a la pared selladora, la capa de sacrificio presente en la disposición de moduladores interferométricos se graba al agua fuerte, utilizando gas XeF2 por ejemplo, para liberar las membranas o miembros conductivos de los elementos moduladores interferométricos de la disposición. Retener la capa de sacrificio a través del proceso 900 de formación de sello puede ser preferible para proteger la disposición del daño que pueda ocurrir durante cualquier etapa del proceso 900 de formación de sello. Sin embargo, el molibdeno de sacrificio puede removerse en cualquier otro momento durante el proceso de fabricación. En una etapa 916, después de que se remueve la capa de sacrificio en la etapa 914, la placa base se une a la pared selladora para conformar la estructura de paquete. En una modalidad, la placa base se une a la pared selladora mediante soldadura para crear una junta hermética. La soldadura puede depositarse en la pared selladora como se discute en referencia a la etapa 910, puede aplicarse después de las etapas 912 y/o 914, o puede aplicarse a la placa base . La soldadura de preferencia se funde y fluye a una temperatura de menos de aproximadamente 250°C para evitar el daño por calor a la disposición 76 de moduladores interferométricos . La placa base puede tener una o más capas de adhesión de placa base depositadas en la misma para la adhesión a la pared selladora, o metal humectable y/o soldadura depositada en la pared selladora . En una modalidad, la placa base comprende una capa de adhesión, tal como un metal delgado como Cr o Ti, u otro material configurado para soportar temperaturas de soldadura, y la soldadura se deposita en la capa de adhesión para la unión a la placa base a la pared selladora. En una modalidad, la placa base comprende un metal que se puede soldar fácilmente. En otra modalidad, la placa base comprende una película delgada de metal o una trayectoria de metal que se suelda a la pared selladora o se une utilizando un sello con costura. La formación del sello 78 reduce la complejidad del proceso de empacado al hacer la formación de la parte de sello del proceso de disposición. Las Figuras 10A y 10B son diagramas de bloque del sistema que ilustran una modalidad de un dispositivo 2040 de visualización. El dispositivo 2040 de visualización puede ser, por ejemplo, un teléfono celular o móvil. Sin embargo, los mismos componentes del dispositivo 2040 de visualización o variaciones pequeñas del mismo también son ilustrativas de varios tipos de dispositivos de visualización tales como televisiones y reproductores de medios portátiles. El dispositivo 2040 de visualización incluye un alojamiento 2041, una pantalla 2030, una antena 2043, un altavoz 2045, un dispositivo 2048 de entrada, y un micrófono 2046. El alojamiento 2041 se forma generalmente de cualquiera de una variedad de procesos de fabricación como se conocen bien por aquellos con experiencia en la técnica, incluyendo moldeo por inyección, y conformación al vacio. Además, el alojamiento 2041 puede formarse de cualquiera de una variedad de materiales, que incluyen pero no se limitan a plástico, metal, vidrio, caucho, y cerámica, o una combinación de los mismos. En una modalidad el alojamiento 2041 incluye porciones removibles (no mostradas) que pueden intercambiarse con otras porciones removibles de diferente color, o contienen diferentes logotipos, fotografías, o símbolos. La pantalla 2030 del dispositivo 2040 de visualización ejemplar puede ser cualquiera de una variedad de pantallas, que incluyen una pantalla bi-estable, como se describe en la presente. En otras modalidades, la pantalla 2030 incluye una pantalla de panel plano, tal como plasma, EL, OLED, STN LCD, o TFT LCD como se describe en lo anterior, una pantalla sin panel plano, tal como CRT u otro dispositivo tubular, como se conoce bien por aquellos con experiencia en la técnica. Sin embargo, para propósitos de describir la presente modalidad, la pantalla 2030 incluye un visualizador de moduladores interferométricos, como se describe en la presente. Los componentes de una modalidad del dispositivo 2040 de visualización ejemplar se ilustran esquemáticamente en la Figura 10B. El dispositivo 2040 de visualización ejemplar ilustrado incluye un alojamiento 2041 y puede incluir componentes adicionales por lo menos parcialmente cerrados en el mismo. Por ejemplo, en una modalidad del dispositivo 2040 de visualización ejemplar incluye una interfaz 2027 de red que incluye una antena 2043 la cual se acopla a un transceptor 2047. El transceptor 2047 se conecta al procesador 2021, el cual se conecta al hardware 2052 de acondicionamiento. El hardware 2052 de acondicionamiento puede configurarse para condicionar una señal (por ejemplo filtrar una señal) . El hardware 2052 de acondicionamiento se conecta a un altavoz 2045 y un micrófono 2046. El procesador 2021 