MXPA02010112A

MXPA02010112A - Dispositivo opto-electronico con iluminacion en la parte superior, con circuitos micro opticos y electronicos integrados.

Info

Publication number: MXPA02010112A
Application number: MXPA02010112A
Authority: MX
Inventors: Yue Lui
Original assignee: Honeywell Int Inc
Priority date: 2000-04-12
Filing date: 2001-04-12
Publication date: 2003-03-10
Also published as: WO2001080285A2; US6586776B1; BR0110006A; AU2001257028A1; US20030089902A1; PL357818A1; US6998646B2; HUP0300608A2; CN1436387A; CA2405859A1; EP1273079A2; US6780661B1; IL152265A0; WO2001080285A3; KR20020089459A; CZ20023727A3; JP2003531486A

Abstract

Se describe un dispositivo con circuitos opto- electronicos integrados que incluye dispositivos emisores/detectores en la parte superior sobre un sustrato. Los dispositivos emisores/detectores de la parte superior tienen lados superior e inferior. Los dispositivos emisores/detectores de la parte superior son capaces de emitir y detectar el haz de luz del lado superior, y tienen almohadillas de contacto en este lado. En el lado superior esta unido un estrato superior con transparencia optica. Pueden estar unidos al estrato superior dispositivos micro opticos como lentes. Las almohadillas de contacto estan unidas a almohadillas de acoplamiento de un chip de circuitos integrados para producir un circuito opto-electronico, integrado.

Description

DISPOSITIVO OPTO-ELECTRÓNICO CON ILUMINACIÓN EN LA PARTE SUPERIOR, CON CIRCUITOS MICRO ÓPTICOS Y ELECTRÓNICOS INTEGRADOS Interés del gobierno Esta invención se realizó con soporte del Gobierno de los E.U.A. bajo el contrato F5014-UCSD. El Gobierno puede tener ciertos derechos en la invención. ANTECEDENTES DE LA INVENCIÓN La tecnología de interconexión óptica se ha implementado exitosamente en telecomunicaciones de larga distancia, en sistemas de comunicaciones de red de área local, en interconexiones de computadora-a-computadora, e interconexiones conmutador-a-conmutador. La complejidad y velocidad de los dispositivos de circuito integrado tales como microprocesadores continua incrementándose a muy alta velocidad. Sin embargo, la capacidad de entrada y salida E/S (I/O = Input/Output) de estos dispositivos no ha sido capaz de ajustarse en escala a la misma velocidad, debido a las existentes limitaciones de empacado electrónico de estos dispositivos. También, las actuales tecnologías de integrar grandes conjuntos de dispositivos opto-electrónicos con dispositivos de circuitos integrados, requieren emisión/detección de fondo de un haz de luz, y estas metodologías en general no se ajustan en escala para fabricación a escala de plaquita u oblea y/o integración tanto de emisores como detectores . Por lo tanto, hay necesidad por un método para empacar un dispositivo opto-electrónico con un dispositivo de circuito integrado para una fabricación a escala de oblea susceptible a escalar, y al mismo tiempo proporcionar una capacidad de E/S (1/0) a gran escala, a un dispositivo de circuito . integrado. COMPENDIO DE LA INVENCIÓN Estos y otros aspectos, ventajas y características de la presente invención se establecerán en parte en la descripción que sigue, y en parte serán aparentes para aquellos con destreza en la especialidad por referencia a la siguiente descripción de la invención y los dibujos de referencia o por práctica de la invención. Los aspectos, ventajas y características de la invención se logran y alcanzan por medios, procedimientos y combinaciones particularmente señalados en las reivindicaciones anexas y sus equivalentes. De acuerdo con un aspecto de la presente materia, un método para empacar un dispositivo de circuito integrado opto-electrónico, incluye formar dispositivos emisores/detectores superiores en un substrato, de manera tal que los dispositivos emisores/detectores superiores tengan cojines de contacto superiores en un lado superior de los dispositivos emisores/detectores superiores, en donde el lado superior se coloca transversalmente desde el substrato, y además el substrato tiene un lado de fondo que es transversal desde el lado superior de los dispositivos emisores/detectores superiores. Un estrato superior transparente ópticamente se conecta sobre el lado superior de los dispositivos emisores/detectores superiores de manera tal que el estrato superior ópticamente transparente que tiene una superficie superior a través del lado superior de los dispositivos emisores/detectores superiores. Los cojines de contacto superiores están expuestos en el lado de fondo del substrato. Los cojines de contacto de fondo se forman en el lado de fondo y los cojines de contacto de fondo se conectan a los cojines de contacto superiores para llevar los cojines de contacto superiores al lado de fondo. Los cojines de contacto del lado de fondo están unidos con cojines correspondientes de un dispositivo de circuito integrado, para formar un dispositivo de circuito integrado opto/electrónico que tiene una entrada/salida E/S (1/0) de alta densidad óptica en un dispositivo de circuito integrado .

