LT6547B - Platinos cheminio nusodinimo tirpalas ir platinos tolydžios dangos formavimo būdas - Google Patents
Platinos cheminio nusodinimo tirpalas ir platinos tolydžios dangos formavimo būdas Download PDFInfo
- Publication number
- LT6547B LT6547B LT2016535A LT2016535A LT6547B LT 6547 B LT6547 B LT 6547B LT 2016535 A LT2016535 A LT 2016535A LT 2016535 A LT2016535 A LT 2016535A LT 6547 B LT6547 B LT 6547B
- Authority
- LT
- Lithuania
- Prior art keywords
- solution
- platinum
- chemical
- deposition
- chemical precipitation
- Prior art date
Links
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 114
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 48
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 title abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract 3
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims abstract description 11
- 101100059320 Mus musculus Ccdc85b gene Proteins 0.000 claims abstract description 9
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 claims abstract description 6
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 claims abstract description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims abstract description 3
- NDBYXKQCPYUOMI-UHFFFAOYSA-N platinum(4+) Chemical compound [Pt+4] NDBYXKQCPYUOMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000009388 chemical precipitation Methods 0.000 claims description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 claims description 4
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 platinum (IV) ions Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 claims description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 2
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 8
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 abstract description 2
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 abstract description 2
- 229910002666 PdCl2 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 abstract 1
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 41
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine hydrochloride Chemical compound Cl.ON WTDHULULXKLSOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000711 cancerogenic effect Effects 0.000 description 2
- 231100000315 carcinogenic Toxicity 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 231100001223 noncarcinogenic Toxicity 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M sodium nitrite Chemical compound [Na+].[O-]N=O LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 1
- BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L disodium hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].OP([O-])([O-])=O BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N ethenamine Chemical compound NC=C UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000003380 propellant Substances 0.000 description 1
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 1
- 235000010288 sodium nitrite Nutrition 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
Išradimas priskiriamas metalų cheminio (autokatalizinio) nusodinimo procesams, būtent platinos cheminiam nusodinimui. Išradimas gali būti panaudotas nusodinant platinos dangas ant dielektrikų, puslaidininkių arba sudėtingos konfigūracijos laidininkų. Išradimu siekiama sumažinti platinos cheminio nusodinimo tirpalo toksiškumą, supaprastinti ir atpiginti tolydžios platinos dangos formavimo būdą. Pagal išradimą platinos cheminio nusodinimo būdas apima dengiamo paviršiaus sensibilizavimą SnCl2 tirpale, aktyvavimą PdCl2 tirpale bei panardinimą į vonią su cheminio nusodinimo tirpalu, kur minėtą tirpalą sudaro: 0,003 - 0,03 M koncentracijos Na2Pt(OH)6, kaip platinos(IV) jonų šaltinis, 0,015 - 0,25 M koncentracijos diizopropanolaminas (Dipa), kaip ligandas, 0,01 - 0,1 M koncentracijos hidrazinas N2H4, kaip reduktorius ir koncentruota acto rūgštis CH3COOH kaip pH reguliatorius iki mišinio pH 10.
Description
Technikos sritis
Išradimas siejamas su platinos dangos formavimo būdu naudojant cheminio (besrovio) nusodinimo metodą, paremtą autokatalizinės metalų jonų redukcijos reakcijomis, kai reduktoriaus anodinės oksidacijos metu susidarę elektronai redukuoja Pt4+ jonus iki metalinės Pt, bei platinos cheminio nusodinimo tirpalu, skirtu šiam būdui realizuoti. Išradimas gali būti panaudotas nusodinant platinos dangas ant dielektrikų, puslaidininkių arba sudėtingos konfigūracijos laidininkų, pvz., gaminant elektronikos prietaisus ir jų komponentus, mikroelektronikoje chemiškai padengiant platiną ant natūralaus arba jau padengto kitų medžiagų sluoksniais silicio kaip barjerinis sluoksnis, panaudojant platinos dangas efektyviai apsaugai nuo korozijos, o taip pat nusodinant platinos sluoksnį, kaip raketinio kuro degimo katalizatorių, ant sudėtingos konfigūracijos ir prigimties nešėjų aerokosminių variklių gamyboje.
