KR980005801A - 고저항과 저저항의 저항층을 갖는 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

고저항과 저저항의 저항층을 갖는 반도체 소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 기판의 필드산화막 상에 하부 폴리실리콘막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 하부 폴리실리콘막 패턴의 일부를 덮도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 마사크로 소오스 및 드레인용 불순물을 선택적으로 이온주입하는 단계를 포함하여 ,고저항과 저저항을 갖는 하부 폴리실리콘막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 단순한 공정으로 저저항과 고저항의 저항층을 형성할 수 있다.

Description

고저항과 저저항의 저항층을 갖는 반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1돈 내지 제5도는 본 발명에 의하여 고저항과 저저항의 저항층(resistor)을 갖는 반도체 소자의 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.

Claims (8)

  1. 반도체 기판에 필드산화막을 형성하여 활성영역을 비활성영역을 한정하는 단계; 상기 필드사화막이 형성된 기판의 전면에 하부 폴리실리콘막을 형성하는 단계; 상기 하부 폴리실리콘막에 저항조절용으로 불순물을 이온주입하는 단계; 상기 하부 폴리실리콘막 상에 유전체막을 형성하는 단계; 상기 유전체막 및 하부 폴리실리콘막을 페터닝하여 상기 필드산화막 상에 저항층으로 이용되는 하부 폴리실리콘막 패턴과 유전체막 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판의 활성영역 상에 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화물이 형성된 기판의 전면에 상부 폴리실리콘막을형성하는 단계; 상기 상부 폴리실리콘막을 차례로 식각하여 상기 활성영영상에 게이트 산화막과 게이트 전극으로 이용되는 상부 폴리실리콘막 패턴을 형성하는 단계; 상기 하부 폴리실리콘막 패턴의 일부를 덮도록 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 소오스 및 드레인용 불순물을 선택적으로 이온주입하는 단계를 포함하여, 고저항과 저저항을 갖는 하부 폴리실리콘막 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소오스 및 드레인용 불순물을 비소 또는 붕소를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 상부 폴리실리콘막을 형성하는 단계후에 상기 상부 폴리실리콘막 상에 저저항 물질층을 형성하고, 상기 상부 폴리실리콘막 및 산화막의 식각단계에서 저저항 물질층을 형성하고, 상부 폴리실리콘막 및 산화막을 차례로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로하는 반도체 소자의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 저저항 물질층은 텅스텐 실리사이드막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  5. 반도체기판상에 형성되는 필드산화막 상에 복수의 고저항패턴들을 동시에 형성하는 단계; 및 상기 복수의 저항패턴들 중 일부 고저항패턴에만 후속 액티브영역의 이온주입공정시 동시에 이온주입을 하여 고저항패턴의 저항값을 낮추는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 후속 이온주입공정은 엔모스 트랜지스터이 소스 및 드레인영역을 형성하기 위한 이온주입공정인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 후속 이온주입공정은 피모스 트랜지스터이 소스 및 드레인영역을 형성하기 위한 이온주입공정인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 후속 이온주입공정은 모스 트랜지스터이 소스 및 드레인영역을 형성하기 위한 이용주입공정인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960020842A 1996-06-11 1996-06-11 고저항과 저저항의 저항층을 갖는 반도체 소자의 제조방법 KR100205221B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20160011364A (ko) 2014-07-22 2016-02-01 (주)스마트뉴트리 링크된 베타-싸이클로덱스트린 및 그 용도

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