también se conecta a un dispositivo 2048 de entrada y un controlador 2029 conductor. El controlador 2029 conductor se acopla a una memoria intermedia 2028 de tramas y al controlador 2022 de disposición, el cual a su vez se acopla a una disposición 2030 de visualización. Un suministro 2050 de energía proporciona energía a todos los componentes cuando se requiere por el diseño del dispositivo 2040 de visualización ejemplar particular. La interfaz 2027 de red incluye la antena 2043 y el transceptor 2047 de manera que el dispositivo 2040 de visualización ejemplar puede comunicarse con uno o más dispositivos en una red. En una modalidad, la interfaz 2027 de red también puede tener algunas capacidades de procesamiento para liberar los requerimientos del procesador 2021. La antena 2043 es cualquier antena conocida por aquellos de experiencia en la técnica para transmitir y recibir señales. En una modalidad, la antena transmite y recibe señales de RF de acuerdo con el estándar IEEE 802.11, que incluye IEEE 802.11(a), (b) o (g) . En otra modalidad, la antena transmite y recibe señales de RF de acuerdo con el estándar de BLUETOOTH. En el caso de un teléfono celular, la antena se diseña para recibir CDMA, GSM, AMPS u otras señales conocidas que se utilizan para comunicarse dentro de una red telefónica celular inalámbrica. El transceptor 2047 pre-procesa las señales recibidas de la antena 2043 de manera que puedan recibirse por y además manipularse por el procesador 2021. El transceptor 2047 también procesa señales recibidas del procesador 2021 de manera que puedan transmitirse desde el dispositivo 2040 de visualización ejemplar mediante la antena 2043. En una modalidad alternativa, el transceptor 2047 puede reemplazarse por un receptor. En aún otra modalidad alternativa, la interfaz 2027 de red puede reemplazarse por una fuente de imágenes, la cual puede almacenar o generar datos de imágenes para enviarse al procesador 2021. Por ejemplo, la fuente de imágenes puede ser un disco de video digital (DVD) , o una unidad de disco duro que contiene datos de imágenes, o un módulo de software que genera datos de imágenes. El procesador 2021 generalmente controla la operación general del dispositivo 2040 de visualización ejemplar. El procesador 2021 recibe datos, tales como datos de imágenes comprimidas de la interfaz 2027 de red o una fuente de imágenes, y procesa los datos en datos de imágenes en bruto o en un formato que se reprocesa fácilmente en datos de imágenes en bruto. El procesador 2021 entonces envía los datos procesados al controlador 2029 conductor o a la memoria intermedia 2028 de tramas para almacenaje. Los datos en bruto típicamente se refieren a la información que identifica las características de imágenes en cada ubicación dentro de una imagen. Por ejemplo, tales características de imágenes pueden incluir color, saturación y nivel de escala de grises. En una modalidad, el procesador 2021 incluye un microcontrolador, CPU o unidad lógica para controlar la operación del dispositivo 2040 de visualización ejemplar. El hardware 2052 de acondicionamiento generalmente incluye amplificadores y filtros para transmitir señales al altavoz 2045 y para recibir señales del micrófono 2046. El hardware 2052 de acondicionamiento puede ser componentes discretos dentro del dispositivo 2040 de visualización ejemplar, o puede incorporarse dentro del procesador 2021 u otros componentes . El controlador 2029 conductor toma los datos de imágenes en bruto generados por el procesador 2021 ya sea directamente del procesador 2021 o de la memoria intermedia 2028 de tramas y reformatea los datos de imágenes en bruto apropiadamente para la transmisión a alta velocidad al controlador 2022 de disposición. Específicamente, el controlador 2029 conductor reformatea los datos de imágenes en bruto en un flujo de datos que tiene un formato tipo reticular, de manera que tiene un orden de tiempo adecuado para explorar a través de la disposición 2030 de visualización. Entonces el controlador 2029 conductor envia la información formateada al controlador 2022 de disposición. Aunque un controlador 2029 conductor, tal como un controlador de LCD, con frecuencia se asocia con el procesador 2021 de sistema como un Circuito Integrado autónomo (IC) , tales controladores pueden implementarse en muchas formas. Pueden embeberse en el procesador 2021 como hardware, embeberse en el procesador 2021 como software, o integrarse completamente en hardware con el conductor 2022 de disposición. Típicamente, el controlador 2022 de disposición recibe la información formateada del controlador 2029 conductor y reformatea los datos de video en un conjunto paralelo de formas de onda que se aplican muchas veces por segundo a cientos y algunas veces miles de interlineas que vienen de la matriz de visualización de x-y de pixeles. En una modalidad, el controlador 2029 conductor, el controlador 2022 de disposición, y la disposición 2030 de visualización son apropiados para cualquiera de los tipos de visualizadores descritos en la presente. Por ejemplo, en una modalidad, el controlador 2029 conductor es un controlador de visualización convencional o un controlador de visualización bi-estable (por ejemplo, un controlador de moduladores interferométricos) . En otra modalidad, el controlador 2022 de disposición es un controlador convencional o un controlador de visualización bi-estable (por ejemplo, un visualizador de moduladores interferométricos) . En una modalidad, un controlador 2029 conductor se integra con el conductor 2022 de disposición. Tal modalidad es común en sistemas altamente integrados tales como teléfonos celulares, relojes, y otros visualizadores de área pequeña. En otra modalidad, la disposición 2030 de visualización es una disposición de visualización típica o una disposición de visualización bi-estable (por ejemplo, una visualización que incluye una disposición de moduladores interferométricos) . El dispositivo 2048 de entrada permite a un usuario controlar la operación del dispositivo 2040 de visualización ejemplar. En una modalidad, el dispositivo 2048 de entrada incluye un teclado, tal como un teclado QWERTY o un teclado telefónico, un botón, un conmutador, una pantalla sensible al tacto, una membrana sensible a la presión o calor. En una modalidad, el micrófono 2046 es un dispositivo de entrada para el dispositivo 2040 de visualización ejemplar. Cuando el micrófono 2046 se utiliza para ingresar datos al dispositivo, comandos de voz pueden proporcionarse por un usuario para controlar operaciones del dispositivo 2040 de visualización ejemplar. El suministro 2050 de energía puede incluir una variedad de dispositivos de almacenaje de energía como se conoce bien en la técnica. Por ejemplo, en una modalidad, el suministro 2050 de energía es una batería recargable, tal como una batería de níquel-cadmio o una batería de litio-ión. En otra modalidad, el suministro 2050 de energía es una fuente de energía renovable, un condensador o una celda solar, que incluye una célula solar de plástico, y pintura de célula solar. En otra modalidad, el suministro 2050 de energía se configura para recibir la energía de un tomacorriente . En algunas implementaciones, la programabilidad de control reside, como se describe en lo anterior, en un controlador conductor el cual puede localizarse en varios lugares en el sistema de visualización electrónico. En algunos casos, la programabilidad de control reside en el controlador 2022 de disposición. Aquellos de experiencia en la técnica reconocerán que la optimización antes descrita puede iirtplementarse en cualquier número de componentes de hardware y/o software y en varias configuraciones. Aunque la descripción antes detallada ha mostrado, descrito, y señalado características novedosas de la invención como se aplica a varias modalidades, se entenderá que varias omisiones, sustituciones y cambios en forma y detalles del dispositivo o proceso ilustrados pueden hacerse por aquellos con experiencia en la técnica sin apartarse del espíritu de la invención. Adicionalmente, las etapas que se describen e ilustran en la presente no se limitan a la secuencia exacta de actos descritos, ni se limitan necesariamente a la práctica de todos los actos establecidos. Otras secuencias de eventos o actos, a menos que todos los eventos, u ocurrencia simultánea de los eventos, pueden utilizarse para practicar las modalidades de la invención. Como se reconocerá, la presente invención puede representarse dentro de una forma que no proporcione todas las características y beneficios establecidos en la presente, ya que algunas características pueden utilizarse o practicarse separadamente de otras.

Claims (48)

1. NOVEDAD DE LA INVENCIÓN
2. Habiendo descrito la presente invención se considera como novedad y por lo tanto se reclama como propiedad lo descrito en las siguientes reivindicaciones.
3. REIVINDICACIONES 1. Un método para sellar un dispositivo de sistema microelectromecánico (ME S) de condiciones ambiente, caracterizado porque comprende: formar un sello sustancialmente de metal en un sustrato que comprende un dispositivo de MEMS; y unir una placa base al sello de metal para sellar el dispositivo de MEMS de condiciones ambiente. 2. El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque formar el sello sustancialmente de metal comprende conformar una capa aislante en el sustrato, y formar una pared selladora de metal en la capa aislante. 3. El método de conformidad con la reivindicación 2, caracterizado porque conformar el sello sustancialmente de metal además comprende depositar una o más capas de metal sobre el aislador, y en donde la pared selladora de metal se forma en una o más de las capas de metal.