Technikos lygis
Šiuo metu žinomus platinos cheminio nusodinimo tirpalus galima suskirstyti j šarminius ir rūgštinius.
US 3486928 (1969 12 30) aprašoma cheminio platinavimo vonia, kurioje Pt(IV) jonų šaltiniu naudojamas heksahidroksi platinos(IV) kompleksas, bei hidrazinas kaip reduktorius. Šio tirpalo trūkumai: aukštesnė nei kambario temperatūra (35 °C), tirpalo stabilizavimo priedu naudojamas kancerogeniškas etilendiaminas, hidrazino kiekis tirpale turi būti pastoviai papildomas, nes, esant didesnėms hidrazino koncentracijoms, vyksta Pt(IV) redukcija visame tirpalo tūryje.
US 3698939 (1972 10 17) taip pat aprašytas šarminis platinos cheminio nusodinimo tirpalas. Jo trūkumai: temperatūra aukštesnė nei kambario, pH palaikymui naudojamas stipriai garuojantis amoniakas, tirpale naudojami bent trys skirtingi stabilizuojantys priedai, galintys sorbuotis į nusodinamą platinos dangą, hidrazino kiekis tirpale turi būti pastoviai papildomas, nes, esant didesnėms hidrazino koncentracijoms, vyksta Pt(IV) redukcija visame tirpalo tūryje.
US 3562911 (1971 02 16) pasiūlytame rūgštiniame platinos cheminio nusodinimo tirpale tirpalai rūgštinami druskos rūgšties tirpalu. Šio tipo tirpalo trūkumai panašūs kaip ir šarminių platinos cheminio nusodinimo tirpalų: temperatūra ženkliai aukštesnė nei kambario, pH palaikymui naudojamas stipriai garuojantis druskos rūgšties tirpalas, tirpale naudojami bent keturi skirtingi stabilizuojantys ir drėkinamumą gerinantys priedai, galintys sorbuotis į nusodinamą platinos dangą.
DE 2607988 (1977 08 11) platinos(IV) jonų šaltiniu buvo pasirinktas cisdiamino Pt(IV) dinitritas, o stabilizatoriais naudoti natrio nitritas ir dinatrio vandenilio fosfatas. Be stabilizatorių naudojimo, kaip trūkumus, galima paminėti aukštą darbinę tirpalo temperatūrą (60-95 °C), bei būdą, kai hidrazinas pridedamas lašais, o ne visas reikalingas kiekis iš karto.
JPS 59336667 (1984 08 17) taip pat buvo naudojamas cis-diamino Pt(IV) dinitratas bei hidrazinas, ligandu pasirinkus lakų amoniaką. Stabilizatoriumi buvo panaudotas hidroksilamino hidrochloridas, o dirbama buvo aukštesnėje, nei kambario temperatūroje (40-50 °C).
US 6391477 (2002 05 21) Pt(IV) šaltiniu buvo naudojamas diamino Pt(IV) dinitritas arba kalio tetranitroplatinatas. Šio tirpalo temperatūra taip pat buvo aukštesnė nei kambario ir lygi 50 °C.
Be aukščiau paminėtuose patentuose naudojamo reduktoriaus buvo pasiūlyti ir kiti reduktoriai.
JP 09287078 (1997 11 04) autoriai reduktoriumi panaudojo taip pat, kaip ir hidrazinas, vandenilį turintį reduktorių - borohidridą. Pasiūlyto platinos cheminio nusodinimo tirpalo trūkumai susiję su kancerogeninių aminų, tokių kaip etilendiaminas, etilenaminas, metilaminas, piperidinas, panaudojimu ligandais bei įvairių priedų, įskaitant sierą turinčius, panaudojimu.