Otros aspectos de la invención serán aparentes al leer la siguiente descripción detallada de la invención y ver los dibujos que forman parte de la misma. BREVE DESCRIPCIÓN DE LOS DT.BUJOS En los dibujos, números semejantes describen componentes substancialmente similares a través de las diversas vistas. Números similares que tienen diferentes subíndices de letra, representan diferentes instancias de componentes substancialmente similares. La Figura 1 es una vista seccional de una modalidad de la técnica de un dispositivo empacado de acuerdo con la invención. La Figura 2 es un diagrama de flujo de un método ilustrativo de empacar un dispositivo de acuerdo con la invención. DESCRIPCIÓN DETALLADA En la siguiente descripción detallada se hace referencia a los dibujos acompañantes que forman parte de la misma, y en donde se muestra a manera de ilustración modalidades específicas en donde puede practicarse la invención. Estas modalidades se describen con detalle suficiente para permitir a aquellos con destreza en la especialidad el practicar la invención. Se entiende que las modalidades pueden ser combinadas, que otras modalidades puedan utilizarse y que cambios estructurales lógicos y eléctricos pueden realizarse, sin apartarse del espíritu y alcance de la presente invención. La siguiente descripción detallada por lo tanto no habrá de tomarse en un sentido limitante, y el alcance de la presente invención se define por las reivindicaciones anexas y sus equivalentes . En este documento, el término dispositivo emisor superior se entiende que se refiere a un láser emisor de superficie de cavidad vertical (VCSL = Vertical Cavity Surface Emitting Láser) o dispositivo semejante que emite luz desde un substrato, y el dispositivo detector superior se refiere a un fotodetector de metal-semiconductor de metal (PD) o dispositivo semejante. En este documento, el lado superior se refiere a un lado creciente de los dispositivos emisores/detectores superiores en un substrato, y el lado de fondo se refiere a un lado en el substrato que está a través desde el lado superior. Un dispositivo opto-electrónico se refiere a un substrato que incluye dispositivos emisores/detectores superiores en un lado superior, y además incluye un estrato superior transparente en los dispositivos emisores/detectores superiores. Emisor/detector superior se refiere a dispositivos que emiten y detectan luz desde el lado superior de los dispositivos emisores/detectores superiores. El término estrato superior se refiere a una oblea de material ópticamente transparente colocada en un substrato semiconductor que incluye una pluralidad de dispositivos emisores superiores y detectores superiores. También, superior se refiere a una superficie en el estrato superior transparente que es transversal desde el lado superior, y superficie de fondo se refiere a los dispositivos emisores/detectores superiores expuestos y la superficie de fondo también se entiende que está dispuesta transversal desde la superficie superior. La Figura 1 es una vista en sección frontal, que ilustra en general a manera de ejemplo, pero no a manera de limitación, una modalidad de empacado de un dispositivo de circuito integrado opto-electrónico 100 de acuerdo con la presente invención. Esto se logra en esta modalidad al formar dispositivos emisores/detectores superiores en un substrato adelgazado 110, de manera tal que los dispositivos emisores/detectores superiores tengan un lado superior 117 transversal desde el substrato adelgazado 110. En esta modalidad, el substrato adelgazado tiene un lado de fondo 115 transversal desde el lado superior 117. Los dispositivos emisores/detectores superiores emiten y detectan luz lejos del substrato adelgazado 110. Los dispositivos emisores/detectores superiores tienen cojines de contacto superiores 113 en el lado superior 117. En una modalidad, el substrato adelgazado es una oblea de arseniuro de galio. En esta modalidad, la oblea de arseniuro de galio incluye una pluralidad de dispositivos emisores/detectores superiores. El dispositivo emisor superior es un dispositivo láser emisor de superficie de cavidad