JP3081990B2 - イオンビーム加工装置 - Google Patents
イオンビーム加工装置Info
- Publication number
- JP3081990B2 JP3081990B2 JP08160301A JP16030196A JP3081990B2 JP 3081990 B2 JP3081990 B2 JP 3081990B2 JP 08160301 A JP08160301 A JP 08160301A JP 16030196 A JP16030196 A JP 16030196A JP 3081990 B2 JP3081990 B2 JP 3081990B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- ion beam
- reservoir
- temperature
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims description 19
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H01L21/203—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching for microworking, e.g. etching of gratings, trimming of electrical components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3174—Etching microareas
- H01J2237/31742—Etching microareas for repairing masks
- H01J2237/31744—Etching microareas for repairing masks introducing gas in vicinity of workpiece
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Welding Or Cutting Using Electron Beams (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空槽内に入れられた
試料に集束イオンビームを所定領域に走査させ加工する
時に、同時に、所定領域に、アシストガスを吹き付け、
膜付け加工、エッチング加工、選択エッチング加工等の
イオンビーム加工を行う集束イオンビーム装置及びその
方法に関するものである。
試料に集束イオンビームを所定領域に走査させ加工する
時に、同時に、所定領域に、アシストガスを吹き付け、
膜付け加工、エッチング加工、選択エッチング加工等の
イオンビーム加工を行う集束イオンビーム装置及びその
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集束イオンビーム加工装置は微細加工す
ることができるため、主に半導体装置の配線変更やマス
クやレチクルのパターン修正をするために用いられてい
る。微少ビームに絞った集束イオンビームを、例えばマ
スクの余剰部分に繰り返して走査しながら照射すること
により、マスクの余剰部分は、所謂スッパタリングによ
り除去される。照射により除去加工されるマスクは、余
剰部分のパターン膜のみを速やかに取り除き、その下の
基板は加工されてはならないものである。近年、イオン
ビームアシステッドエッチングを用いた装置や方法が用
いられている。それは、集束イオンビームをマスクパタ
ーン膜の余剰部分に照射する際に、四塩化炭素等、に微
量の水蒸気を供給する方法として、例として図２に示す
様に、リザーバー６に水を入れ、リザーバー６から供給
される水の蒸気はコントロールバルブ１９を介してガス
溜１８に供給される。ガス溜め１８の圧力は真空ゲージ
１７で測定され、この測定値をコントロールバルブ１９
にフィードバックし、ガス溜め１８の圧力はコントロー
ルされる。圧力コントロールされた水蒸気ガスはバルブ
５を通り、ガスインジェクター９を通して真空槽２１に
供給される。ガスインジェクター９からのガス流量は、
ガス溜め１８の圧力と、ガスインジェクター９のコンダ
クタンスと、真空槽２１の圧力で定まるので、ガス溜め
１８の圧力を一定にコントロールする事によりガスイン
ジェクター９からのガス流量は一定にコントロールされ
る。
ることができるため、主に半導体装置の配線変更やマス
クやレチクルのパターン修正をするために用いられてい
る。微少ビームに絞った集束イオンビームを、例えばマ
スクの余剰部分に繰り返して走査しながら照射すること
により、マスクの余剰部分は、所謂スッパタリングによ
り除去される。照射により除去加工されるマスクは、余
剰部分のパターン膜のみを速やかに取り除き、その下の
基板は加工されてはならないものである。近年、イオン
ビームアシステッドエッチングを用いた装置や方法が用
いられている。それは、集束イオンビームをマスクパタ
ーン膜の余剰部分に照射する際に、四塩化炭素等、に微
量の水蒸気を供給する方法として、例として図２に示す
様に、リザーバー６に水を入れ、リザーバー６から供給
される水の蒸気はコントロールバルブ１９を介してガス
溜１８に供給される。ガス溜め１８の圧力は真空ゲージ
１７で測定され、この測定値をコントロールバルブ１９
にフィードバックし、ガス溜め１８の圧力はコントロー
ルされる。圧力コントロールされた水蒸気ガスはバルブ
５を通り、ガスインジェクター９を通して真空槽２１に
供給される。ガスインジェクター９からのガス流量は、
ガス溜め１８の圧力と、ガスインジェクター９のコンダ
クタンスと、真空槽２１の圧力で定まるので、ガス溜め
１８の圧力を一定にコントロールする事によりガスイン