JP 201037612 (2016 03 22) reduktoriumi taip pat buvo panaudotas borohidridas, o ligandu - toksiškas polietilenaminas. Reiktų pažymėti, kad, kaip ir aukščiau pateiktame patente, pagrindinis trūkumas yra tame, kad gautose dangose šalia redukuotos platinos būtinai susidaro elementinis boras ar į jas sorbuojami boro junginiai, o tai daro įtaką platinos dangos grynumui.
US 9499913 (2016 11 22) Pt(IV) redukcijai platinos cheminio nusodinimo tirpaluose buvo panaudotas krūvio pernešimo reduktorius - Co(lll)/Co(ll) redokso pora.
US 9469902 (2016 10 18) Pt(IV) redukcijai platinos cheminio nusodinimo tirpaluose taip pat buvo panaudotas krūvio pernešimo reduktorius kita redokso pora Ti(IV)/Ti(lll). Abiejų pastarųjų dviejų patentų esminis trūkumas yra tai, kad procesai turi vykti deguonies neturinčioje atmosferoje, nes Co(ll) bei Ti(lll) lengvai oksiduojami iki atitinkamai, Co(lll) ir Ti(IV). Tokių sąlygų užtikrinimas reikalauja daug papildomos įrangos ir lėšų.
Sprendžiama techninė problema
Išradimu siekiama sumažinti platinos cheminio nusodinimo tirpalo toksiškumą, supaprastinti ir atpiginti tolydžios platinos dangos formavimo būdą, leidžiantį nusodinti tolydžias ir kompaktiškas platinos dangas kambario temperatūroje ir be reduktoriaus papildymo proceso metu bei santykinai brangių priedų naudojimo.
Išradimo esmės atskleidimas
Pagal pasiūlytą išradimą platinos cheminio nusodinimo tirpalą sudaro: 0,0030,03 M koncentracijos Na2Pt(OH)6, kaip platinos(IV) jonų šaltinis, 0,015-0,25 M koncentracijos diizopropanolaminas (Dipa), kaip ligandas, 0,01-0,1 M koncentracijos hidrazinas N2H4, kaip reduktorius, koncentruota acto rūgštis CH3COOH, kaip pH reguliatorius iki mišinio pH 10.
Minėtas tirpalas yra iš 0,015 M Na2Pt(OH)6, 0,03 M Dipa, 0,056 M N2H4 ir CH3COOH iki pH 10.
Platinos tolydžios dangos formavimo būdas, apimantis dengimo paviršiaus sensibilizavimą SnCk tirpale, aktyvavimą PdCI2 tirpale bei panardinimą į vonią su cheminio nusodinimo tirpalu pagal bet kurį iš 1-2 išradimo apibrėžties punktų.
Sensibilizavimui naudojamo SnCI2 tirpalo koncentracija yra ribose 0,1-1,0 g/l, o aktyvavimui naudojamo PdCfe tirpalo koncentracija yra ribose 0,05-1,0 g/l. Platinos cheminio nusodinimo metu minėto tirpalo temperatūra neviršija 20 °C.
Platinos cheminio nusodinimo procesas vyksta, leidžiant per tirpalą azotą, kuris atlieka maišymo funkciją bei stabilizuoja tirpalą.
Išradimo naudingumas
Pagal pasiūlytą išradimą platinos cheminio nusodinimo tirpalas yra netoksiškas, kadangi naudojamas ekologiškas ir nekancerogeninis Pt(IV) ligandas, taip pat tirpalas neturi papildomų priedų, galinčių sorbuotis į nusodinamas platinos dangas.