vertical (VCSEL = Vertical Cavity Surface Emmiting Láser) capaz de emitir luz lejos desde una superficie planar del substrato, y un dispositivo detector superior es un dispositivo fotodetector de metal-semiconductor-metal . En esta modalidad, los dispositivos emisores/detectores superiores en el substrato adelgazado 110 son capaces de emitir y detectar una luz con longitud de onda de 850 nanómetros. Un estrato superior ópticamente transparente 120 se conecta al lado superior 117 de los dispositivos emisores/detectores superiores en el substrato adelgazado 110, de manera tal que el estrato superior ópticamente transparente 120 esté transversal desde el lado de fondo 115. El estrato superior ópticamente transparente tiene una superficie superior 125 transversal desde- el lado superior 117. El estrato superior ópticamente transparente 120 se elabora de una oblea de zafiro en este ejemplo. En otra modalidad, el estrato superior ópticamente transparente es una oblea de vidrio. En una modalidad adicional, los materiales del estrato superior ópticamente transparente 120 y los dispositivos emisores/detectores superiores en el estrato superior adelgazado 110, tienen propiedades térmicas semejantes, de manera tal que puedan soportar el ciclado térmico rápido introducido durante subsecuentes procesamiento y empacado. El estrato superior ópticamente transparente 120 puede unirse a los dispositivos emisores/detectores superiores 110. En esta modalidad, el adhesivo de unión también tiene propiedades térmicas similares a las del estrato superior ópticamente transparente y los dispositivos emisores/detectores superiores. El estrato superior ópticamente transparente 120 es transparente a una luz de 850 nanómetros de longitud de onda. El espesor del estrato superior ópticamente transparente 120 es suficiente para impartir resistencia mecánica al substrato adelgazado, incluyendo los dispositivos emisores/detectores superiores 110. El dispositivo de circuito integrado opto-electrónico 100 además puede incluir dispositivos micro-ópticos 130 conectados a la superficie superior 125 del estrato superior ópticamente transparente 120. En esta modalidad, los dispositivos micro-ópticos 130 se alinean con los dispositivos emisores/detectores superiores 110, para proporcionar una capacidad de procesamiento óptico a los dispositivos emisores/detectores superiores en el substrato adelgazado 110. En una modalidad, el procesamiento óptico incluye conformado de haz para los dispositivos emisores/detectores superiores 110. Los coj ines de contacto del lado superior de los dispositivos emisores/detectores superiores 110 se llevan a los cojines de contacto del lado de fondo por una capa de metal a través de la-vía 122. Un dispositivo de circuito integrado 150 se conecta a los dispositivos emisores/detectores superiores 110. Los cojines de contacto del lado de fondo 140 de los dispositivos emisores/detectores superiores en el substrato adelgazado 110 pueden ser unidos por choque o impacto, utilizando bolas de soldadura 160, a cojines de acoplamiento correspondientes 124 del dispositivo de circuito integrado 150, para proporcionar una capacidad de E/S (l/?) de alta capacidad óptica al dispositivo de circuito integrado 150. La Figura 2 es un diagrama de flujo que ilustra en general una modalidad de un método 200 de empacar un dispositivo opto-electrónico que tiene una alta capacidad E/S (1/0) de alta densidad a un dispositivo de circuito integrado electrónico. El método 200 incluye formar dispositivos emisores/detectores superiores en un lado superior de un substrato, bloque 210. En esta modalidad, los dispositivos emisores/detectores superiores tienen cojines de contacto superiores en el lado superior. El substrato incluye un lado posterior que es transversal desde el lado superior. Los dispositivos emisores/detectores superiores además incluyen una capa de parada de mordentado en el lado superior. El dispositivo emisor superior incluye un VCSEL capaz de emitir luz lejos del substrato, y el detector superior incluye un PD de metal-semiconductor-metal . La formación de los dispositivos emisores/detectores