MD3029C2 - Procedeu de obţinere a senzorilor (variante) - Google Patents
Procedeu de obţinere a senzorilor (variante) Download PDFInfo
- Publication number
- MD3029C2 MD3029C2 MDA20040208A MD20040208A MD3029C2 MD 3029 C2 MD3029 C2 MD 3029C2 MD A20040208 A MDA20040208 A MD A20040208A MD 20040208 A MD20040208 A MD 20040208A MD 3029 C2 MD3029 C2 MD 3029C2
- Authority
- MD
- Moldova
- Prior art keywords
- obtained materials
- metal
- chemical components
- ultra
- variant
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la electronică, în particular la tehnologiile de obţinere a senzorilor, şi poate fi utilizată pentru obţinerea senzorilor pe baza straturilor de oxizi de semiconductor sau de metal.Procedeul de obţinere a senzorilor, după prima variantă, include depunerea chimică a straturilor de oxizi de semiconductor sau de metal pe un substrat, în prezenţa razelor ultraviolete. Apoi se efectuează prelucrarea fototermică rapidă a materialelor obţinute în vid, in aer sau in camera de gaze, de exemplu, cu oxigen.Procedeul de obţinere a senzorilor, după a doua variantă, include depunerea chimică a straturilor de oxizi de semiconductor sau de metal pe un substrat, în prezenţa razelor ultraviolete. Suplimentar are loc doparea materialelor obţinute cu cel puţin o impuritate, donor sau acceptor, odată cu depunerea chimică. Apoi, are loc prelucrarea fototermică rapidă a materialelor obţinute, care are loc in vid, in aer sau in camera de gaze, de exemplu, cu oxigen.Procedeul de obţinere a senzorilor, după a treia variantă, include depunerea chimică a straturilor de oxizi de semiconductor sau de metal pe un substrat, în prezenţa razelor ultraviolete. Apoi, suplimentar are loc doparea materialelor obţinute cu cel puţin o impuritate donor sau acceptor, apoi se efectuează prelucrarea fototermică rapidă a materialelor obţinute, care are loc in vid, in aer sau in camera de gaze, de exemplu, cu oxigen.Procedeul de obţinere a senzorilor, după a patra variantă, include depunerea chimică a straturilor de oxizi de semiconductor sau de metal pe un substrat, în prezenţa razelor ultraviolete. Apoi, suplimentar are loc prelucrarea fototermică rapidă a materialelor obţinute, care are loc in vid, in aer sau in camera de gaze, de exemplu, cu oxigen, şi în acelaşi timp se efectuează doparea prin difuzie a lor cu cel puţin o impuritate, donor sau acceptor.Procedeul de obţinere a senzorilor, după a cincia variantă, include depunerea chimică a straturilor de oxizi de semiconductor sau de metal pe un substrat, în prezenţa razelor ultraviolete. Apoi, suplimentar se efectueazădoparea prin difuzie cu cel puţin o impuritate, donor sau acceptor, concentraţia impurităţilor fiind maxim posibilă pentru materialul obţinut, mai apoi se efectuează prelucrarea fototermică rapidă a materialelor obţinute, care are loc in vid, in aer sau in camera de gaze, de exemplu, cu oxigen, cu condiţia micşorării temperaturii de la temperatura dopării, până la temperatura mediului înconjurător.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20040208A MD3029C2 (ro) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | Procedeu de obţinere a senzorilor (variante) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| MDA20040208A MD3029C2 (ro) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | Procedeu de obţinere a senzorilor (variante) |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| MD3029B1 MD3029B1 (ro) | 2006-04-30 |
| MD3029C2 true MD3029C2 (ro) | 2006-11-30 |
Family
ID=36202584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| MDA20040208A MD3029C2 (ro) | 2004-09-06 | 2004-09-06 | Procedeu de obţinere a senzorilor (variante) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| MD (1) | MD3029C2 (ro) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD20080058A (ro) * | 2008-02-25 | 2009-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Dispozitiv de obţinere a peliculelor supraconductoare |
| MD175Z (ro) * | 2008-02-25 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Dispozitiv de obţinere a peliculelor supraconductoare |
| MD353Z (ro) * | 2010-02-24 | 2011-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий | Ventil supraconductor de spin |
| RU2542977C2 (ru) * | 2009-10-15 | 2015-02-27 | Аркема Инк. | НАНЕСЕНИЕ ЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК ZnO НА ПОЛИМЕРНЫЕ ПОДЛОЖКИ ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ УФ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4574264A (en) * | 1982-11-17 | 1986-03-04 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Thin film oxygen sensor with microheater |
| US5271821A (en) * | 1988-03-03 | 1993-12-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Oxygen sensor and method of producing the same |
| US6294374B1 (en) * | 1999-10-08 | 2001-09-25 | The Scripps Research Institute | Use of catalytic antibodies for synthesizing epothilone |
-
2004
- 2004-09-06 MD MDA20040208A patent/MD3029C2/ro not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4574264A (en) * | 1982-11-17 | 1986-03-04 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Thin film oxygen sensor with microheater |
| US5271821A (en) * | 1988-03-03 | 1993-12-21 | Ngk Insulators, Ltd. | Oxygen sensor and method of producing the same |
| US6294374B1 (en) * | 1999-10-08 | 2001-09-25 | The Scripps Research Institute | Use of catalytic antibodies for synthesizing epothilone |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Arijit Chowdhury et al. Fast response characteristics with ultra-thin CuO islands on sputtered SnO2, Sensors and Actuators, B93, 2003, p. 572-579 * |
| S. Leopold, I.U. Schuchrt et al. Electrochemical depozition of cilindrical Cu/Cu2O microstructures, Electrochemica Arta, 47, 2002, p. 4393 – 4397 * |
| Won Jae Moon et al. The CO and H2 gas selectivity of CuO-doped SnO2-ZnO compoyite gas sensor, Sensors and Actuators, B 87, 2002, p. 464-470 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MD20080058A (ro) * | 2008-02-25 | 2009-08-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Dispozitiv de obţinere a peliculelor supraconductoare |
| MD175Z (ro) * | 2008-02-25 | 2010-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий Академии Наук Молдовы | Dispozitiv de obţinere a peliculelor supraconductoare |
| RU2542977C2 (ru) * | 2009-10-15 | 2015-02-27 | Аркема Инк. | НАНЕСЕНИЕ ЛЕГИРОВАННЫХ ПЛЕНОК ZnO НА ПОЛИМЕРНЫЕ ПОДЛОЖКИ ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ УФ |
| MD353Z (ro) * | 2010-02-24 | 2011-10-31 | Институт Электронной Инженерии И Промышленных Технологий | Ventil supraconductor de spin |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| MD3029B1 (ro) | 2006-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8512471B2 (en) | Halosilane assisted PVT growth of SiC | |
| WO2006091588A3 (en) | Etching chamber with subchamber | |
| IL180213A0 (en) | Quartz glass jig for processing semiconductor wafers and method for producing the jig | |
| JP5886627B2 (ja) | 汚染材料が高純度シリコンに寄与する不純物の量を決定する方法及び高純度シリコンを処理する炉 | |
| EP2009681A3 (en) | Methods for high temperature etching a high-k material gate structure | |
| ITBO20030348A1 (it) | Camera per sensori di gas e metodo di rilevamento di odori. | |
| Tang et al. | Multiple roles of hydrogen treatments in amorphous in–Ga–Zn–O films | |
| TW200746354A (en) | Multi-step anneal of thin films for film densification and improved gap-fill | |
| CN201689872U (zh) | 一种具有气体检测装置的加热炉 | |
| MD3029C2 (ro) | Procedeu de obţinere a senzorilor (variante) | |
| KR20190123722A (ko) | 가스 배리어성 평가 장치 및 가스 배리어성 평가 방법 | |
| KR101503438B1 (ko) | 가스 센서 제조 방법 및 그를 이용하여 제조된 가스 센서 | |
| US8597732B2 (en) | Thin film depositing method | |
| MD3894G2 (ro) | Sesizor de gaze în baza semiconductorilor halcogenici sticloşi | |
| TW200634927A (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| WO2009150152A3 (en) | System and process for the production of polycrystalline silicon for photovoltaic use | |
| MD2859C2 (ro) | Nanotehnologie de obţinere a materialelor nanostructurate şi nanocompozite (variante) | |
| EP2259290A3 (en) | Methods of fabricating oxide layers on silicon carbide layers utilizing atomic oxygen | |
| Nakayama et al. | Super H2O-barrier film using Cat-CVD (HWCVD)-grown SiCN for film-based electronics | |
| TW200605101A (en) | Thermistor thin-film and its forming method | |
| TWI268555B (en) | Silicon wafer and process for producing it | |
| TW200639928A (en) | Thin-film forming apparatus | |
| TW200636829A (en) | Apparatus and method for thermal processing | |
| Morandi et al. | Cr–Sn oxide thin films: electrical and spectroscopic characterisation with CO, NO2, NH3 and ethanol | |
| Kondoh et al. | Measurements of trace gaseous ambient impurities on an atmospheric pressure rapid thermal processor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG4A | Patent for invention issued | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| KA4A | Patent for invention lapsed due to non-payment of fees (with right of restoration) | ||
| MM4A | Patent for invention definitely lapsed due to non-payment of fees |