Pagal pasiūlytą išradimą platinos dangos formavimo būdas leidžia nusodinti tolydžias ir kompaktiškas platinos dangas kambario temperatūroje ir be reduktoriaus papildymo proceso metu, t. y., vykdant platinos cheminį nusodinimą iš pradinio tirpalo be reaguojančių tirpalo komponentų papildymo.
Reduktoriumi naudojant hidraziną, kurio anodinės oksidacijos reakcijos metu susidaro tik dujiniai produktai ir neužteršią gautos suredukuotos metalinės platinos dangos, Pt(IV) ligandu buvo panaudotas ekologiškai nekenksmingas ir nekancerogeniškas ligandas diizopropanolaminas (Dipa):
HO, ,OH (1)
Formulė (1). Diizopropanolamino (Dipa) struktūrinė formulė
Pagal išradimą optimizuotos sudėties platinos cheminio nusodinimo tirpalo, kuriame reduktoriumi naudojamas hidrazinas, o ligandu - diizopropanolaminas, panaudojimas kambario temperatūroje, užtikrinančioje didesnį tirpalo tūrinį stabilumą bei padedančioje išvengti aukštesnėse temperatūrose vykstančio hidrazino skilimo, o tuo pačiu ir papildomo hidrazino pridėjimo į platinos cheminio nusodinimo tirpalą.
Išradimas detaliau paaiškinamas brėžiniais, kurie neapriboja išradimo apimties ir kuriuose pavaizduota:
Fig.1 Ant šiurkštinto stiklo chemiškai nusodintos platinos dangos SEM (skenuojančio elektronų mikroskopo) nuotrauka. Dangos nusodinimo sąlygos: 0,015 M Na2Pt(OH)6, 0,03 M Dipa, 0,056 M N2H4, CH3COOH iki pH 10; 20 °C, dengiama 90 min.
Fig.2 Platinos cheminio nusodinimo kinetika.
Išradimo realizavimo pavyzdys
Paruošiamas platinos cheminio nusodinimo tirpalas, kurio sudėtyje yra 0,015 M Na2Pt(OH)6, 0,03 M Dipa, 0,056 M N2H4, CH3COOH iki pH 10; 20 °C. Po to, kaip nurodyta, paruošiama šiurkštinto stiklo plokštelė: plokštelė 1 min. įmerkiama į 0,5 g/l SnCI2 sensibilizavimo tirpalą, praplaunama dejonizuotu vandeniu, po to 1 min. pamerkiama į 0,5 g/l PdCI2 aktyvavimo tirpalą, praplaunama dejonizuotu vandeniu ir įmerkiama į platinos cheminio nusodinimo tirpalą, kur dangos nusodinimas vyksta 90 min., leidžiant per tirpalą (barbotuojant) azotą, kuris atlieka maišymo funkciją, kartu stabilizuodamas tirpalą, kuriame nėra papildomų tam skirtų priedų. Po 90 min. dengiama plokštelė išimama iš tirpalo, praplaunama dejonizuotu vandeniu ir išdžiovinama. Gaunama tolydi platinos danga (1 pav.), o nusėdusios platinos kiekis yra apie 0,25 mg/cm2 (2 pav.).
Claims (6)
- IŠRADIMO APIBRĖŽTIS1. Platinos cheminio nusodinimo tirpalas, apimantis platinos (IV) jonų šaltinį, ligandą, reduktorių ir pH reguliatorių, besiskiriantis tuo, kad minėtas cheminio nusodinimo tirpalas apima:- 0,003-0,03 M koncentracijos Na2Pt(OH)6, kaip platinos(IV) jonų šaltinį;- 0,015-0,25 M koncentracijos diizopropanolaminą Dipa, kaip ligandą;- 0,01-0,1 M koncentracijos hidraziną N2H4, kaip reduktorių;- koncentruotą acto rūgštį CH3COOH, kaip pH reguliatorių iki mišinio pH 10.