ジェクター９からのガス流量は一定にコントロールされ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】アシストガスを用いる
集束イオンビーム装置で、従来行われているコントロー
ルバルブによる水蒸気ガス流量のガス供給系では、図２
に示すように、コントロールバルブ１９及び圧力コント
ローラ１６と、ガス溜め１８と、ガス溜め１８の圧力を
測定する真空ゲージ１７及び圧力コントローラ１６が必
要であり、系が複雑となり、かさばり、高価なものとな
る。
集束イオンビーム装置で、従来行われているコントロー
ルバルブによる水蒸気ガス流量のガス供給系では、図２
に示すように、コントロールバルブ１９及び圧力コント
ローラ１６と、ガス溜め１８と、ガス溜め１８の圧力を
測定する真空ゲージ１７及び圧力コントローラ１６が必
要であり、系が複雑となり、かさばり、高価なものとな
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、水蒸気ガスの供給源として、含水塩を用い、含水塩
を詰めたリザーバーをガスインジェクターとバルブを介
してつなぎ、リザーバーの温度をリザーバーに取り付け
た熱伝対等の温度センサーで測定し、その測定値をリザ
ーバーに取り付けたヒーターにフィードバックしリザー
バーの温度をコントロールし、真空槽内に流量がコント
ロールされた水蒸気ガスを供給する。
め、水蒸気ガスの供給源として、含水塩を用い、含水塩
を詰めたリザーバーをガスインジェクターとバルブを介
してつなぎ、リザーバーの温度をリザーバーに取り付け
た熱伝対等の温度センサーで測定し、その測定値をリザ
ーバーに取り付けたヒーターにフィードバックしリザー
バーの温度をコントロールし、真空槽内に流量がコント
ロールされた水蒸気ガスを供給する。
【０００５】
【作用】前述の手段によれば、ガスインジェクターとリ
ザーバーをバルブでつないだ最も簡単な系に、小型で安
価なヒーターと温度センサーを含水塩を詰めたリザーバ
ーに取り付け、リザーバーを温度コントロールするだけ
で真空槽内に流量がコントロールされた水蒸気ガスを供
給できる。
ザーバーをバルブでつないだ最も簡単な系に、小型で安
価なヒーターと温度センサーを含水塩を詰めたリザーバ
ーに取り付け、リザーバーを温度コントロールするだけ
で真空槽内に流量がコントロールされた水蒸気ガスを供
給できる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図１は、本発明にかかるイオンビーム加工装置を示
す。真空ポンプ１５にて排気されている真空槽内にて、
イオン源１より発生したイオンをイオン光学系４により
集束させ、集束イオンビーム２をステージ１３上の試料
１２に照射し、試料１２より発生する２次粒子を検出器
１１で検出し、A/D 変換器１１を通して、表示装置３で
試料１２の表面をイメージングし、イメージングに基づ
いて、試料１２の加工領域を決め、集束イオンビーム２
にて試料１２を加工する時に、水蒸気ガスを含んだガス
をガスインジェクター９より吹き付ける。水蒸気ガスを
含んだガスはリザーバー６に詰められた含水塩２０にて
供給され、リザーバー６は、温度センサー７、例えば熱
伝対によって温度が測定され、測定された温度を含水塩
２０からの水蒸気圧が所望の圧力になる温度になるよう
に、測定された温度に基づいて、温度コントローラー１
４にて、ヒーター８をコントロールして、リザーバーの
温度を所望の温度にコントロールし、リザーバー６内の
含水塩２０より生じた水蒸気ガスを、バルブ５を介し
て、ガスを流す時には、このバルブ５を開け、ガスイン
ジェクター９を通して、試料１２上に吹き付けアシスト
ガスによるイオンビーム加工を行う。
る。図１は、本発明にかかるイオンビーム加工装置を示
す。真空ポンプ１５にて排気されている真空槽内にて、
イオン源１より発生したイオンをイオン光学系４により
集束させ、集束イオンビーム２をステージ１３上の試料
１２に照射し、試料１２より発生する２次粒子を検出器
１１で検出し、A/D 変換器１１を通して、表示装置３で
試料１２の表面をイメージングし、イメージングに基づ
いて、試料１２の加工領域を決め、集束イオンビーム２
にて試料１２を加工する時に、水蒸気ガスを含んだガス
をガスインジェクター９より吹き付ける。水蒸気ガスを
含んだガスはリザーバー６に詰められた含水塩２０にて
供給され、リザーバー６は、温度センサー７、例えば熱
伝対によって温度が測定され、測定された温度を含水塩
２０からの水蒸気圧が所望の圧力になる温度になるよう
に、測定された温度に基づいて、温度コントローラー１
４にて、ヒーター８をコントロールして、リザーバーの
温度を所望の温度にコントロールし、リザーバー６内の
含水塩２０より生じた水蒸気ガスを、バルブ５を介し
て、ガスを流す時には、このバルブ５を開け、ガスイン
ジェクター９を通して、試料１２上に吹き付けアシスト
ガスによるイオンビーム加工を行う。
【０００７】図３は、アシストガスとして、含水塩から
の水蒸気ガスと他のガスの混合ガスを供給する場合で、
他のガスは、ガス溜め１８の圧力を真空ゲージ１７で測
定し、圧力コントローラー１６でガス溜め１８の圧力が
一定になるようにコントロールバルブ１９で制御してガ
スを供給する例を示す。この場合、温度コントロールに
より蒸気圧をコントロールされている含水塩２０からの
水蒸気ガスは、ガスインジェクター９から試料１２の上
に吹き付けられ、コントロールバルブで制御されている
リザーバー６’からのガスは、ガスインジェクター９’
から試料１２の上に吹き付けられ、試料１２上で混合ガ
スとして吹き付けられることになる。
の水蒸気ガスと他のガスの混合ガスを供給する場合で、
他のガスは、ガス溜め１８の圧力を真空ゲージ１７で測
定し、圧力コントローラー１６でガス溜め１８の圧力が
一定になるようにコントロールバルブ１９で制御してガ