superiores en el substrato, comprende formar conjuntos bi-dimensionales de dispositivos VCSEL/PD en una oblea, que puede ser de arseniuro de galio. Los dispositivos emisores/detectores superiores pueden tener un paso de 50 micrómetros o menos, y la oblea de arseniuro de galio puede ser de aproximadamente 625 mieras de espesor. Los dispositivos emisores/detectores superiores en el substrato pueden probarse y calificarse en este punto, si se desea. La siguiente etapa 220 en el proceso es conectar un estrato superior ópticamente transparente 120 sobre el lado superior de los dispositivos emisores/detectores superiores, de manera tal que el estrato superior ópticamente transparente tenga una superficie superior transversal desde el lado superior del substrato 220. El estrato superior ópticamente transparente puede elaborarse de un material transparente a la luz con longitud de onda de 850 nanómetros, tal como zafiro o vidrio. El estrato superior ópticamente transparente es de espesor suficiente para proporcionar soporte mecánico a los dispositivos emisores/detectores superiores expuestos. El estrato superior ópticamente transparente y los dispositivos emisores/detectores superiores, pueden elaborarse de materiales que tienen propiedades térmicas similares, para soportar ciclado térmico introducido durante subsecuentes procesamiento y empacado. La siguiente etapa 230 en el proceso es exponer los cojines de contacto superior al lado de fondo 240. Esta etapa puede lograrse adelgazando el substrato desde el lado posterior del substrato, de manera tal que los cojines de contacto superiores se expongan al lado de fondo. La etapa de adelgazamiento también puede incluir el formar vía en el substrato desde el lado de fondo adelgazado para exponer los coj ines de contacto superiores al lado de fondo. Una vía puede formarse por mordentado químico en el lado de fondo del substrato adelgazado a la capa de parada de mordentado, para exponer los coj ines de contacto superiores al lado de fondo. En forma alterna, la formación de la vía comprende taladrar mecánicamente el lado de fondo del substrato adelgazado para exponer los cojines de contacto superiores al lado del fondo. El adelgazamiento puede ser por lapidado mecánico del lado de fondo del substrato de arseniuro de galio a un espesor de aproximadamente 50 mieras. La etapa de exposición también puede incluir el retirar el substrato para exponer los cojines de contacto superiores al lado de fondo. La etapa 240 en el proceso, incluye formar cojines de contacto de fondo en el lado de fondo. La siguiente etapa 250 incluye conectar los cojines de contacto de fondo con los cojines de contacto superiores para llevar los cojines de contacto superiores al lado de fondo para formar un dispositivo opto-electrónico. Esto puede realizarse al revestir los cojines de contacto de fondo para llevar los cojines de contacto superiores al lado de fondo. El revestir incluye formar el metal a-través-de-la-vía para llevar los cojines de contacto superiores al lado de fondo. Esto tiene una ventaja ya que los cojines de contacto del lado posterior y los cojines correspondientes de un dispositivo de circuito integrado estarían en el mismo plano, haciendo más fácil unir más el dispositivo opto-electrónico al dispositivo de circuito integrado y proporcionar la capacidad de tener una E/S (1/0) de alta densidad, al dispositivo de circuito integrado. También, el tener los cojines de contacto posterior y los cojines correspondientes de un dispositivo de circuito integrado en el mismo plano, facilita localizar cojines de contacto del lado frontal en cualquier parte que se requieran, por ejemplo para evitar interferencia con la ubicación de los dispositivos emisores/detectores. La etapa 260 en el proceso involucra integrar una oblea de dispositivos micro-ópticos 130 sobre la superficie superior del estrato superior ópticamente transparente 120, de manera tal que los dispositivos micro ópticos se alinean con los dispositivos emisores/detectores superiores correspondientes 260, para proporcionarles una capacidad de procesamiento óptico. El procesamiento óptico puede incluir por ejemplo conformado de haz, enfocar un haz de luz, filtrar el haz de luz e inclinar el haz de luz. La oblea de dispositivos micro ópticos puede fabricarse en un substrato separado, luego probarse y calificarse antes de integrarlo en los dispositivos opto-electrónicos . La oblea de dispositivos micro-ópticos puede unirse a la superficie superior del estrato superior ópticamente transparente . La etapa 270 en el proceso une los dispositivos opto-electrónicos al circuito integrado. Esto puede incluir cortar en forma de plaquitas los dispositivos opto-electrónicos incluyendo los dispositivos micro- ópticos, para producir lascas o circuitos integrados opto-electrónicos (chips) . Luego, los cojines de contacto en el lado superior de las lascas o chips opto-electrónicos se unen por impacto con cojines correspondientes de un dispositivos de circuito integrado, para producir un dispositivo de circuito integrado opto-electrónico que tiene una E/S (1/0) de alta densidad óptica en un dispositivo de circuito integrado . Conclusión El método anteriormente descrito proporciona, entre otras cosas, un dispositivo de circuito integrado que tiene una alta capacidad de E/S (I/O) en un dominio óptico. La alta capacidad de E/S (1/0) se logra al formar dispositivos emisores/detectores superiores en un lado superior de un substrato, en donde el substrato tiene un lado de fondo transversal desde el lado superior. Los dispositivos emisores/detectores superiores emiten y detectan luz en el lado superior. El emisor/detector superior tiene cojines de contacto superiores en el lado superior. Los cojines de contacto superiores se llevan al lado posterior al conectar los cojines de contacto superiores con los cojines de contacto de fondo o inferiores. Un estrato superior ópticamente transparente se conecta al lado superior de los dispositivos emisores/detectores superiores, de manera tal que el estrato superior ópticamente transparente esté transversal desde el lado de fondo y el estrato superior ópticamente transparente tiene una superficie superior transversal desde el lado superior, formando un dispositivo opto-electrónico. Dispositivos micro-ópticos pueden conectarse a la superficie superior del substrato transparente, de manera tal que los dispositivos micro-ópticos proporcionen capacidad de procesamiento óptico. Luego, un dispositivo de circuito integrado se conecta al lado inferior de un substrato, de manera tal que los coj ines de contacto de fondo o inferiores estén en contacto con los cojines correspondientes del dispositivo de circuito integrado, para formar un dispositivo de circuito integrado opto-electrónico que tiene alta capacidad E/S (I/O) . Habrá de entenderse que la descripción anterior se pretende como ilustrativa y no restrictiva. Muchas otras modalidades serán aparentes para aquellos con destreza en la especialidad al revisar la descripción anterior. El alcance de la invención por lo tanto deberá determinarse con referencia a las reivindicaciones anexas, junto con el alcance íntegro de equivalentes a los cuales tienen derecho dichas reivindicaciones.

Claims

REIVINDICACIONES 1.- Un método para empacar dispositivos opto-electrónicos, caracterizado porque comprende: formar dispositivos emisores/detectores superiores en un substrato, en donde los dispositivos emisores/detectores superiores tienen cojines de contacto superiores, en donde los dispositivos emisor-es/detectores superiores tienen un lado superior en los cojines de contacto superiores y colocados transversales desde el substrato, y donde el substrato tiene un lado inferior o de fondo transversal desde el lado superior, conectar un estrato superior ópticamente transparente sobre el lado superior de los dispositivos emisores/detectores superiores, de manera tal que el estrato superior ópticamente transparente tenga una superficie superior transversal desde el lado superior del substrato; exponer los cojines de contacto superiores al lado del fondo; formar cojines de contacto de fondo en el lado del fondo; y conectar los coj ines de contacto de fondo con los coj ines de contacto superiores.
