KR980005396A - 이온 빔 가공장치 및 그 방법 - Google Patents
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract 9
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 6
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims 1
- BQZGVMWPHXIKEQ-UHFFFAOYSA-L iron(ii) iodide Chemical group [Fe+2].[I-].[I-] BQZGVMWPHXIKEQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 abstract 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 abstract 1
Classifications
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- H01L21/203—
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31742—Etching microareas for repairing masks
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Abstract
본 발명은 스팀 가스를 포함하는 보조 가스를 활용하여 집속 이온 빔으로 가공을 수행하기 위한 것이다. 스팀 가스를 포함하는 보조가스를 활용하는 집속 이온 빔에 의한 가공 작동에 있어서, 스팀 가스를 공급하는 방법에 따라, 상기 스팀 가스는 염수화물로부터 공급되며, 스팀 가스의 압력은 염수화물의 온도를 제어함으로써 제어된다. 스팀 가스를 공급하기 위한 방법에 따라, 상기 스팀 가스가 진공 챔버내로 도입될 경우, 그 유속은 물의 증기 압력이 매우 높은 관계로 제어 밸브에 의해 제어될 필요가 있으며, 이것은 복합 가스 공급 시스템에 상당하여, 고가의 장비로 된다. 그러나, 저압의 스팀 증기가 염수화물을 활용함에 의해 공급되어, 상기 진공 챔버로의 가스의 도입은 마찰 파이프를 통해 상기 가스를 통과함에 따라 최적 실행되게 되어, 도입 가스량은 상기 염수화물의 최적 온도가 저가의 온도 콘트롤러에 의해 제어되는 간단한 시스템에 의해 제어되게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 실시예를 도시한 도면이다.
Claims (5)
- 이온 공급원으로 부터 생성된 이온은 진공펌프에 의해 뽑아 내어진 진공 탱크내의 이온 렌즈 시스템에 의해 집속 이온 빔으로 밀집되며, 상기 집속 이온 빔은 스캐닝 전국에 의해 조사되며, 샘플로 부터 방사된 2차 입자는 검출기에 의해 검출되며, 상기 검출기로 부터의 신호는 AD 변환기를 경유하여 디스플레이 장치로 공급됨으로써, 상기 샘플을 이미징하게 되며, 이온 빔 가공이 이미징의 결과를 기초로 한 설정 영역에 관련하여 수행되는 집속 이온 빔 가공장치에 있어서, 설정 영역으로 스팀가스를 포함하는 최소의 보조 가스를 공급하기 위해 보조 가스를 블로우하기 위한 노즐로 구성된 가스 인젝터를 가지는 보조 가스 공급 유닛과, 에칭 가스 공급원을 구성하는 하나 이상의 리저버와, 상기 적어도 하나의 리저버를 가열하기 위한 히터와, 상기 리저버의 온도를 측정하기 위한 온도 센서와, 온도 콘트롤러로서, 상기 온도 센서의 측정치와 상기 온도 콘트롤러와 상기 가스 인젝터 사이에 인스톨된 값을 기초로 상기 리저버의 온도를 제어하기 위한 히터 온도 콘트롤러와, 상기 히터와 상기온도 센서가 설치된 상기 리저버내로 충전된 상기 스팀 가스를 공급하기 위한 염수화물과, 상기 염수화물을 가열함으로써 공급된 설정 영역에 블로우하기 위한 스팀 가스를 포함하며, 상기 스팀 가스의 량은 상기 온도 센서, 상기 히터 및 상기 온도 콘트롤러에 의해 상기 리저버의 온도를 제어함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 집속 이온 빔 가공장치.
- 기판상에 형성된 필름 패턴을 보정하기 위한 집속 이온 빔 가공방법에 있어서, 마스크 패턴을 가지는 샘플의 특정 영역에서 스캐닝 집속 이온 빔을 가지고 조사하며; 습증기를 생성하기 위한 리저버내에 저장된 염수화물을 가열하며; 습증기의 생성량을 제어하기 위해 상기 가열을 제어하며; 상기 접속 이온 빔을 조사함과 동시에 상기 샘플의 특정 영역에 가스 인젝터로부터의 상기 습증기를 지향하는 것을 포함하는 집속 이온 빔 가공방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 습증기는 할로겐 증기를 함유하는 것을 특징으로 하는 집속 이온 빔 가공방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 염수화물은 요오드화 철(FeI 2 nH 2 O)인 것을 특징으로 하는 집속 이온 빔 가공방법.
- 제 3 항에 있어서, 상기 할로겐 증기는 요오드 증기인 것을 특징으로 하는 집속 이온 빔 가공방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08160301A JP3081990B2 (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | イオンビーム加工装置 |
| JP96-160301 | 1996-06-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005396A true KR980005396A (ko) | 1998-03-30 |
| KR100513242B1 KR100513242B1 (ko) | 2005-10-25 |
Family
ID=15712011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970026248A KR100513242B1 (ko) | 1996-06-20 | 1997-06-20 | 이온 빔 가공장치 및 그 방법 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5854488A (ko) |
| EP (1) | EP0814494B1 (ko) |
| JP (1) | JP3081990B2 (ko) |
| KR (1) | KR100513242B1 (ko) |
| DE (1) | DE69720110T2 (ko) |
| TW (1) | TW480530B (ko) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610984U (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-10 | 東洋美術工芸株式会社 | 掲示板 |
| JP3117960B2 (ja) * | 1997-12-11 | 2000-12-18 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 集束イオンビーム加工方法及び装置 |
| JPH11320123A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-24 | Seiko Instruments Inc | 集束イオンビーム装置 |
| JP3494889B2 (ja) * | 1998-06-03 | 2004-02-09 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 集束イオンビーム加工装置 |
| JP3739573B2 (ja) * | 1998-07-27 | 2006-01-25 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | フォトマスクの欠陥修正方法及びそれに用いる装置 |
| US6268608B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-07-31 | Fei Company | Method and apparatus for selective in-situ etching of inter dielectric layers |
| US6414307B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-07-02 | Fei Company | Method and apparatus for enhancing yield of secondary ions |
| DE102004018789A1 (de) * | 2004-04-15 | 2005-11-10 | Henkel Kgaa | Flüssiges Wasch- oder Reinigungsmittel mit wasserlöslich umhülltem Bleichmittel |
| US20070093044A1 (en) * | 2005-10-25 | 2007-04-26 | Asml Netherlands B.V. | Method of depositing a metal layer onto a substrate and a method for measuring in three dimensions the topographical features of a substrate |
| KR100772064B1 (ko) | 2006-08-02 | 2007-11-01 | 한국원자력연구원 | 양성자빔 조사를 통한 이종박막 리프트 오프 장치 및 방법 |
| CN102151673B (zh) * | 2011-01-28 | 2012-11-07 | 林世鸿 | 全自动插入式注射器针筒静电清洗机 |
| CN107340095B (zh) * | 2017-06-27 | 2019-08-13 | 环鸿电子（昆山）有限公司 | 一种待测吸嘴的压力采集系统及方法 |
| WO2019244331A1 (ja) * | 2018-06-22 | 2019-12-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンミリング装置 |
| CN113433160B (zh) * | 2021-06-25 | 2022-09-20 | 中国科学院青海盐湖研究所 | 共晶水合盐体系共晶点的确认方法及其应用 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4930439A (en) * | 1984-06-26 | 1990-06-05 | Seiko Instruments Inc. | Mask-repairing device |
| WO1989004052A1 (en) * | 1987-10-22 | 1989-05-05 | Oxford Instruments Limited | Exposing substrates to ion beams |
| US4983830A (en) * | 1989-06-29 | 1991-01-08 | Seiko Instruments Inc. | Focused ion beam apparatus having charged particle energy filter |
| WO1994013010A1 (en) * | 1991-04-15 | 1994-06-09 | Fei Company | Process of shaping features of semiconductor devices |
| US5188705A (en) * | 1991-04-15 | 1993-02-23 | Fei Company | Method of semiconductor device manufacture |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP08160301A patent/JP3081990B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-19 TW TW086108587A patent/TW480530B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-06-20 EP EP97304345A patent/EP0814494B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-20 US US08/879,342 patent/US5854488A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-20 DE DE69720110T patent/DE69720110T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-20 KR KR1019970026248A patent/KR100513242B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0814494A2 (en) | 1997-12-29 |
| JPH1012177A (ja) | 1998-01-16 |
| DE69720110T2 (de) | 2003-10-16 |
| US5854488A (en) | 1998-12-29 |
| DE69720110D1 (de) | 2003-04-30 |
| TW480530B (en) | 2002-03-21 |
| EP0814494B1 (en) | 2003-03-26 |
| KR100513242B1 (ko) | 2005-10-25 |
| JP3081990B2 (ja) | 2000-08-28 |
| EP0814494A3 (en) | 2000-09-20 |
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Legal Events
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| FPAY | Annual fee payment |
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|
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