MXPA03004441A

MXPA03004441A - Configuraciones de pileta termica de alto desempeno para utilizarse en aplicaciones de empaque de alta densidad.

Info

Publication number: MXPA03004441A
Application number: MXPA03004441A
Authority: MX
Inventors: Seri Lee
Original assignee: Intel Corp
Priority date: 2000-11-20
Filing date: 2001-10-31
Publication date: 2005-01-25
Also published as: AU2002236552A1; US6845010B2; WO2002041396A3; CN1486508A; US20030189813A1; CN1305131C; WO2002041396A2

Abstract

Un aparato de disipacion de calor mejorado para extraer calor de un aparato de circuito integrado, que incluye un nucleo termicamente conductivo que tiene areas de superficie externas superiores e inferiores. El aparato incluye ademas una formacion de estructuras de aletas de perno que se extienden en forma radial. La primera formacion esta acoplada en forma termica al area de superficie superior, de modo que el medio de enfriamiento introducido al alrededor del nucleo y la primera formacion crean un flujo omni-direccional alrededor de la primera formacion y el nucleo para mejorar la disipacion de calor del aparato de circuito integrado. El nucleo que incluye la primera formacion y el area de superficie inferior, tiene un tamano suficiente para que los componentes en un tarjeta madre se incorporen en el aparato de circuito integrado cuando el aparato de disipacion de calor este montado en el aparato de circuito integrado.

Description

integrado (los cuales son las fuentes técnicas ) tienen un tamaño de área de presión significativamente más pequeña que la placa de base plana de la pileta térmica. La placa de base plana de la pileta térmica tiene un área de presión grande. Un área de presión grande requiere más estado real de la tarjeta madre que el aparato de circuito integrado que está en contacto con ésta. El tamaño más grande de la placa de base origina que la mayor parte de ésta no esté directamente en contacto con el aparato de circuito integrado para tener una temperatura significativamente inferior a la de la parte de la placa de base que está directamente en contacto con el aparato de circuito integrado. Esto da como resultado que la parte externa de la pileta térmica que no está en contacto directamente con el circuito integrado sea menos eficiente al disipar el calor que se encuentra en el área de enfriamiento. Además, se vuelve más potente el equipo relacionado con la computadora, estando incorporadoss más componentes dentro del equipo y la tarjeta madre, lo cual requiere más estado real de la tarjeta madre. Además, los diseños de la placa de base de la pileta térmica de la técnica anterior, están al mismo nivel que el aparato de circuito integrado al cual están adheridos. De manera consecuente, la configuración de placa de base plana de la pileta térmica, generalmente termina consumiendo más estado real de la tarjeta madre que el aparato de circuito integrado en el cual está montada. Como resultado, el tamaño de área de presión más grande de la placa de base, evita que otros componentes de la tarjeta madre, tales como, capacitores de bajo costo, se incorporen en los alrededores de, o en el microprocesador. Por lo tanto, necesitan tomarse en consideración las grandes cantidades de calor producido por muchos de tales circuitos integrados y la demanda en incremento de estado real de la tarjeta madre, cuando se diseñen los aparatos de montaje y empaque de circuitos integrados. Por las razones antes manifestadas y por otras razones que se describirán más adelante, las cuales serán apreciadas por los expertos en la técnica al leer y comprender la presente especificación, existe la necesidad en la técnica de un aparato de disipación de calor mejorado y método que conserve el estado real de la tarjeta madre y permita que los componentes electrónicos se incorporen en el microprocesador y sus alrededores. Breve Descripción de los Dibulos La figura 1 es una vista isométrica de un pileta térmica de la técnica anterior adherida a un microprocesador en una tarjeta madre ensamblada. La figura 2 es una vista isométrica de una modalidad de un aparato de disipación térmica mejorado de acuerdo con la presente invención. La figura 3, es una vista isométrica que muestra el aparato de disipación térmica mejorado de la figura 2, adherido a un microprocesador en una tarjeta madre ensamblada. La figura 4, es una vista isométrica de otra modalidad de un aparato de disipación de calor mejorado, de acuerdo con la presente invención. La figura 5, es una vista isométrica que muestra el aparato de disipación de calor mejorado de la figura 4, adherido a un microprocesador en una tarjeta madre ensamblada. La figura 6, es una vista isométrica de otra modalidad de un aparato de disipación de calor mejorado, de acuerdo con la presente invención. La figura 7, es una vista isométrica que muestra el aparato de disipación de calor mejorado de la figura 6, adherido a un microprocesador en una tarjeta madre ensamblada. Descripción Detallada del Invento En la descripción detallada de las modalidades que se encuentra a continuación, se hace referencia a los dibujos que la acompañan, los cuales ilustran la presente invención y su práctica. En los dibujos, los números similares describen componentes sustancialmente similares a lo largo de diversas vistas. Estas modalidades se describen con suficiente detalle para permitir a los expertos en la técnica practicar la presente invención Se pueden utilizar otras modalidades y se pueden realizar cambios estructurales, lógicos y eléctricos sin apartarse del alcance de la presente invención. Además, quedará entendido que varias modalidades de la presente invención, aunque diferentes, no son necesariamente mutuamente exclusivas. Por ejemplo, una característica en particular, estructura o presentación descrita en una modalidad, se puede incluir en otras modalidades. Por lo tanto, la descripción detallada que se encuentra a continuación no se tomará en un sentido de limitación, y el alcance de la presente invención se definirá únicamente a través de las reivindicaciones adjuntas, junto con el alcance total de los equivalentes para los cuales se titulan las reivindicaciones. Este documento describe, entre otras cosas, un aparato de disipación de calor mejorado que permite que los componentes electrónicos se incorporen en un microprocesador y sus alrededores, mientras se mantiene un alto desempeño y efectividad de costo apalancando las técnicas de fabricación de altos volúmenes que son posibles actualmente. La figura 1 muestra una vista isométrica 100 de un pileta térmica de la técnica anterior 110 montada en un microprocesador 120 en una tarjeta madre ensamblada 130. Asimismo, tal como se muestra en la figura 1 los capacitores de bajo costo 140 están montados alrededor de la pileta térmica 110 y en la tarjeta madre 130. La pileta térmica de la técnica anterior 100 tiene una placa de base plana 150 que incluye una formación de aletas 60 que se extienden en forma perpendicular lejos de la placa de base plana 150. Esta configuración de la pileta térmica 110, indica el uso de la placa de base plana 110, con la formación de la aletas 160, disipando el calor del microprocesador 120. Al incrementar la disipación del