2. - El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque los dispositivos emisor superior y detector superior comprenden una pluralidad de dispositivos emisores/detectores superiores para una lasca o chip opto-electrónico.
3. - El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el dispositivo emisor superior es un dispositivo láser emisor de superficie de cavidad vertical capaz de emitir luz lejos del substrato.
4.- El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el dispositivo detector superior- es un fotodetector dé metal-semiconductor-metal .
5. - El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque los dispositivos emi sores /de tec t ores comprenden dispositivos emisores/detectores capaces de emitir y detectar un haz de luz de longitud de onda de 850 nanómetros respectivamente.
6.- El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el substrato es una oblea de arseniuro de galio.
7.- El método de conformidad con la reivindicación 6, caracterizado porque además comprende probar la oblea del substrato de arseniuro de galio que incluye los dispositivos emisores/detectores superiores para calificar después de fabricación de los dispositivos emisores/detectores superiores en la oblea del substrato de arseniuro de galio.
8. - El método de conformidad con la reivindicación 6, caracterizado porque la oblea del substrato de arseniuro de galio tiene un espesor aproximado de 625 mieras.
9. - El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque la exposición de los cojines de contacto superiores al lado del fondo, además incluye: adelgazar el substrato desde el lado del fondo a un espesor predeterminado; y formar vía en el substrato desde el lado" del fondo adelgazado, para exponer los cojines de contacto superiores al lado de fondo .
10.- El método de conformidad con la reivindicación 9, caracterizado porque formar vía comprende mordentar químicamente el lado de fondo del substrato adelgazado para exponer los cojines de contacto superiores al lado de fondo.
11.- El método de conformidad con la reivindicación 9, caracterizado porque formar vía comprende taladrar mecánicamente el lado del fondo del substrato adelgazado para exponer los cojines de contacto superiores al lado del fondo.
12. - El método de conformidad con la reivindicación 9, caracterizado porque conectar los coj ines de contacto de fondo con los coj ines de contacto superiores además incluye formar un metal a través de-la-vía para conectar los coj ines de contacto de fondo con los cojines de contacto superiores.
13. - El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque la exposición de los cojines de contacto superiores al lado del fondo además incluye retirar el substrato desde el lado del fondo para exponer los cojines de contacto superiores al lado del fondo.
14.- El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el estrato superior ópticamente transparente se elabora de un material transparente a un haz de luz de longitud de onda 850 nanómetros.
15. - El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque los dispositivos emisor superior y detector superior y el estrato superior ópticamente transparente, tienen propiedades térmicas similares para soportar el ciclado térmico utilizado durante subsecuentes procesamiento y empacado.
16.- El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el estrato superior ópticamente transparente se elabora de una oblea de zafiro.
17.- El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque el estrato superior ópticamente transparente se elabora de una oblea de vidrio .
18. - El método de conformidad con la reivindicación 1, caracterizado porque además comprende integrar dispositivos micro-ópticos _en la superficie superior del estrato superior ópticamente transparente, para proporcionar una capacidad de procesamiento óptico a los dispositivos emisor superior y detector superior.
19.- - El método de conformidad con la reivindicación 18, caracterizado porque el procesamiento óptico comprende conformado con haz.
20.- El método de conformidad - con la reivindicación 18, caracterizado poxque el conformado con haz incluye enfocado de haz .
21.- El método de conformidad con la reivindicación 18, caracterizado porque el conformado con haz incluye filtrado de haz.
22.- El método de conformidad con la reivindicación 18, caracterizado porque el conformado con haz incluye inclinación de haz .
23. - El método de conformidad con la reivindicación 18, caracterizado porque los dispositivos micro-ópticos comprenden una oblea de dispositivos micro ópticos .
24. - El método de conformidad con la reivindicación 23, caracterizado porque además comprende unión de impacto de los cojines de contacto de fondo con cojines correspondientes de un dispositivo de circuito integrado, para producir_ un dispositivo de circuito integrado opto-electrónico que tiene capacidad de E/S (1/0) óptica de alta densidad en un dispositivo de circuito integrado.