- 2. Tirpalas pagal 1 punktą, besiskiriantis tuo, kad minėtas tirpalas yra iš 0,015 M Na2Pt(OH)6, 0,03 M Dipa, 0,056 M N2H4 ir CH3COOH iki pH 10.
- 3. Platinos tolydžios dangos formavimo būdas, apimantis dengimo paviršiaus sensibilizavimą SnCI2 tirpale, aktyvavimą PdCI2 tirpale bei panardinimą į vonią su cheminio nusodinimo tirpalu, besiskiriantis tuo, minėtas cheminio nusodinimo tirpalas yra pagal bet kurį iš 1-2 punktų.
- 4. Būdas pagal 3 punktą, besiskiriantis tuo, kad sensibilizavimui naudojamo SnCI2 tirpalo koncentracija yra ribose 0,1-1,0 g/l, o aktyvavimui naudojamo PdCI2 tirpalo koncentracija yra ribose 0,05-1,0 g/l.
- 5. Būdas pagal bet kurį iš 3-4 punktų, besiskiriantis tuo, kad platinos cheminio nusodinimo metu minėto tirpalo temperatūra neviršija 20 °C.
- 6. Būdas pagal bet kurį iš 3-5 punktų, besiskiriantis tuo, kad platinos cheminio nusodinimo procesas vyksta leidžiant per tirpalą azotą, kuris atlieka maišymo funkciją bei stabilizuoja tirpalą.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LT2016535A LT6547B (lt) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | Platinos cheminio nusodinimo tirpalas ir platinos tolydžios dangos formavimo būdas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| LT2016535A LT6547B (lt) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | Platinos cheminio nusodinimo tirpalas ir platinos tolydžios dangos formavimo būdas |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| LT2016535A LT2016535A (lt) | 2018-07-10 |
| LT6547B true LT6547B (lt) | 2018-08-10 |
Family
ID=62750684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| LT2016535A LT6547B (lt) | 2016-12-28 | 2016-12-28 | Platinos cheminio nusodinimo tirpalas ir platinos tolydžios dangos formavimo būdas |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| LT (1) | LT6547B (lt) |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3486928A (en) | 1965-10-21 | 1969-12-30 | Int Nickel Co | Bath and process for platinum and platinum alloys |
| US3562911A (en) | 1968-12-03 | 1971-02-16 | Dentsply Int Inc | Method and composition for platinum plating and articles plated therewith |
| US3698939A (en) | 1970-07-09 | 1972-10-17 | Frank H Leaman | Method and composition of platinum plating |
| DE2607988A1 (de) | 1976-02-05 | 1977-08-11 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zum stromlosen abscheiden der platinmetalle platin, palladium und rhodium |
| JPS5933667A (ja) | 1982-08-16 | 1984-02-23 | Tokyo Electric Co Ltd | フロツピ−デイスク制御装置 |
| JPH09287078A (ja) | 1996-04-19 | 1997-11-04 | Japan Energy Corp | 白金の無電解めっき液並びに無電解めっき方法 |
| US6391477B1 (en) | 2000-07-06 | 2002-05-21 | Honeywell International Inc. | Electroless autocatalytic platinum plating |
| JP2016037612A (ja) | 2014-08-05 | 2016-03-22 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 無電解白金メッキ液 |
| US9469902B2 (en) | 2014-02-18 | 2016-10-18 | Lam Research Corporation | Electroless deposition of continuous platinum layer |
| US9499913B2 (en) | 2014-04-02 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Electroless deposition of continuous platinum layer using complexed Co2+ metal ion reducing agent |
-
2016
- 2016-12-28 LT LT2016535A patent/LT6547B/lt not_active IP Right Cessation
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3486928A (en) | 1965-10-21 | 1969-12-30 | Int Nickel Co | Bath and process for platinum and platinum alloys |