4. 4. El método de conformidad con la reivindicación 3, caracterizado porque una o más capas de metal comprende por lo menos una de una capa de pepita de metal y una capa de adhesión.
5. 5. El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque unir la placa base comprende soldadura.
6. 6. El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el dispositivo de MEMS comprende una capa de sacrificio, y en donde el método además comprende remover la capa de sacrificio del dispositivo de MEMS después de formar el sello sustancialmente de metal.
7. 7. El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque formar el sello sustancialmente de metal comprende conformar una máscara con una o más cavidades sobre el sustrato, en donde las cavidades definen un perímetro alrededor del dispositivo de MEMS, y que forma una o más capas de sello de metal en una o más cavidades en la máscara, y remover la capa de máscara para formar una pared selladora alrededor del perímetro del dispositivo de MEMS.
8. 8. El método de conformidad con la reivindicación 7, caracterizado porque la máscara comprende película fotoresistiva, y en donde formar la máscara comprende el uso de luz UV.
9. 9. El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque formar el sello sustancialmente de metal comprende electrodeposición.
10. 10. El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado además porque comprende formar una o más capas de metal de adhesión sobre el sello de metal, en donde una o más capas de metal de adhesión se configuran para la unión a la placa base.
11. 11. El método de conformidad con la reivindicación 10, caracterizado porque una o más capas de adhesión comprenden una soldadura.
12. 12. El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque la placa base comprende una capa de adhesión pre-depositada configurada para adherirse al sello de metal.
13. 13. El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque unir la placa base al sello de metal comprende soldadura .
14. 14. El método de conformidad con la reivindicación 13, caracterizado porque la placa base comprende una capa de adhesión y una capa de soldadura próxima a un área para la unión al sello de metal.
15. 15. El método de conformidad con la reivindicación 14, caracterizado porque la capa de adhesión comprende metal .
16. 16. Un método para formar un dispositivo de sistema microelectromecánico (MEMS) , caracterizado porque comprende : depositar un aislador sobre un dispositivo de MEMS, formar un sustrato, en donde el dispositivo de MEMS incluye una capa de sacrificio; depositar una o más capas de metal sobre el aislador; formar una máscara con una o más cavidades sobre la capa de metal; formar una o más capas de sello de metal en una o más cavidades, formando con esto un sello sustancialmente hermético próximo a un perímetro del dispositivo de MEMS; remover la capa de máscara, una o más capas de metal, y la capa aislante; remover la capa de sacrificio del dispositivo de MEMS; y colocar una placa base en contacto con el sello para sellar el dispositivo de MEMS de condiciones ambiente.
17. 17. El método de conformidad con la reivindicación 16, caracterizado porque formar una o más capas de sello de metal comprende electrodepositar sobre la capa de máscara.
18. 18. El método de conformidad con la reivindicación 16, caracterizado además porque comprende formar una o más capas de metal de adhesión sobre una o más capas de pepita de sello de metal, en donde una o más capas de metal de adhesión se configuran para la unión a la placa base .
19. 19. El método de conformidad con la reivindicación 18, caracterizado porgue una o más capas de adhesión comprenden una soldadura.
20. 20. El método de conformidad con la reivindicación 16, caracterizado porque la máscara comprende película fotoresistiva, y en donde la formación de la máscara comprende el uso de luz UV.
21. 21. El método de conformidad con la reivindicación 16, caracterizado porque una o más capas de metal depositadas sobre la capa aislante comprenden por lo menos una de una capa de pepita de metal y una capa de adhesión,.
22. 22. El método de conformidad con la reivindicación 16, caracterizado porque la placa base comprende una capa de adhesión pre-depositada configurada para adherirse a la pared selladora.
23. 23. El método de conformidad con la reivindicación 16, caracterizado porque unir la placa base a la pared selladora comprende soldadura.
24. 24. El método de conformidad con la reivindicación 23, caracterizado porque la placa base comprende una capa de adhesión y una capa de soldadura próxima a un área para la unión a la pared selladora.
25. 25. El método de conformidad con la reivindicación 24, caracterizado porque la capa de adhesión comprende metal .
26. 26. Un dispositivo de MEMS fabricado de conformidad con el método de la reivind cación 16.
27. 27. Un dispositivo electrónico, caracterizado porque comprende : medios para soportar un dispositivo de MEMS medios para proporcionar un dispositivo de MEMS en el medio para el soporte; medios para proporcionar un sello sustancialmente de metal en el medio para soportar, y próximo a un perímetro del dispositivo de MEMS, formar con eso un sello sustancialmente hermético próximo a un perímetro del dispositivo de MEMS; y medios para sellar el dispositivo de MEMS en contacto con el sello sustancialmente de metal, encapsulando con esto el dispositivo de MEMS dentro del medio para soportar, el sello sustancialmente de metal, y el medio para sellar.
28. 28. El dispositivo electrónico de conformidad con la reivindicación 27, caracterizado porque el medio de soporte comprende un sustrato transparente.
29. 29. El dispositivo electrónico de conformidad con la reivindicación 27 ó 28, caracterizado porque el medio para proporcionar un dispositivo de MEMS comprende una disposición de moduladores interferométricos .
30. 30. El dispositivo electrónico de conformidad con la reivindicación 27, 28 ó 29, caracterizado porque el medio de sellado comprende una placa base.
31. 31. El dispositivo electrónico de conformidad con la reivindicación 27, 28, 29 ó 30, caracterizado porque el medio para proporcionar un sello sustancialmente de metal comprende una capa de soldadura.
32. 32. El dispositivo electrónico de conformidad con la reivindicación 27, caracterizado además porque comprende medios para formar una o más capas de metal de adhesión sobre el sello sustancialmente de metal, en donde una o más capas de metal de adhesión se configuran para la unión a una placa base.
33. 33. El dispositivo electrónico de conformidad con la reivindicación 32, caracterizado porque una o más capas de adhesión comprenden soldadura.
34. 34. El dispositivo electrónico de conformidad con la reivindicación 27, caracterizado porque el medio para proporcionar un sello sustancialmente de metal comprende por lo menos uno de una capa de pepita de metal y una capa de adhesión.
35. 35. El dispositivo electrónico de conformidad con la reivindicación 27, caracterizado además porque comprende medios para unir el medio de sellado al sello de metal.
36. 36. El dispositivo electrónico de conformidad con la reivindicación 35, caracterizado porque el medio de unión comprende una capa de adhesión pre-depositada configurada para adherirse al sello de metal.
37. 37. El dispositivo electrónico de conformidad con la reivindicación 35, caracterizado porque el dispositivo de MEMS comprende un modulador interferométrico .
38. 38. Un dispositivo electrónico de conformidad con la reivindicación 27, caracterizado además porque comprende : un procesador que está en comunicación eléctrica al menos para proporcionar un dispositivo MEMS, el procesador se configura para procesar datos de imágenes; y un dispositivo de memoria en comunicación eléctrica con el procesador.
39. 39. El dispositivo electrónico de conformidad con la reivindicación 38, caracterizado además porque comprende un circuito excitador configurado para enviar por lo menos una señal al medio para proporcionar un dispositivo de MEMS.
40. 40. El dispositivo electrónico de conformidad con la reivindicación 39, caracterizado además porque comprende un controlador configurado para enviar por lo menos una porción de los datos de imágenes al circuito excitador.
41. 41. El dispositivo electrónico de conformidad con la reivindicación 38, caracterizado además porque comprende un módulo de fuente de imágenes configurado para enviar datos de imágenes al procesador.
42. 42. El dispositivo electrónico de conformidad con la reivindicación 41, caracterizado porque el módulo de fuente de imágenes comprende por lo menos uno de un receptor, transceptor, y transmisor.
43. 43. El dispositivo electrónico de conformidad con la reivindicación 38, caracterizado además- porque comprende un dispositivo de entrada, configurado para recibir datos de entrada y para comunicar los datos de entrada al procesador.
44. 44. ün método para fabricar un dispositivo de sistema microelectromecánico (MEMS), caracterizado porque comprende: formar un sello sustancialmente de metal en un sustrato que comprende un dispositivo de MEMS; y unir una placa base al sello de metal para sellar el dispositivo de MEMS de las condiciones ambiente.
45. 45. Un dispositivo de MEMS fabricado por el método de conformidad con la reivindicación 44.
46. 46. El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 45, caracterizado porque formar el sello sustancialmente de metal comprende formar una capa aislante en el sustrato, y formar una pared selladora de metal en la capa aislante .
47. 47. El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 46, caracterizado porque formar un sello sustancialmente de metal además comprende depositar una o más capas de metal sobre el aislador, y en donde la pared selladora de metal se forma en una o más capas de metal.
48. 48. El dispositivo de MEMS de conformidad con la reivindicación 45, caracterizado porque el dispositivo de MEMS comprende un modulador interferométrico .