25.- Un método para empacar un dispositivo opto-electrónico que tiene una capacidad de E/S (1/0) óptica de alta densidad en un dispositivo de circuito integrado, caracterizado porque comprende: formar una pluralidad de dispositivos emisores/detectores superiores que tienen coj ines de contacto superiores en una oblea de substrato de arseniuro de galio, en donde la pluralidad de dispositivos emisores/detectores superiores tienen un lado superior en los cojines de contacto superiores y colocados transversales desde la oblea del substrato de arseniuro de galio, y donde el substrato tiene un lado de fondo transversal desde el lado superior; conectar una oblea de estrato superior ópticamente transparente sobre el lado superior en la pluralidad de dispositivos emisores/detectores superiores, de manera tal que la oblea del estrato superior ópticamente transparente tenga una superficie superior transversal desde el lado superior; exponer los cojines de contacto superiores al lado del fondo de la oblea del substrato; formar cojines de contacto de fondo en el lado del fondo de la oblea del substrato; conectar los cojines de contacto de fondo con los cojines de contacto superiores para formar una pluralidad de dispositivos opto-electrónicos; integrar una oblea de dispositivos micro-ópticos en la superficie superior del estrato superior ópticamente transparente, de manera tal que los dispositivos micro-ópticos proporcionen una capacidad de procesamiento óptico a la pluralidad de dispositivos emisores/detectores superiores; cortar en cuadritos la pluralidad de dispositivos opto-electrónicos -incluyendo los dispositivos micro-ópticos para producir lascas o chips opto-electrónicos; y unir por impacto los cojines de contacto de fondo de una lasca o chip opto-electrónico, con cojines correspondientes de un dispositivo de circuito integrado para producir un dispositivo de circuito integrado opto-electrónico que tiene una capacidad de E/S (1/0) de alta densidad óptica en un dispositivo de circuito integrado.
26.- Un dispositivo opto-electrónico, caracterizado porque comprende: un substrato; dispositivos emisores/detectores superiores, en donde los dispositivos emisores/detectores superiores se forman en el substrato de manera tal que los dispositivos emisores/detectores superiores tengan un lado superior, en donde los dispositivos emisores/detectores superiores emiten y detectan luz desde el lado superior y en donde el substrato tiene un lado de fondo transversal desde el lado superior, en donde los dispositivos emisores/detectores superiores además tienen cojines de contacto en el lado superior, en donde el lado de fondo incluye cojines de contacto del lado de fondo, en donde los coj ines de contacto del lado de fondo se conectan a los cojines de contacto del lado superior para llevar los cojines de contacto del lado superior al lado de fondo; y un estrato superior ópticamente transparente, conectado al lado superior de los dispositivos emisores/detectores superiores, de manera tal que el substrato ópticamente transparente sea transversal desde el lado del fondo, en donde el substrato ópticamente transparente tiene una superficie superior transversal desde el lado superior.
27.- Dispositivo de conformidad con la reivindicación 26, caracterizado porque los dispositivos emisores/detectores superiores tiene una pluralidad de dispositivos emisores/detectores superiores.
28.- Dispositivo de conformidad con la reivindicación 26, caracterizado porque el dispositivo emisor superior es un dispositivo láser emisor de superficie de cavidad vertical, capaz de emitir luz lejos del substrato.
29.- Dispositivo de conformidad con la reivindicación 26, caracterizado porque el dispositivo detector superior es un fotodetector de metal -semiconductor-metal .
30.- El dispositivo de conformidad con la reivindicación 26, caracterizado porque los dispositivos emisores/detectores superiores son capaces de emitir y detectar un haz de luz de longitud de onda de 850 nanómetros .
31.- El dispositivo de conformidad con la reivindicación 26, caracterizado porque el substrato es una oblea de arseniuro de galio.
32.- El dispositivo de conformidad con la reivindicación 26, caracterizado porque el estrato superior ópticamente transparente se elabora de un material transparente a un haz de luz de longitud de onda de 850 nanómetros.