スを供給する例を示す。この場合、温度コントロールに
より蒸気圧をコントロールされている含水塩２０からの
水蒸気ガスは、ガスインジェクター９から試料１２の上
に吹き付けられ、コントロールバルブで制御されている
リザーバー６’からのガスは、ガスインジェクター９’
から試料１２の上に吹き付けられ、試料１２上で混合ガ
スとして吹き付けられることになる。
【０００８】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、水蒸
気ガスを含むアシストガスを供給する系を、最もかさば
る事のない系として制作でき、しかも安価に制作でき
る。
気ガスを含むアシストガスを供給する系を、最もかさば
る事のない系として制作でき、しかも安価に制作でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示すための図。
【図２】従来の技術を説明するための図。
【図３】本発明の他の実施例を示すための図
１ イオン源 ２ 集束イオンビーム ３ 表示装置 ４ イオン光学系 ５ バルブ ５’ バルブ ６ リザーバー ６’ リザーバー ７ 温度センサー ８ ヒーター ９ ガスインジェクター ９’ ガスインジェクター １０ Ａ／Ｄ変換器 １１ 検出器 １２ 試料 １３ ステージ １４ 温度コントローラー １５ 真空ポンプ １６ 圧力コントローラー １７ 真空ゲージ １８ ガス溜め １９ コントロールバルブ ２０ 含水塩 ２１ 真空槽
Claims (1)
- 【請求項１】 真空ポンプにて排気されている真空槽内
に於いて、イオン源から発生したイオンをイオンレンズ
系により集束イオンビームとし、前記集束イオンビーム
を走査電極により、下地表面に薄膜が形成されている試
料の表面の所定領域を走査させながら照射し、前記試料
より生じる２次粒子を検出器で検出し、前記検出器から
の信号をＡ／Ｄ変換器を通して表示装置に前記試料をイ
メージングし、前記イメージングに基づき前記所定領域
をイオンビーム加工する、集束イオンビーム加工装置に
おいて、 前記所定領域に少なくとも水蒸気ガスを含むアシストガ
スを供給するためのガスインジェクターを備え、前記ガ
スインジェクターが、アシストガスを吹き付けるノズル
と、エッチングガス供給源である１つ以上のリザーバー
と、前記リザーバーの少なくとも一つをヒーティングす
るヒーターと、前記リザーバーの温度を測定する温度セ
ンサーと、前記温度センサーの測定値により前記リザー
バーの温度をコントロールするための前記ヒーターの温
度コントローラーと前記ガスインジェクターとの間に設
けられたバルブにより構成されるアシストガス供給ユニ
ットにおいて、 前記ヒーターと、前記温度センサーを備えた前記リザー
バーに、水蒸気ガスを供給するための含水塩を詰め、前
記含水塩をヒーティングする事により、前記所定領域に
吹き付ける水蒸気ガスを供給し、前記リザーバーの温度
を、前記温度センサーと前記ヒーターと前記温度コント
ローラーによりコントロールすることにより、水蒸気ガ
スの量をコントロールする集束イオンビーム加工装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08160301A JP3081990B2 (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | イオンビーム加工装置 |
| TW086108587A TW480530B (en) | 1996-06-20 | 1997-06-19 | Ion beam machining method and device thereof |
| DE69720110T DE69720110T2 (de) | 1996-06-20 | 1997-06-20 | Verfahren und Gerät zur Ionenstrahlbearbeitung |
| US08/879,342 US5854488A (en) | 1996-06-20 | 1997-06-20 | Ion beam machining method and device thereof |
| KR1019970026248A KR100513242B1 (ko) | 1996-06-20 | 1997-06-20 | 이온 빔 가공장치 및 그 방법 |
| EP97304345A EP0814494B1 (en) | 1996-06-20 | 1997-06-20 | Ion beam machining method and device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08160301A JP3081990B2 (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | イオンビーム加工装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012177A JPH1012177A (ja) | 1998-01-16 |
| JP3081990B2 true JP3081990B2 (ja) | 2000-08-28 |
Family
ID=15712011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08160301A Expired - Fee Related JP3081990B2 (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | イオンビーム加工装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5854488A (ja) |
| EP (1) | EP0814494B1 (ja) |