calor utilizando la pileta térmica de la técnica anterior 110 mostrada en la figura 1, generalmente se requiere extender el área de superficie de la placa de base plana 150 y/o la formación de aletas 160. A su vez, ésto da como resultado el consumo de más estado real de la tarjeta madre. Generalmente, el microprocesador 120 ( el cual es la fuente de calor) tiene un tamaño de área de presión más pequeño que la configuración de la placa de base plana 150 de la pileta térmica 110 mostrada en la figura 1. Un tamaño de área de presión más grande de la placa de base plana 150 puede originar que la parte externa de la placa de base plana 150 (la parte que no está directamente en contacto con el aparato de circuito integrado) tenga una temperatura significativamente menor que la parte de la placa de base plana 150 que está directamente en contacto con el aparato de circuito integrado. De manera consecuente, la pileta térmica de la técnica anterior 110, con la placa de base plana más grande 150, no es efectiva para disipar el calor del aparto de circuito integrado. Además, se disminuyen los tamaños de las unidades empacadas y el aparato de circuito integrado, en tanto que se incrementa la cantidad de calor generado por estos componentes. La configuración de la pileta térmica de la técnica anterior 110, indica que la formación de aletas 160 se extienda hasta el extremo de la placa de base plana 150 para extraer el calor del aparato de circuito integrado. Asimismo, la pileta térmica de la técnica anterior 110 requiere incrementar el tamaño de la formación de las aletas 160 para incrementar la disipación de calor. Con el objeto de alargar las aletas 120 en forma lateral, la placa de base plana 150 tiene que incrementarse en tamaño. El consumo de más estado real de la tarjeta madre generalmente no es una opción viable en un ambiente en donde se incrementaron las densidades de empaque del sistema con cada generación sucesiva del aparato de circuito integrado de alto desempeño. Asimismo, la pileta térmica de la técnica anterior 110, está al mismo nivel que el aparato de circuito integrado en el cual está montada. En la figura 1 se puede apreciar que la configuración de la placa de base plana 150 de la pileta térmica de la técnica anterior 110 que está montada en el microprocesador 120, evita generalmente que otros componentes de la tarjeta madre, tales como capacitores de bajo costo 140, se incorporen en los alrededores del microprocesador 120. La figura 2 es una vista isomótrica de una modalidad del aparato de disipación de calor mejorado 200 de acuerdo con la presente invención. En la figura 2, se muestra el aparato de disipación de calor mejorado 200 que incluye un núcleo térmicamente conductivo 210, una primera formación de estructuras de aletas de perno que se extienden en forma radial 220. Las estructuras de perno tienen formas de sección transversal tales como redondas, cuadradas, rectangulares, elípticas, cónicas o cualquier otra forma adecuada para disipar el calor. Asimismo, en la figura 2 se muestra el núcleo 210 teniendo áreas de superficie externas superiores e inferiores 230 y 240. La primera formación 220 está acoplada en forma térmica al área de superficie superior 230 del núcleo 210, de modo que un medio de enfriamiento, tal como el aire introducido alrededor de las áreas de superficie superiores e inferiores 230 y 240 del núcleo 210 y la primera formación 220, crea un flujo omni-direccional alrededor del núcleo 210 y la primera formación mejora la disipación de calor de la pileta térmica 200. La figura 2 muestra en forma adicional, una segunda formación opcional de las estructuras de aletas de perno que se extienden en forma radial 290 acopladas en forma térmica al área de superficie inferior 240 del núcleo 210, de modo que el medio de enfriamiento introducido alrededor de la segunda formación también crea un flujo omni-direccional alrededor de la segunda formación 290. Cada una de las estructuras de perno pueden tener una cabeza para crear un flujo más turbulento alrededor de la primera y segunda formación 220 y 290. El núcleo 210 tiene un eje de 260 y en algunas modalidades, las áreas de superficie superior e inferior 230 y 240 son paralelas al eje 260. El núcleo 260 tiene además un base 270. En algunas modalidades, la base 270 está colocada de tal forma que está en una proximidad cercana al área de superficie inferior 240 y en forma perpendicular al eje 260. Las áreas de superficie superior e inferior 230 y 240, pueden ser concéntricas al eje 260. La primera formación 220 está acoplada en forma térmica al área de superficie superior 230, de modo que los componentes pueden ser montados allrededor y en proximidad cercana al área de superficie inferior 240 y debajo de la primera formación 220, cuando el aparato 200 esté montado en un aparato de circuito integrado. En algunas modalidades, los componentes pueden incorporarse en el aparato de circuito integrado, sin interferir en forma mecánica con el aparato 200. El núcleo 200 puede ser un cuerpo sólido. El cuerpo sólido puede ser cilindrico, cónico, cuadrado, rectangular o tener cualquier otra forma similar que facilite el montaje en el aparato de circuito integrado y la adhesión de la primera formación 220 al área de superficie superior 230. El núcleo 210 puede incluir medios de transporte de calor, tales como, una o más tuberías térmicas, un líquido, un termo-sifón u otro medio de transporte de calor que mejore la disipación de calor del aparato de circuito integrado. En algunas modalidades, la primera formación 220 tiene un primer diámetro externo 250 y la segunda formación 290 tiene un segundo diámetro externo 255. El segundo diámetro externo 255 es menor al primer diámetro externo 250. La primera formación 220 tiene una primera profundidad y la segunda formación 290 tiene un segunda profundidad. El primero y segundo diámetros externos 250 y 255, incluyendo las primera y segunda profundidades tienen un tamaño suficiente para permitir que los componentes sean montados alrededor y en proximidad cercana al aparato de circuito integrado, cuando el aparato este montado en el aparato de circuito integrado. La segunda formación 290 está acoplada en forma térmica al área del núcleo inferior 240, del núcleo 210, de modo que el medio de enfriamiento introducido alrededor de la primera y segunda formación 220 y 290 crea un flujo omni-direccional alrededor de las áreas de superficie superior e inferior 230 y 240 del núcleo 210 y las primera y segunda formaciones 220 y 290, para aumentar la disipación de calor de la pileta térmica 200. El aparato 200, incluyendo el núcleo 210 y las primera y segunda formaciones 220 y 290, pueden estar elaboradas de materiales, tales como, aluminio, cobre o cualquier otro material que tenga la capacidad de disipar el calor lejos del aparato de circuito integrado. Las primera y segunda formaciones 220 y 290 pueden formarse para tener formas externas tales como, circulares, cuadradas, rectangulares, elípticas, cónicas o cualquier otra forma adecuada para permitir que los componentes se incorporen alrededor y estén en una proximidad cercana a la primera y segunda formaciones 220 y 290. La figura 3, es una vista isométrica 300 que muestra el aparato de disipación de calor mejorado 200 de la figura 2, adherido a un microprocesador 120 en una tarjeta madre ensamblada 130. En la modalidad de ejemplo mostrada en la figura 3, el microprocesador 120 tiene una parte frontal 340 y una parte trasera 330. La parte frontal 340 está colocada a través de la parte trasera 330. La parte frontal 340 está adherida a la tarjeta madre ensamblada 130 que tiene componentes, tales como, capacitores de bajo costo 140 y otros componentes eléctricos. La base 270 mostrada en la figura 2, del aparato de disipación de calor mejorado 200, está adherida a la parte trasera 330 del microprocesador 120. En la figura 3 se puede apreciar que las primera y segunda formaciones 220 y 290, tienen un tamaño suficiente para permitir que los capacitores de bajo costo 140 se monten en la tarjeta ensamblada 130 para invadir los alrededores del microprocesador 120. También se puede apreciar que los capacitores de bajo costo 140 están debajo de la primera formación 220 y alrededor de la segunda formación 290. Asimismo, en la figura 3 se puede apreciar que la primera formación 220 es más grande que la segunda formación 290, incrementando de este modo el rango de disipación de calor sin incrementar un tamaño de área de presión de la base 270 del aparato de disipación de calor 200, más que la parte trasera 330 del microprocesador 120. Los tamaños de área de presión coincidentes de la base 270 del aparato de disipación de calor 200 y que la parte trasera 330 del microprocesador 120, permiten que la base 270 y la parte trasera 330 del microprocesador 120 tengan los mismos rangos de transferencia de calor. A su vez esto incrementa la eficiencia de la transferencia de calor entre la base 270 y la parte trasera 330 del microprocesador 120. El núcleo 210, tiene además una superficie superior 275 colocada a través desde la base 270. En algunas modalidades la superficie superior 275 está en forma perpendicular al eje 260 y está en proximidad cercana a la primera formación 220. Se puede adherir un medio de transporte de calor a la superficie superior 275, para introducir un medio de transferencia de calor 297, tal como aire, en una dirección mostrada en la figura 2. Esto crea un flujo omni-direccional alrededor del núcleo 210 y la primera y segunda formaciones 220 y 290, para aumentar la disipación de calor a través del aparato de disipación de calor 200. Se puede incluir en el núcleo 210 un medio de transporte de calor 295, tal como una tubería de calor u otro medio, para aumentar en forma adicional la transferencia de calor del aparato de disipación de calor 200. En algunas modalidades, el aparato de disipación de calor mejorado 200 está elaborado de materiales técnicamente conductivos, tales como cobre, aluminio o cualquier otro material con la capacidad de extraer calor del aparato de circuito integrado. En algunas modalidades, el núcleo 210 puede incluir medios de transporte de calor, tal como una o más tuberías térmicas, un liquido, un termo-sifón, u otro medio de transporte de calor similar adecuado para aumentar la extracción de calor del aparato de circuito integrado. En algunas modalidades, la primera y segunda formaciones 220 y 290 ocupan un primero y segundo volumen de espacio, respectivamente alrededor de las áreas de superficie superior e inferior 230 y 240, de modo que el primer volumen es menor al segundo para permitir que los componentes sean montados en el tablero de circuitos 130 y debajo de la formación 220. La figura 4, es una vista isométrica de otra modalidad del aparato de disipación de calor mejorado 400 de acuerdo con la presente invención. En la figura 4 se muestra el aparato de disipación de calor mejorado 400 que incluye el núcleo térmicamente conductivo 210 y la primera formación de estructuras de aletas sustancialmente planas que se extienden en forma radial 420. Asimismo, en la figura 4 se muestra el núcleo 210 teniendo las áreas de superficie externas superior e inferior 230 y 240. La primera formación 420 está acoplada en forma térmica al área de superficie superior 230 del núcleo 210, de modo que un medio de enfriamiento, tal como aire introducido alrededor de las áreas de superficie superior e inferior 230 y 240 del núcleo 210 y la primera formación 420, crea un flujo que es sustancialmente paralelo a las áreas de superficie superior e inferior 230 y 240 y la primera formación 420 para mejorar la disipación de calor de la pileta térmica 400. La figura 4 muestra en forma adicional una segunda formación opcional de estructuras de aletas sustancialmente planas que se extienden en forma radial 490, acopladas en forma térmica al área de superficie inferior 240 del núcleo 210, de modo que el medio de enfriamiento introducido alrededor de la primera y segunda formaciones 420 y 490, crea un flujo que es sustancialmente paralelo a las áreas de superficie superior e inferior 230 y 240 y a la primera y segunda formaciones 420 y 490. El núcleo 210 tiene un eje 260. Las estructuras de aleta sustancialmente planas de la primera y segunda formaciones 420 y 490, están acopladas en forma térmica a las áreas de superficie superior e inferior 230 y 240, respectivamente, de modo que están sustancialmente paralelas al eje para que el medio de enfriamiento introducido alrededor del núcleo 210 y la primera y segunda formaciones 420 y 490, cree un flujo sustancialmente paralelo al eje 260, para mejorar la disipación de calor de la pileta térmica 400. En algunas modalidades, la primera y segunda formaciones 420 y 490, incluyendo las estructuras de aletas sustancialmente planas están alineadas y acopladas en forma térmica para que formen una sola formación, tal como se muestra en la figura 4. En algunas modalidades las áreas de superficie superior e inferior 230 y 240 están paralelas al aje 260. El núcleo 260 tiene además una base 270. En algunas modalidades la base 270 está colocada de tal forma que está en proximidad cercana con el área de superficie inferior 240 y perpendicular al eje 260. Las áreas de superficie superior e inferior 230 y 240 pueden ser concéntricas al eje 260. La primera formación 420 está acoplada en forma térmica al área de superficie superior 230, de modo que los componentes pueden estar montados alrededor y en proximidad cercana al área de superficie inferior 240 y debajo de la primera formación 420, cuando el aparato 400 está montado en un aparato de circuito integrado. En algunas modalidades los componentes pueden invadir el aparato de circuito integrado sin interferir en forma mecánica con el aparato 400. El núcleo 210 puede ser un cuerpo sólido. El cuerpo sólido puede ser cilindrico, cónico, cuadrado, rectangular o tener cualquier otra forma similar que facilite el montaje en el aparato de circuito integrado y la adhesión de la primera formación 420 al área de superficie superior 230. El núcleo 210 puede incluir medios de transporte de calor, tales como, una o más tuberías térmicas, un liquido, un termo-sifón u otro medio de transporte de calor que mejore la disipación de calor del aparato de circuito integrado. La primera formación 420 tiene un primer diámetro externo 250 y la segunda formación 490 tiene el segundo diámetro externo 255.

El segundo diámetro externo 255 es menor al primer diámetro externo 250. La primera formación 420 tiene una primera profundidad y la segunda formación 4T0 tiene una segunda profundidad. El primero y segundo diámetro externos 250 y 255, incluyendo la primera y segunda profundidades, tienen un tamaño suficiente para permitir que los componentes sean montados alrededor y en proximidad cercana al aparato de circuito integrado, cuando el aparato esté montado en el aparato de circuito integrado. La segunda formación 490 está acoplada en forma térmica al área del núcleo inferior 240, del núcleo 210, de modo que el medio de enfriamiento introducido crea un flujo omni-direccional alrededor de las áreas de superficie superior e inferior 230 y 240 del núcleo 210 y las primera y segunda formaciones 420 y 490, para aumentar la disipación de calor de la pileta térmica 400. El aparato 400, incluyendo el núcleo 210 y las primera y segunda formaciones 420 y 490, pueden estar elaboradas de materiales, tales como, aluminio, cobre o cualquier otro material que tenga la capacidad de disipar el calor lejos del aparato de circuito integrado. Las primera y segunda formaciones 420 y 490 pueden formarse para tener formas externas tales como, circulares, cuadradas, rectangulares, elípticas, cónicas o cualquier otra forma adecuada para permitir que los componentes se incorporen alrededor y estén en una proximidad cercana a las primera y segunda formaciones 420 y 490. La figura 5, es una vista isométrica 500 que muestra el aparato de disipación de calor mejorado 400 mostrado en la figura 4, adherido al microprocesador 120 en la tarjeta madre ensamblada 130. En la modalidad de ejemplo mostrada en la figura 5, el microprocesador 120 tiene una parte frontal 340 y una parte trasera 330. La parte frontal 340 está colocada a través de la parte trasera 330. La parte frontal 340 está adherida a la tarjeta madre ensamblada 130 que tiene componentes, tales como, capacitores de bajo costo 140 y otros componentes eléctricos. La base 270 mostrada en la figura 4, del aparato de disipación de calor mejorado 400, está adherida a la parte trasera 330 del microprocesador 120. En la figura 4 se puede apreciar que las primera y segunda formaciones 420 y 490, tienen un tamaño suficiente para permitir que los capacitores de bajo costo 140 se monten en la tarjeta ensamblada 130 para incorporarse en los alrededores del microprocesador 120. También se puede apreciar que los capacitores de bajo costo 140, están debajo de la primera formación 420 y alrededor de la segunda formación 490. Asimismo, en la figura 4 se puede apreciar que la primera formación 420 es más grande que la segunda formación 490, incrementando de este modo el rango de disipación de calor sin incrementar un tamaño de área de presión de la base 270 del aparato de disipación de calor 400, más que la parte trasera 330 del microprocesador 120. Los tamaños de área de presión coincidentes de la base 270 del aparato de disipación de calor 400 y de la parte trasera 330 del microprocesador 120, permiten que la base 270 y la parte trasera 330 del microprocesador 120 tengan los mismos rangos de transferencia de calor. A su vez, esto incrementa la eficiencia de la transferencia de calor entre la base 270 y la parte trasera 330 del microprocesador 120. El núcleo 210, tiene además una superficie superior de 275 colocada a través desde la base 270. En algunas modalidades, la superficie superior 275 está en forma perpendicular al eje 260 y está en proximidad cercana a la primera formación 420. Se puede adherir un medio de transporte de calor a la superficie superior 275, para introducir un medio de transferencia de calor 297, tal como aire, en la dirección mostrada en la figura 2, para crear un flujo alrededor del núcleo 210 y la primera y segunda formaciones 420 y 490, que están en forma sustancialmente paralela al núcleo 210 y la primera y segunda formaciones 420 y 490 para mejorar la disipación de calor a través del aparato de disipación de calor 400. Se puede incluir en el núcleo 210 un medio de transporte de calor 295, tal como una tubería térmica u otro medio, para aumentar en forma adicional la transferencia de calor del aparato de disipación de calor 400. En algunas modalidades, el aparato de disipación de calor mejorado 400 está elaborado de materiales térmicamente conductivos, tales como cobre, aluminio o cualquier otro material con la capacidad de extraer calor del aparato de circuito integrado. En algunas modalidades, el núcleo 210 puede incluir medios de transporte de calor, tal como una o más tuberías térmicas, un liquido, un termo-sifón, u otro medio de transporte de calor similar adecuado para aumentar la extracción de calor del aparato de circuito integrado. En algunas modalidades, la primera y segunda formaciones 420 y 490 ocupan un primero y segundo volumen de espacio, respectivamente alrededor de las áreas de superficie superior e inferior 230 y 240, de modo que el primer volumen es menor al segundo para permitir que los componentes sean montados en el tablero de circuitos 130 y debajo de la primera formación 420.

La figura 6, es una vista isométrica de otra modalidad del aparato de disipación de calor mejorado 600, de acuerdo con la presente invención. En la figura 6 se muestra el aparato de disipación de calor mejorado 600 que incluye el núcleo térmicamente conductivo 210, y una primera formación de estructuras de aletas sustancialmente planas que se extienden en forma radial 620. Asimismo, la figura 6 muestra el núcleo 210 teniendo áreas de superficie externas superiores e inferiores 230 y 240. La primera formación 620 está acoplada en forma térmica al área del núcleo superior 230 del núcleo 210, de modo que el medio de enfriamiento, tal como aire, introducido alrededor de las áreas de la superficie superior inferior 230 y 240 del núcleo 210. La primera formación 620, crea un flujo que es sustancialmente perpendicular al núcleo 210, para mejorar la disipación de calor del aparato 600. La figura 6 muestra además una segunda formación opcional de estructuras de aletas sustancialmente planas que se extienden en forma de 620 acopladas en forma térmica al área del núcleo interior 240 del núcleo 210, de modo que el medio de enfriamiento introducido alrededor de la primera y segunda formación 620 y 690, crea un flujo que es sustancialmente perpendicular al núcleo 210 para aumentar en forma adicional la disipación del aparato 600. El núcleo 210 tiene un eje de 260. En algunas modalidades, las áreas de superficie superior e inferior 230 y 240 son paralelas al eje 260. El núcleo 260 tiene además un base 270. En algunas modalidades, la base 270 está colocada de tal forma que está en una proximidad cercana al área de superficie inferior 240 y en forma perpendicular al eje 260. Las áreas de superficie superior e inferior 230 y 240, pueden ser concéntricas al eje 260. La primera formación 620 está acoplada en forma térmica al área de superficie superior 230, de modo que los componentes pueden ser montados alrededor y en proximidad cercana al área de superficie inferior 240 y debajo de la primera formación 620, cuando el aparato 600 esté montado en un aparato de circuito integrado. En algunas modalidades, los componentes pueden incorporarse en el aparato de circuito integrado, sin interferir en forma mecánica con el aparato 600. El núcleo 210 puede ser un cuerpo sólido. El cuerpo sólido puede ser cilindrico, cónico, cuadrado, rectangular o tener cualquier otra forma similar que facilite el montaje en el aparato de circuito integrado y la adhesión de la primera formación 620 al área de superficie superior 230. El núcleo 210 puede incluir medios de transporte de calor, tales como, una o más tuberías térmicas, un líquido, un termo-sifón u otro medio de transporte de calor que mejore la disipación de calor del aparato de circuito integrado. La primera formación 620 tiene un primer diámetro externo 250 y la segunda formación 690 tiene un segundo diámetro externo 255. El segundo diámetro externo 255 es menor al primer diámetro externo 250. La primera formación 620 tiene una primera profundidad y la segunda formación 690 tiene un segunda profundidad. El primero y segundo diámetros externos 250 y 255, incluyendo las primera y segunda profundidades tienen un tamaño suficiente para permitir que los componentes sean montados alrededor y en proximidad cercana al aparato de circuito integrado, cuando el aparato este montado en el aparato de circuito integrado.

La segunda formación 690 está acoplada en forma térmica al área del núcleo inferior 240 del núcleo 210, de modo que el medio de enfriamiento introducido crea un flujo omni-direccional alrededor de las áreas de superficie superior e inferior 230 y 240 del núcleo 210 y las primera y segunda formaciones 620 y 690, para aumentar la disipación de calor de la pileta térmica 600. El aparato 600, incluyendo el núcleo 210 y las primera y segunda formaciones 620 y 690, pueden estar elaborado de materiales, tales como, aluminio, cobre o cualquier otro material que tenga la capacidad de disipar el calor lejos del aparato de circuito integrado. Las primera y segunda formaciones 620 y 690 pueden formarse para tener formas externas tales como, circulares, cuadradas, rectangulares, elípticas, cónicas o cualquier otra forma adecuada para permitir que los componentes se incorporen alrededor y estén en una proximidad cercana a la primera y segunda formaciones 620 y 690. La figura 7, es una vista isomótrica 700 que muestra el aparato de disipación de calor mejorado 600 de la figura 6, adherido a un microprocesador 120 en una tarjeta madre ensamblada 130. En la modalidad de ejemplo mostrada en la figura 7, el microprocesador 120 tiene una parte frontal 340 y una parte trasera 330. La parte frontal 340 está colocada a través de la parte trasera 330. La parte frontal 340 está adherida a la tarjeta madre ensamblada 130 que tiene componentes, tales como, capacitores de bajo costo 140 y otros componentes eléctricos. La base 270 mostrada en la figura 6, del aparato de disipación de calor mejorado 600, está adherida a la parte trasera 330 del microprocesador 120. En la figura 7 se puede apreciar que las primera y segunda formaciones 620 y 690, tienen un tamaño suficiente para permitir que los capacitores de bajo costo 140 se monten en la tarjeta ensamblada 130 para ¡incorporarse en los alrededores del microprocesador 120. También se puede apreciar que los capacitores de bajo costo 140 están debajo de la primera formación 620 y alrededor de la segunda formación 690. Asimismo, en la figura 7 se puede apreciar que la primera formación 620 es más grande que la segunda formación 690, incrementando de este modo el rango de disipación de calor sin incrementar un tamaño de área de presión de la base 270 del aparato de disipación de calor 200, más que la parte trasera 330 del microprocesador 120. Los tamaños de área de presión coincidentes de la base 270 del aparato de disipación de calor 200 y que la parte trasera 330 del microprocesador 120, permiten que la base 270 y la parte trasera 330 del microprocesador 120 tengan los mismos rangos de transferencia de calor. A su vez esto incrementa la eficiencia de la transferencia de calor entre la base 270 y la parte trasera 330 del microprocesador 120. Se puede colocar un medio de transporte de calor alrededor del aparato 600 para introducir un medio de transferencia de calor 297, tal como aire, en la dirección mostrada en la figura 6 para crear un flujo que sea sustancialmente perpendicular al núcleo 210. Además, el flujo es sustancialmente paralelo a la primera y segunda formación en 620 y 690 para aumentar la disipación de calor, a través del aparato de disipación de calor 600. Se pueden incluir en el núcleo 210 un medio de transporte de calor 295, tal como una tubería térmica, u otro medio para aumentar de manera adicional la transferencia de calor del aparato de disipación de calor 600. En algunas modalidades, el aparato de disipación de calor mejorado 600 está elaborado de materiales térmicamente conductivos, tales como cobre, aluminio o cualquier otro material con la capacidad de extraer calor del aparato de circuito integrado. En algunas modalidades, el núcleo 210 puede incluir medios de transporte de calor, tal como una o más tuberías térmicas, un liquido, un termo-sifón, u otro medio de transporte de calor similar adecuado para aumentar la extracción de calor del aparato de circuito integrado. En algunas modalidades, la primera y segunda formaciones 620 y 690 ocupan un primero y segundo volumen de espacio, respectivamente, alrededor de las áreas de superficie superior e inferior 230 y 240, de modo que el primer volumen es menor al segundo para permitir que los componentes sean montados en el tablero de circuitos 130 y debajo de la primera formación 620. Conclusión El aparato y método antes descritos, proporcionan, entre otras cosas, una disipación de calor mejorada utilizando, cuando sea posible, una formación de estructuras de aletas que se extienden en forma radial. Esto permite que los componentes electrónicos se incorporen en los alrededores de un aparato de circuito integrado en el cual están montados, manteniendo un alto desempeño y efectividad de costo, apalancando las técnicas de fabricación de volúmenes altos que son posibles actualmente.

Claims

R E I V I N D I C A C I O N E S 1. Un aparato de disipación de calor mejoradA, que comprende: un núcleo térmicamente conductivo, en donde el núcleo tiene áreas de superficie externas superiores e inferiores; y una primera formación de estructuras de aletas de pernos que se extienden en forma radial, estando la primera formación térmicamente acoplada con el área de superficie superior del núcleo, de modo que un medio de enfriamiento introducido alrededor de las áreas de superficie superiores e inferiores del núcleo de la primera formación, crea un flujo omni-direccional alrededor de la primera formación y las áreas de superficie superiores e inferiores para mejorar la disipación de calor. 2. El aparato de conformidad con la reivindicación 1, en donde el núcleo tiene además un eje, en donde las áreas de superficie superiores e inferiores están paralelas al eje, en donde el núcleo tiene además una base, en donde la base está colocada de modo que es perpendicular al eje y está en proximidad cercana al área de superficie inferior, en donde las áreas de superficie superiores e inferiores están concéntricas al eje. 3. El aparato de conformidad con la reivindicación 2, en donde la primera formación está acoplada en forma térmica al área de superficie superior, de manera que los componentes pueden ser montados alrededor y en proximidad cercana al área de superficie inferior y debajo de la primera formación, cuando el aparato está montado sobre un aparato de circuito integrado. 4. El aparato de conformidad con la reivindicación 1, en donde el núcleo tiene una forma, tal como cilindrica, cónica, cuadrada rectangular. 5. El aparato de conformidad con la reivindicación 4, en donde el núcleo incluye un medio de transporte de calor, tal como una o más tuberías térmicas, un liquido, un termo-sifón u otros medios de transporte de calor similar. 6. El aparato de conformidad con la reivindicación 1, que comprende además: una segunda formación de estructuras de aletas de perno que se extienden en forma radial, en donde la segunda formación está acoplada al área de superficie inferior del núcleo. 7. El aparato de conformidad con la reivindicación 6, en donde la segunda formación tiene el tamaño suficiente para permitir que los componentes sean montados alrededor y en proximidad cercana a la segunda formación y debajo de la primera formación, cuando el aparato está montado en un aparato de circuito integrado. 8. El aparato de conformidad con la reivindicación 7, en donde la primera y segunda formaciones tienen una forma externa, tal como circular, cuadrada, rectangular, elíptica, cónica o cualquier otra forma adecuada para permitir que los componentes se incorporen en los alrededores y estén en proximidad cercana a la primeras y segunda formaciones. 9. El aparato de conformidad con la reivindicación 8, en donde el núcleo de la primera y segunda formaciones, está elaborado de materiales, tales como aluminio, cobre u otros materiales que tiene la capacidad de extraer calor del aparato de circuito integrado. 10. Un sistema de disipación de calor, que comprende: un aparato de circuito integrado, que tiene una parte frontal y una parte trasera, en donde la parte frontal está colocada a través de la parte trasera, en donde la parte frontal está adherida a un tablero de circuitos que tiene componentes. un aparato de disipación de calor mejorada que comprende: un núcleo térmicamente conductivo, acoplado en forma térmica a la parte trasera del aparato de circuito integrado, teniendo el núcleo áreas de superficie externas superiores e inferiores, en donde las áreas de superficie superiores e inferiores tienen una primera y segunda longitud; y una primera formación de estructuras de aletas de perno que se extienden en forma radial, la primera formación está acoplada en forma térmica a área de superficie superior, de modo que la primera formación rodea el área de superficie superior, siendo suficiente la primera longitud de la primera formación para permitir que los componentes sean montados en el tablero de circuitos y debajo de la primera formación. 11. El sistema de conformidad con la reivindicación 10, en donde el núcleo comprende además una base, en donde la base está en proximidad cercana con el área de superficie inferior, en donde la parte trasera del aparato de circuito integrado y la base tienen tamaño de área de presión coincidentes para que las temperaturas del aparato de circuito integrado, la base, la primera formación y el núcleo estén sustancialmente cercanas entre si durante la operación para mejorar la transferencia de calor del aparato de circuito integrado. 12. El sistema térmico de conformidad con la reivindicación 11, que comprende además: un medio de transporte de calor, en donde el núcleo tiene además un superficie superior colocada a través de la base y en proximidad cercana con una de las superficies superior, en donde el medio de transporte de calor está adherido a la superficie superior de modo que la dirección de flujo de un medio de enfriamiento introducido a través del medio de transferencia de calor en la primera formación de las estructuras de aletas de perno que se extienden en forma radial, crea un flujo de aire omni-direccional alrededor del núcleo y la primera formación, para mejorar la disipación de calor del aparato de circuito integrado. 13. El sistema de conformidad con la reivindicación 12, que comprende además: una segunda formación de estructura de aletas de perno que se extienden en forma radial, la segunda formación está acoplada en forma térmica al área de superficie interior, la primera y segunda formaciones que ocupan el primero y segundo volumen de espacio alrededor de las áreas de superficie superiores e inferiores respectivamente, en donde el segundo volumen es menor al primer volumen, lo suficiente para permitir que los componentes sean montados en el tablero de circuitos y debajo de la primera formación, en donde la dirección de flujo del medio de enfriamiento introducido a través del medio de transferencia de calor en la segunda formación, crea además un flujo de aire omni-direccional alrededor del núcleo y la segunda formación para aumentar la disipación de calor del aparato de circuito integrado. 14. El sistema de conformidad con la reivindicación 10, en donde el aparato de circuito integrado es un microprocesador. 15. Un aparato de disipación de calor mejorado, que comprende : un núcleo térmicamente conductivo, en donde el núcleo tiene áreas de superficie externas superiores e inferiores, el núcleo tiene un eje, en donde la superficies superiores e inferiores son paralelas al eje, en donde el núcleo tiene además una base, en donde la base está colocada de modo que es perpendicular al eje y está en proximidad cercana al área de superficie inferior; una primera formación de estructuras de aletas sustancialmente planas que se extienden en forma radial, estando acoplada en forma térmica la primera formación al área de superficie superior del núcleo, en donde las estructuras de aletas están sustancialmente paralelas al eje de modo que un medio de enfriamiento introducido alrededor del núcleo y la primera formación crea una dirección de flujo sustancialmente paralela al eje y alrededor de las áreas de superficie superiores e inferiores para aumentar la disipación de calor. 16. El aparato de conformidad con la reivindicación 15, en donde las áreas de superficie superiores e inferiores están concéntricas al eje. 17. El aparato de conformidad con la reivindicación 15, en donde la primera formación está acoplada térmicamente al área de superficie superior, de modo que los componentes pueden ser montados alrededor y en una proximidad cercana al área de superficie inferior y debajo de la primera formación, cuando el aparato esté montado en un aparato de circuito integrado. 18. El aparato de conformidad con la reivindicación 15, en donde el núcleo tiene una forma tal como cilindrica, cónica, cuadrada o rectangular. 19. El aparato de conformidad con la reivindicación 18, en donde el núcleo incluye un medio de transporte de calor tal como una o más tuberías térmicas, un liquido, un termo-sifón u otro medio de transporte de calor similar. 20. El aparato de conformidad con la reivindicación 15, que comprende además: una segunda formación de estructuras de aletas sustancialmente planas que se extienden en forma radial, en donde la segunda formación está acoplada al área de superficie inferior del núcleo, en donde las estructuras de aletas de la segunda formación están sustancialmente paralelas al eje, de modo que un medio de incremento introducido alrededor del núcleo en la segunda formación crea un flujo direccional sustancialmente paralelo al eje y alrededor de las áreas de superficie superiores e inferiores para aumentar la disipación de calor. 21. El aparato de conformidad con la reivindicación 20, en donde la segunda formación tiene un tamaño suficiente para permitir que los componentes sean montados alrededor y en proximidad cercana a la segunda formación y debajo de la primera formación, cuando el aparato está montado en un aparato de circuito integrado. 22. El aparato de conformidad con la reivindicación 20, en donde las estructuras de aletas de la primera y segunda formaciones están alineadas y adheridas para formar una sola formación. 23. El aparato de conformidad con la reivindicación 21, en donde la primera y segunda formaciones tienen una forma externa, tal como circular, cuadrada, rectangular, elíptica, cónica o cualquier otra forma adecuada para permitir que los componentes invadan los alrededores y estén en proximidad cercana con la primera y segunda formaciones. 24. El aparato de conformidad con la reivindicación 23, en donde el núcleo y la primera y segunda formaciones están elaborados de materiales, tales como aluminio, cobre u otros materiales con la capacidad de extraer calor del aparato de circuito integrado. 25. Un sistema de disipación de calor, que comprende: un aparato de circuito integrado, que tiene un parte frontal y una parte trasera, en donde la parte frontal está colocada a través de la parte trasera, en donde la parte frontal está adherida a un tablero de circuitos que tiene componentes; un aparato de disipación de calor mejorada, que comprende: un núcleo térmicamente conductivo, en donde el núcleo tiene superficies externas superiores e inferiores, el núcleo tiene un eje, en donde las áreas de superficie superiores e inferiores son paralelas al eje, en donde el núcleo tiene además una base, en donde la base está colocada en forma perpendicular al eje, en donde la base está térmicamente acoplada a la parte trasera del aparato de circuito integrado, en donde las áreas de superficie superiores e inferiores tienen una primera y segunda longitud; y una primera formación de estructuras de aletas sustancialmente planas que se extienden en forma radial, la primera formación está acoplada en forma térmica al área de superficie superior, de modo que la primera formación rodea el área de superficie superior, en donde las estructuras de aletas están sustancialmente paralelas al eje, de modo que un medio de enfriamiento introducido alrededor del núcleo tiene una dirección de flujo sustancialmente paralela a las áreas de superficie superiores e inferiores para mejorar la disipación de calor del aparato de circuito integrado, siendo suficiente la primera longitud de la primera formación para permitir que los componentes sean montados en el tablero de circuitos y debajo de esta formación. 26. El sistema de conformidad con la reivindicación 25, en donde la base está en proximidad cercana con el área de superficie inferior, la parte trasera del aparato de circuito integrado y la base tienen tamaños de área de presión coincidentes, de modo que las temperaturas del aparato de circuito integrado, la base, la primera formación y el núcleo estén sustancialmente cercanas entre si durante la operación, para aumentar la transferencia de calor del aparato de circuito integrado. 27. El sistema térmico de conformidad con la reivindicación 26, que comprende, además: un medio de transporte de calor, en donde el núcleo tiene además una superficie superior colocada a través de la base y en proximidad cercana con al área de superficie superior, en donde el medio de transporte de calor está adherido a la superficie superior de modo que, el medio de enfriamiento introducido a través del medio de transferencia de calor en la primera formación de las estructuras de aletas sustancialmente planas que se extienden en forma radial, crea una dirección de flujo sustancialmente paralela a las áreas de superficie superiores e inferiores para aumentar la disipación de calor del aparato de circuito integrado. 28. El sistema de conformidad con la reivindicación 27, que comprende, además: una segunda formación de estructuras de aletas sustancialmente planas que se extienden en forma radial, la segunda formación está acoplada en forma térmica al área de superficie inferior, las estructuras de aletas de la segunda formación están sustancialmente paralelas al eje, la primera y segunda formaciones que ocupan el primero y segundo volumen del espacio alrededor de las áreas de superficie superiores e inferiores, respectivamente, en donde el segundo volumen es menor que el primero, lo suficiente para permitir que los componentes sean montados en el tablero de circuitos y debajo de la primera formación, en donde la dirección de flujo del medio de enfriamiento introducido por el medio de transferencia de calor en la segunda formación, crea además un flujo de aire sustancialmente paralelo al eje y alrededor de las áreas de superficie superiores e inferiores para montar la disipación de calor del aparato de circuito integrado. 29. El sistema de conformidad con la reivindicación 15, en donde el aparato de circuito integrado es un microprocesador. 30. Un aparato de disipación de calor mejorado, que comprende: un núcleo térmicamente conductivo, en donde el núcleo tiene áreas de superficie externas superiores e inferiores, el núcleo tiene un eje, en donde las superficies superiores e inferiores están paralelas al eje, en donde el núcleo tiene además una base, en donde la base está colocada en forma perpendicular al eje y está en proximidad cercana al área de superficie inferior; y una primera formación de estructuras de aletas sustancialmente planas que se extienden en forma radial que están acopladas en forma térmica la primera formación con el área de superficie superior, en donde las estructuras de aletas están sustancialmente perpendiculares al eje, de modo que un medio de enfriamiento introducido alrededor del núcleo y la primera formación, crea una dirección de flujo sustancialmente perpendicular al eje y alrededor de las áreas de superficie superiores e inferiores para aumentar la disipación de calor. 31. El aparato de conformidad con la reivindicación 30, en donde la primera formación está acoplada en forma térmica al área de superficie superior de modo que los componentes pueden ser montados alrededor y en proximidad cercana al área de superficie inferior y debajo de la primera formación, cuando el aparato está montado en un aparato de circuito integrado. 32. El aparato de conformidad con la reivindicación 30, en donde el núcleo tiene una forma, tal como cilindrica, cónica, cuadrada o rectangular. 33. El aparato de conformidad con la reivindicación 32, en donde el núcleo incluye un medio de transporte de calor, tal como una o más tuberías térmicas, un liquido, un termo-sifón u otro medio de transporte de calor similar. 34. El aparato de conformidad con la reivindicación 30, que comprende además: una segunda formación de estructuras de aletas sustancialmente planas que se extienden en forma radial, en donde la segunda formación está acoplada al área de superficie inferior del núcleo, en donde las estructuras de aletas de la segunda formación están sustancialmente perpendiculares al eje, de modo que el medio de enfriamiento introducido alrededor del núcleo y la segunda formación crea una dirección de flujo sustancialmente perpendicular al eje y alrededor de las áreas de superficie superiores e inferiores para aumentar la disipación de calor 35, El aparato de conformidad con la reivindicación 34, en donde la segunda formación tiene un tamaño suficiente para permitir que los componentes sean montados alrededor y en proximidad cercana con la segunda formación y debajo de la primera formación, cuando el aparato está montado sobre un aparato de circuito integrado. 36. El aparato de conformidad con la reivindicación 35, en donde la primera y segunda formaciones tienen una forma externa, tal como circular, cuadrada, rectangular, elíptica, cónica o cualquier otra forma adecuada para permitir que los componentes se incorporen en los alrededores y estén en proximidad cercana a la primera y segunda formaciones. 37. El aparato de conformidad con la reivindicación 36, en donde el núcleo y la primera y segunda formaciones están elaborados de materiales, tales como aluminio, cobre u otros materiales con las capacidad de extraer calor del aparato de circuito integrado. 38. Un sistema de disipación de calor, que comprende: un aparato de circuito integrado, que tiene un parte frontal y una parte trasera, en donde la parte frontal está colocada a través de la parte trasera, en donde la parte frontal está adherida a un tablero de circuitos que tiene componentes; un aparato de disipación de calor mejorada, que comprende: un núcleo térmicamente cond uctivo, en donde el núcleo tiene áreas de superficie externas superiores e inferiores , el núcleo tiene un eje , en donde las áreas de superficie superiores e inferiores están pa ralelas al eje , en donde el n úcleo tiene además una base , en donde la base está colocada en forma perpendicular al eje, en donde la base está térmicamente acoplada a la parte trasera del aparato de circu ito integrado , en donde las áreas de superficie superiores e inferiores tienen una primera y segu nda longitud ; y u na primera formación de estructuras de aletas sustancialmente planas q ue se extienden en forma radial , la primera formación está acoplada en forma térmica al área de superficie superior, de modo que la primera formación rodea el área de superficie superior, en donde las estructuras de aletas están sustancialmente perpendiculares al eje , de modo q ue el med io de enfriam iento introducido alrededor del n úcleo tiene una dirección de flujo sustancialmente perpendicu lar a las áreas de superficie su periores e inferiores para aumentar la disipación de calor del aparato de circuito integrado, siendo suficiente la primera longitud de la primera formación para permitir q ue los com ponentes sean montados en el tablero de circuitos y debajo de la primera formación . 39. El sistema de conformidad con la reivindicación 38 , en donde la base está en proximidad cercana con el área de superficie inferior, la parte trasera del aparato de circuito integrado y la base tienen tamaños de área de presión coincidentes, de modo que las temperaturas del aparato de circuito integrado, la base, la primera formación y el núcleo están sustancialmente cercanas entre si durante la operación, para aumentar la transferencia de calor del aparato de circuito integrado. 40. El sistema térmico de conformidad con la reivindicación 39, que comprende, además: un medio de transporte de calor, en donde el medio de transporte de calor está colocado alrededor del aparato para que el medio de enfriamiento introducido a través del medio de transporte de calor alrededor de la primera formación, cree un flujo alrededor del núcleo y la primera formación, de modo que el flujo esté sustancialmente perpendicular al eje para aumentar la disipación de calor del aparato de circuito integrado. 41. El sistema de conformidad con la reivindicación 40, que comprende además: una segunda formación de estructuras de aletas sustancialmente planas que se extienden en forma radial, la segunda formación está acoplada en forma térmica al área de superficie inferior, las estructuras de aletas de la segunda formación están sustancialmente perpendiculares al eje, ocupando la primera y segunda formaciones un primer y segundo volumen de espacio alrededor de las áreas de superficie superiores e inferiores, respectivamente, en donde el segundo, volumen es menor que el primero, lo suficiente para permitir que los componentes sean montados en el tablero de circuitos y debajo de la primera formación, en donde la dirección de flujo del medio de enfriamiento introducido por el medio de transferencia de calor en la segu nda formación , crea además u n flujo de aire sustancialmente perpendicular al eje y alrededor de las áreas de superficie superiores e inferiores . 42. El sistema de conformidad con la reivindicación 38 , en donde el aparato de circuito integ rado es un microprocesador. R E S U M E N Un aparato de disipación de calor mejorado para extraer calor de un aparato de circuito integrado, que incluye un núcleo térmicamente conductivo que tiene áreas de superficie externas superiores e inferiores. El aparato incluye además una formación de estructuras de aletas de perno que se extienden en forma radial. La primera formación está acoplada en forma térmica al área de superficie superior, de modo que el medio de enfriamiento introducido al alrededor del núcleo y la primera formación crean un flujo omni-direccional alrededor de la primera formación y el núcleo para mejorar la disipación de calor del aparato de circuito integrado. El núcleo que incluye la primera formación y el área de superficie inferior, tiene un tamaño suficiente para que los componentes en un tarjeta madre se incorporen en el aparato de circuito integrado cuando el aparato de disipación de calor esté montado en el aparato de circuito integrado.