33.- El dispositivo de conformidad con la reivindicación 26, caracterizado porque además incluye dispositivos micro-ópticos, en donde los dispositivos micro-ópticos se conectan a la superficie superior del substrato ópticamente transparente, de manera tal que los dispositivos micro-ópticos sean capaces de procesar un haz de luz .
34.- El dispositivo de conformidad con la reivindicación 26, caracterizado porque los dispositivos emisores/detectores superiores y el estrato superior ópticamente transparente tienen propiedades térmicas similares .
35.- El dispositivo de conformidad con la reivindicación 26, caracterizado porque el estrato superior ópticamente transparente se elabora de zafiro.
36.- El dispositivo de conformidad con la reivindicación 26, caracterizado porque el estrato superior ópticamente transparente se elabora de vidrio.
37.- El dispositivo de conformidad con la reivindicación 26, caracterizado porque además incluye un dispositivo de circuito integrado, en donde los cojines de contacto del lado inferior o de fondo se conectan a los cojines correspondientes del dispositivo de circuito integrado, para proporcionar una capacidad de E/S (I/O) de alta capacidad óptica al dispositivo de circuito integrado .
38.- Un dispositivo de circuito integrado opto-electrónico, caracterizado porque comprende: un substrato; dispositivos emisores/detectores superiores, en donde los dispositivos emisores/detectores superiores se forman en ,el substrato,, -de _ manera tal que los dispositivos emisores/detectores superiores tengan un lado superior, en donde los dispositivos emisores/detectores superiores emiten y detectan luz desde el lado superior, y en donde el substrato tiene un lado de fondo transversal desde el lado superior, en donde los dispositivos emisores/detectores superiores además tienen cojines de contacto superiores en el lado superior, en donde el lado superior incluye cojines de contacto del lado de fondo, en donde los cojines de contacto del lado de fondo se conectan a los coj ines de contacto del lado superior para llevar los cojines de contacto superior al lado de fondo; un substrato ópticamente transparente, conectado al lado superior de los dispositivos emisores/detectores superiores, de manera tal que el substrato ópticamente transparente es transversal desde el lado de fondo, en donde el substrato ópticamente transparente tiene una superficie superior transversal desde el lado superior; dispositivos micro-ópticos conectados a la superficie superior del substrato ópticamente transparente, de manera tal que los dispositivos micro-ópticos puedan proporcionar procesamiento óptico a los dispositivos emisores/detectores superiores; y un dispositivo de circuito integrado conectado al lado de fondo del substrato, de manera 'tal que Jos cojines de contacto de fondo estén en contacto con cojines correspondientes del dispositivo de circuito integrado, para producir un dispositivo integrado que tiene una E/S (1/0) de alta capacidad óptica.
39.- Dispositivo de conformidad con la reivindicación 38, caracterizado porque los dispositivos emisores/detectores superiores son una pluralidad de dispositivos emisores/detectores superiores.
40.- Dispositivo de conformidad con la reivindicación 38, caracterizado porque el dispositivo emisor superior es un dispositivo láser emisor de superficie de cavidad vertical, capaz de emitir luz lejos del substrato.
41.- Dispositivo de conformidad con la reivindicación 38 caracterizado porque el dispositivo detector superior es un fotodetector de metal-semiconductor-metal.
42.- El dispositivo de conformidad con la reivindicación 38, caracterizado porque los dispositivos emisores/detectores superiores son capaces de emitir y detectar un haz de luz con longitud de onda de 850 nanómetros.
43.- El dispositivo de conformidad con la reivindicación 38, caracterizado porque el estrato superior ópticamente transparente se elabora de un material transparente al haz de luz de longitud de onda de 850 nanómetros. 44-. - El dispositivo de conformidad con la reivindicación 38, caracterizado porque los dispositivos emisores/detectores superiores y el estrato superior ópticamente transparente, tienen propiedades térmicas similares . 45.- El dispositivo de conformidad con la reivindicación 38, caracterizado porque el estrato superior ópticamente transparente se elabora de zafiro. 46.- El dispositivo de conformidad con la reivindicación 38, caracterizado porque el estrato superior ópticamente transparente se elabora de vidrio.