| JP (1) | JP3081990B2 (ja) |
| KR (1) | KR100513242B1 (ja) |
| DE (1) | DE69720110T2 (ja) |
| TW (1) | TW480530B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610984U (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-10 | 東洋美術工芸株式会社 | 掲示板 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3117960B2 (ja) * | 1997-12-11 | 2000-12-18 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 集束イオンビーム加工方法及び装置 |
| JPH11320123A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-24 | Seiko Instruments Inc | 集束イオンビーム装置 |
| JP3494889B2 (ja) * | 1998-06-03 | 2004-02-09 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 集束イオンビーム加工装置 |
| JP3739573B2 (ja) * | 1998-07-27 | 2006-01-25 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | フォトマスクの欠陥修正方法及びそれに用いる装置 |
| US6268608B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-07-31 | Fei Company | Method and apparatus for selective in-situ etching of inter dielectric layers |
| US6414307B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-07-02 | Fei Company | Method and apparatus for enhancing yield of secondary ions |
| DE102004018789A1 (de) * | 2004-04-15 | 2005-11-10 | Henkel Kgaa | Flüssiges Wasch- oder Reinigungsmittel mit wasserlöslich umhülltem Bleichmittel |
| US20070093044A1 (en) * | 2005-10-25 | 2007-04-26 | Asml Netherlands B.V. | Method of depositing a metal layer onto a substrate and a method for measuring in three dimensions the topographical features of a substrate |
| KR100772064B1 (ko) | 2006-08-02 | 2007-11-01 | 한국원자력연구원 | 양성자빔 조사를 통한 이종박막 리프트 오프 장치 및 방법 |
| CN102151673B (zh) * | 2011-01-28 | 2012-11-07 | 林世鸿 | 全自动插入式注射器针筒静电清洗机 |
| CN107340095B (zh) * | 2017-06-27 | 2019-08-13 | 环鸿电子（昆山）有限公司 | 一种待测吸嘴的压力采集系统及方法 |
| US11894213B2 (en) | 2018-06-22 | 2024-02-06 | Hitachi High-Tech Corporation | Ion milling device |
| CN113433160B (zh) * | 2021-06-25 | 2022-09-20 | 中国科学院青海盐湖研究所 | 共晶水合盐体系共晶点的确认方法及其应用 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4930439A (en) * | 1984-06-26 | 1990-06-05 | Seiko Instruments Inc. | Mask-repairing device |
| WO1989004052A1 (en) * | 1987-10-22 | 1989-05-05 | Oxford Instruments Limited | Exposing substrates to ion beams |
| US4983830A (en) * | 1989-06-29 | 1991-01-08 | Seiko Instruments Inc. | Focused ion beam apparatus having charged particle energy filter |
| WO1994013010A1 (en) * | 1991-04-15 | 1994-06-09 | Fei Company | Process of shaping features of semiconductor devices |