| US3562911A (en) | 1968-12-03 | 1971-02-16 | Dentsply Int Inc | Method and composition for platinum plating and articles plated therewith |
| US3698939A (en) | 1970-07-09 | 1972-10-17 | Frank H Leaman | Method and composition of platinum plating |
| DE2607988A1 (de) | 1976-02-05 | 1977-08-11 | Bbc Brown Boveri & Cie | Verfahren zum stromlosen abscheiden der platinmetalle platin, palladium und rhodium |
| JPS5933667A (ja) | 1982-08-16 | 1984-02-23 | Tokyo Electric Co Ltd | フロツピ−デイスク制御装置 |
| JPH09287078A (ja) | 1996-04-19 | 1997-11-04 | Japan Energy Corp | 白金の無電解めっき液並びに無電解めっき方法 |
| US6391477B1 (en) | 2000-07-06 | 2002-05-21 | Honeywell International Inc. | Electroless autocatalytic platinum plating |
| US9469902B2 (en) | 2014-02-18 | 2016-10-18 | Lam Research Corporation | Electroless deposition of continuous platinum layer |
| US9499913B2 (en) | 2014-04-02 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Electroless deposition of continuous platinum layer using complexed Co2+ metal ion reducing agent |
| JP2016037612A (ja) | 2014-08-05 | 2016-03-22 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 無電解白金メッキ液 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| LT2016535A (lt) | 2018-07-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| ES2688547T3 (es) | Baño de recubrimiento para deposición no electrolítica de capas de níquel | |
| ES2688876T3 (es) | Baño de chapado no electrolítico de níquel | |
| CN87102861A (zh) | 化学镀铜及其镀浴 | |
| CN102892924A (zh) | 包括β-氨基酸的电解质以及用于沉积金属层的方法 | |
| GB2040316A (en) | Palladium alloy and baths for the electroless deposition thereof | |
| CN109415812B (zh) | 化学镀铂液 | |
| KR20100017608A (ko) | 비전도성 기판에 금속 코팅하는 방법 | |
| CN103946420B (zh) | 无电镀镍镀浴组合物 | |
| JPH03134178A (ja) | 白金及び／又はパラジウムの化学析出のためのヒドラジン浴、及び該浴の製造方法 | |
| US10066299B2 (en) | Plating catalyst and method | |
| WO2017050662A1 (en) | Plating bath composition for electroless plating of gold and a method for depositing a gold layer | |
| LT6547B (lt) | Platinos cheminio nusodinimo tirpalas ir platinos tolydžios dangos formavimo būdas | |
| CN107774330A (zh) | 金属催化剂及其制备与应用 | |
| ES2712858T3 (es) | Uso de fosfa-adamantanos solubles en agua y estables en aire como estabilizadores en electrolitos para deposición no electrolítica de metal | |
| EP3134562B1 (en) | Process for the preparation of iron boron alloy coatings and plating bath therefor | |
| WO2007020028A2 (de) | Herstellung von silberschichten | |
| JP5550086B1 (ja) | 金めっき用ノンシアン金塩の製造方法 | |
| LT6548B (lt) | Platinos-rodžio lydinio cheminio nusodinimo tirpalas ir platinos-rodžio lydinio tolydžios dangos formavimo būdas | |
| JP2005047752A (ja) | 酸化亜鉛膜の皮膜構造の制御方法 | |
| JPH08291389A (ja) | 非シアン置換金めっき液及びこの液を用いた金めっき方法 | |
| WO2023144003A1 (en) | Composition for depositing a palladium coating on an activated copper-coated substrate | |
| TWI804539B (zh) | 無電鍍金鍍浴 | |
| RU2661644C1 (ru) | Пирофосфатно-аммонийный электролит контактного серебрения | |
| JPH09157859A (ja) | 無電解金めっき液 | |
| JPH09287077A (ja) | 無電解金めっき液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BB1A | Patent application published |
Effective date: 20180710 |
|
| FG9A | Patent granted |
Effective date: 20180810 |
|
| MM9A | Lapsed patents |
Effective date: 20191228 |