| US5188705A (en) * | 1991-04-15 | 1993-02-23 | Fei Company | Method of semiconductor device manufacture |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP08160301A patent/JP3081990B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-19 TW TW086108587A patent/TW480530B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-06-20 KR KR1019970026248A patent/KR100513242B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-06-20 US US08/879,342 patent/US5854488A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-20 EP EP97304345A patent/EP0814494B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-20 DE DE69720110T patent/DE69720110T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610984U (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-10 | 東洋美術工芸株式会社 | 掲示板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR980005396A (ko) | 1998-03-30 |
| EP0814494B1 (en) | 2003-03-26 |
| JPH1012177A (ja) | 1998-01-16 |
| EP0814494A3 (en) | 2000-09-20 |
| TW480530B (en) | 2002-03-21 |
| DE69720110D1 (de) | 2003-04-30 |
| US5854488A (en) | 1998-12-29 |
| KR100513242B1 (ko) | 2005-10-25 |
| EP0814494A2 (en) | 1997-12-29 |
| DE69720110T2 (de) | 2003-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3081990B2 (ja) | イオンビーム加工装置 | |
| US4876112A (en) | Process for forming metallic patterned film | |
| US6033721A (en) | Image-based three-axis positioner for laser direct write microchemical reaction | |
| KR860000158B1 (ko) | 감광성 내식막에 균일한 정제 패턴을 노출시키는 방법 및 장치 | |
| JP3747403B2 (ja) | 溶剤蒸気センサーを有するホトレジスト塗布工程制御装置 | |
| JP3494889B2 (ja) | 集束イオンビーム加工装置 | |
| JP3044811B2 (ja) | フォトマスク修正装置 | |
| JPS61100929A (ja) | 投影型半導体露光装置 | |
| JP3218024B2 (ja) | 金属パターン膜の形成方法及びその装置 | |
| JP2662796B2 (ja) | 集束イオンビーム照射加工装置 | |
| JPH076263U (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2610456B2 (ja) | パターン膜修正方法 | |
| JPH073632Y2 (ja) | レーザｃｖｄ装置 | |
| US6348689B1 (en) | Focused ion beam apparatus | |
| JP4094447B2 (ja) | ガス濃度測定装置および方法 | |
| JP4052506B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH021849A (ja) | 集束イオンビーム装置 | |
| JPS61123841A (ja) | イオンビ−ムマスクリペア−装置 | |
| JPH0553259B2 (ja) | ||
| JPH01124236A (ja) | レーザ利用配線形成方法および装置 | |
| JPH10209042A (ja) | 半導体ウェーハの露光装置 | |
| JPH0612441B2 (ja) | マスク欠陥修正方法 | |
| JPH01220431A (ja) | レーザ表面処理方法 | |
| JPH0546895B2 (ja) | ||
| KR19990088454A (ko) | 금속패턴막형성방법및그장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080630 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090630 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 10 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100630 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110630 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120630 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |