KR860000158B1

KR860000158B1 - 감광성 내식막에 균일한 정제 패턴을 노출시키는 방법 및 장치

Info

Publication number: KR860000158B1
Application number: KR8201833A
Authority: KR
Inventors: 야스히로 고이즈미; 소이찌 도리사와; 디츠 구르룬; 게르트너 발터; 레츠쉬케 볼프강
Original assignee: 미다 가쓰시게루(三田勝茂)(외1); 가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼; 하. 체. 볼프강 바이트만; 파우에베 칼짜이스 예나 동독회사(VEB Carl Zeiss JENA. DDR.)
Priority date: 1981-04-23
Filing date: 1982-04-23
Publication date: 1986-02-27
Also published as: GB2100453A; DD160756A3; SU1238274A1; GB2100453B; DE3214325A1; JPS57177144A; NL8201726A; CH651423A5; US4704348A; FR2504696A1; IT8267548A0; FR2504696B1; KR840000074A

Abstract

내용 없음.

Description

감광성 내식막에 균일한 정제 패턴을 노출시키는 방법 및 장치

제1도는 종래의 방식에 의한 패턴 크기의 분포를 나타낸 그래프.

제2도는 본 발명의 실시예에 관한 축소노출장치를 나타낸 도식적 다이어그램.

제3도는 제2도의 장치에 사용된 가습기의 확대 단면도.

제4도, 제5도 및 제6a도~제6c도는 본 발명 실시예의 효과를 나타내는 감광성 측정 결과와 패턴 크기를 나타내는 그래프.

제7도~제9도는 본 발명의 다른 실시예의 구조를 나타내는 도식적 다이어그램도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1,38 : 작업대 2,39,63 : 감광성내식막

3,40,50 : 가공판 4,42 : 원통

5,43 : 대물렌츠 6,44,51,72 : 마스크

7 : 개방입구 8 : 개방출구

9,45,70 : 케이징 10 : 파이프장치

11,75 : 가스공급원 12 : 제1감압기

13 : 예비여과기 14 : 제1열교환기

15 : 제2감압기 16,47,47,58,80 : 가습기

17,81 : 정제여과기 18 : 제2열교환기

19 : 촛점조절장치 20 : 압력차걸출기

21 : 촛점조절부 22 : 스톱퍼

23 : 용기 24 : 다공질유리층

25 : 유입송급파이프 26 : 배출파이프

27 : 탈염수 28 : 트랩

29 : 온도조절실 30 : 공기조화기

31 : 귀환공기유입구 32 : 맑은 공기유입구

33 : 송풍기 34.82 : 온도조절기

35 : 공기여과기 36 : 노출장치

37 : 기부 41,53 : 광원

46 : 파이프 48 : 온도조절밀폐실

49 : 감광성 내식막 피복물 52 : 호울더

54 : 슬리트 55 : 광반사프리즘

56 : 반사경 57 : 온도센서

59 : 공 59,76 : 공기파이프

60 : 공기흡입구 61 : 온도조절기

62 : 웨이퍼 64 : 작업대

65 : 승강장치 66 : 경사노즐

67 : 작업대 68 : 개구

69.69' : 기 73 : 조명장치

74 : 이송장치 77,78 : 분기관

79 : 압력조절기 83 : 밸브

84 : 압력스위치 85 : 밸브

86 : 압력스위치

본 발명은 원 패턴 또는 영상을 감광성 내식막이 피복된 가공판(a workpiecs)에 광학적으로 복사하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로 특히 전사된 패턴의 국부적 불균일성을 감소할 수 있는 방법 및 장치에 관한 것이다.

반도체장치의 제작과정에서는 웨이퍼(wafer) 표면위에 감광성 내식막 마스크(mask)패턴을 형성하기 위한 웨이퍼와 같은 가공판 위에 피복된 감광성 내식막층상에 마스크 패턴을 투사하는 것이 종종 요구된다.

유사한 투사처리과정은 주 그물눈금(a master reticle)으로 소위 워킹 포토마스크(working photomask)를 제작할때 요구된다. 감광성 내식막은 방사에너지의 광화학적 효과에 의해 노출된 부분과 노출되지 않는 부분 사이의 용해차도(差度)를 무기 또는 유기현상액 내에서 크게 나타내는 것으로 알려져 있다. 그러므로, 현상(develoment)은 웨이퍼와 같은 가공판에 광에너지 분포에 대응하는 음(negative) 또는 양(positive)의 감광성내식막 마스크를 남기게 할 것이다.

이런 관점에서, 국부적 불균일성 또는 얼룩이 없는 패턴의 균일한 전사는 감광성 내식막이 균일한 조명하에서 노출되는 동안 얻어질 수 있다.

따라서, 감광성내식막 마스크가 실제로 이런 종류의 방식을 사용함으로써 가공판 위에 형성될 때, 감광성 내식막 마스크중에서의 패턴폭 또는 크기에 있어서는 국부적 불균일성이 초래된다.

제1도는 3가지의 조명상태, IA<IB<IC하에 각각 그런 다수의 패턴들을 웨이퍼에 피복된 감광성내식막 표면에 스탭 앤드 리피트(step-and-repeat) 카메라가 계속적으로 투사한 패턴폭의 분포예를 나타낸다. 전사된 패턴 크기는 예상대로 도면에 나타낸 것처럼 광의 세기에 의존한다는 것이 명백해졌다. 더우기 연속적인 패턴들이 광에너지의 양에 의해 노출될지라도 감광성 내식막 마스크의 중심과 주변간의 패턴 크기나 폭에는 변화가 존재한다.

본 발명자는 후자의 불균일성 이론을 조사하기 위해 실험을 실시하였다. 이 실험 결과에서 패턴크기의 얼룩은 초점조절을 위한 공기측미계와 전사 가공판을 위한 공기를 사용함으로 공기가 직접 또는 간접적으로 감광성 내식막에 적용되게 하는 노출장치 내에서 노출되는 마스크에 특히 현저하게 들어난다는 것이 발견되었다.

이것은 다음 이론에서 명백히 들어날 것이다.

김광성 내식막의 광화학 전환처리 과정에 있어서 감광성 내식막의 수분함량이 광에너지가 감광성 내식막에 작용할때 패턴폭 즉, 감광성 내식막의 감광성에 큰 영향을 주도록 판단된다. 그것은 공기조화(air eon-ditioning)가 감광성 내식막이 노출되는 동안에 예를들면 20±5% 및 18±3℃범위로 노출실내의 공기의 습도와 온도를 조절하도록 정상적으로 행해진다는 것을 알게 되었다. 그러나 이런 변동범위가 감광성 내식막의 노출에 대해 상대적으로 크게 고려된다. 그리고 또 공기 측미계와 공기전달장치를 위한 공기는 압력가스관으로부터 공급되어 감광성내식막 표면에 충돌함으로 감광성 내식막의 수분함량에 변화를 주기 때문에 그런 변화는 차례로 감광성 내식막 표면에 걸쳐 감광성의 불균일한 분포를 발생한다. 그 결과 패턴폭은 다른 위치에서 불균일 하게 된다. 제1도의 실험에 사용된 것처럼 공기측미계를 장착시킨 스탭 앤드 리피트 카메라의 경우에서는 가공판 중심상으로 부는 공기량은 노출처리과정이 있을 동안에 주변으로 부는 공기의 량보다 많다. 정형(positive type) 감광성 내식막에 대해서는 이것은 수분함량의 큰 감소를 일으키고 그런 까닭에 주변에서보다 중심부에서 감광성 내식막의 감광성이 큰 감소를 야기하므로 주변에서보다 중심부에서 큰 감광성 내식막 패턴(노출되지 않은 부분) 폭으로 될 것이다. 반면에 공기가 부형(negative type) 감광성내식막을 위한 공기 측미계에 사용될때 부형감광성 내식막은 대기에 포함된 산소등에 의해 화학적으로 반응하게 되고 막두께의 감소를 나타낸다. 그러므로 질소가스와 같은 불활성가스가 감광성 내식막의 화학적 반응을 막기 위해 부형 감광성 내식막을 위한 공기 측미계에 사용되어야 한다.

본 발명의 목적은 감광성 내식막의 수분 함량을 노출되어 있는동안 적어도 전 표면에 걸쳐 균일하게 만들기 위해 감광성 내식막이 주위 대기와는 따로 격리되어 설정된 습도에 맞는 가스와 접촉을 가지게 되는 감광성 내식막 노출방법을 제공하는 것이다.

그 원 패턴은 감광성 내식막의 조절된 수분함량 때문에 가공판의 표면에 피복된 감광성 내식막에 정확히 투사하고 전사된다.

본 발명의 다른 목적은 감광성내식막으로 불어 날리는 가스가 설정된 습도로 유지될 수 있도록 주위 대기의 온도 및 습도 조절장치와 떨어진 가스공급부의 습도조절기를 포함하는 감광성 내식막 노출장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 또다른 목적, 특징과 장점을 첨부된 도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.

제2도는 본 발명의 실시예를 나타낸 투사형 축소노출장치이다. 이 장치는 주로 공기조절된 깨끗한 실내에 설치된다. 먼저 본 실시예의 구성에 고나하여 설명하고 다음에 본 발명의 노출방법 실시예와 관련하여 설명한다. 도면에서 참조번호 1은 제도된 용지의 평면에 수평 및 수직방향으로 따라 움직일 수 있다 XY작업대를 표시한다.

가공판 표면에 감광성 내식막(2)이 피복된 가공판(3)(실리콘 웨이퍼)은 본 작업대에 놓여진다.

작업대 상부에는 수직으로 가동하는 원통(4)이 설치되고, 이 원통(4) 하부에 광축 0을 가진 대물렌즈(5), 상부에 감광성 내식막 표면에 전사되는 마스크 패턴을 가진 마스크(6)가 각각 설치되어 있다.

마스크(6)의 마스크 패턴은 크기에서 대물렌즈(5)에 의해 축소되어 투사되고 XX작업대(1)의 스텝작용(stepping action)에 의한 스탭 앤드 리피트 방식으로 감광성 내식막(2)에 전사된다. 대물렌즈(5)는 원통(4)에 취부된 케이찌(9)에 내장되고 개방입구(7) 및 개방출구(8) (계량노즐)를 가지고 있다. 개방유입구(7)는 질소가스를 케이징(9)에 유입하도록 파이프장치(10)를 통하여 질소 가스공급원(11)에 접속되는 반면, 개방출구(8)는 가스를 감광성 내식막(2)의 표면에 분사한다. 파이프장치(10)는 상류에서 하류까지, 제1감압기(밸브)(12), 예비여과기(13) 제1열교환기(14), 제2감압기(15), 가습기(16), 정제여과기(17), 제2열교환기(18) 및 공기 압력형 촛점조절장치(19)를 포함한다. 그 공기 압력형 촛점조절장치(19)는 케이징(9)에 있는 질소가스 압력과 제2열교환기(18)로부터 공급된 기준가스압력을 비교하는 압력차검출부(20)와 검출된 압력차에 따라 원통(4)의 수직운동장치(도시되지 않음)를 조절하는 촛점 조절부(21)를 가지고 있다. 양측, 압력을 비교하므로서 그 장치는 예를들면 마이크론 지령대물렌즈(5)와 감광성내식막(2) 사이의 거리를 검출하고, 압력차에 따라 렌즈의 촛점을 조정하도록 원통(4)의 수직위치를 조절한다. 가습기(16)는, 제3도에서 나타낸 것처럼, 액체와 가스를 투과하는 다공질 유리층(24)을 가지고 있고, 액체와 가스는 스톱퍼(22)에 의해 막힌 용기(23)의 내부 바닥 가까이 위치해 있다. 또한 가습기(16)는 다공질 유리층(24)을 통과하는 유입송급파이프(25) 및 용기(23)내의 윗 공간에 접속된 배출파이프(26)를 가진다. 탈염수(27)는 다공질유리층(24)보다 높은 수준까지 차 있어야 하나 배출파이프(26) 하방에 위치한다. 유입송급파이프(25)를 통해 가습기(16)에 공급된 질소가스는 다공질 유리층(24)과 탈염수(27)를 통과하면서 용기(23)의 상방으로 기포를 발생하면서 상승하여 배출파이프(26)내로 송출된다.

그 가스는 기포를 내면서 탈염수를 통과할 때 가습된다. 상기 수분을 가진 가스는 출구파이프(26)의 직각으로 굽어 하향 형성된 트랩(28)을 통과할때 가스중의 작은 물방울(droplets)이 제거된후 정제여과기(17)에 공급된다. 탈염수는 스톱퍼(22)를 제거하고 상부 개구를 통해 다시 공급된다.

다음은 상기 구성의 노출장치를 사용하는 노출방법에 대해 설명한다. 질소가스 공급원(11)는 여러가지 기압의 표준압력 하에서 5% 상대습도의 질소가스를 공급한다. 그 가스는 제1감압기(12)에 의해 압력이 약1.5기압으로 감소되고 예비여과기(13)에 의해 먼지 또는 불순물 입자들이 제거된다.

제1열교환기(14)는, 예를들면 질소가스온도를 대물렌즈(5)와 감광성 내식막(2) 사이의 공간의 대기온도보다 약 5℃낮은 20℃로 되게 하기 위해 가스온도를 예비조절한다. 이후 질소가스는 제2감압기(15)에 의해 1기압의 표준압력으로 좀더 감소되어 이미 설명한 바와같이 가습 이행해지는 가습기(16)로 들어간다. 가스온도와 탈염수 온도를 적당한 값으로 맞춰주면 그 질소가스는 설정된 습도를 가지기 위해 기포를 통하여 원하는 량의 수증기를 흡수한다. 정제여과기(17)에 의하여 여과된후 가습된 가스는 제2열교환기(18)에 보내지는데 거기에서 질소가스온도는 감광성 내식막(2)과 대물렌즈(5) 사이의 공간온도와 ±0.1℃의 정확도로 일치되어 유지된다. 가습기(16) 및 제2열교환기(18)에서는 모두 지정된 상대습도로 가스를 유지하는 가능이 행해진다. 이를테면, 온도가 23℃이고 대기압이 760mmHg인 경우에는 질소 가스가 보유되는 상대습도는 약 35%이다. 반드시 그렇지는 않지만 가습기(16)가 습도와 질소가스온도의 조절을 향상시키기 위해 정확히 온도조절될 것이라는 것은 명백해질 것이다.

그러므로 가습과 온도조절된 질소가스는 0.3기압의 평균측정 표준압력에서 작용하는 공기압력형 촛점조절장치(19)에 보내진다. 공기압력형 촛점조절장치(19)에서 가스는 케이징(9)의 유입구(7)를 통해 대물렌즈와 감광성 내식막 사이의 작업공간에 보내지고 케이징(9)에 의해 포위된다. 그결과 이공간은 설정된 습도의 가스로 채워지고 그로인해 감광성 내식막의 수분함량을 일정하게 유지한다.

이 상태에서 대물렌즈(5)의 수직방향의 위치는 작업공간의 압력과 가스공급원에서 공급된 기준 압력간의 압력차에 기초를 둔 공기압력형 촛점장치(19)에 의해 조절되어 마스크(6)의 마스크 패턴을 감광성내식막(2) 표면에 투사한다.

XY작업대(1)를 적당한 방법으로 동작하여 마스크 패턴을 투사하고 전사함으로 복수개의 축소된 마스크패턴은 감광성 내식막 표면에 정렬로 배열된다.

상기 설명된 노출처리과정의 결과로 화학처리후 가공판에 형성된 패턴은 제4도에 나타낸 바와같이 가공판의 중심 또는 주변의 어느곳에 위치하고 있든간에 관계없이 거의 일정한 폭을 가지고 있어 패턴폭에 있는 얼룩은 무시된다. 상기된 본 방법과 종래의 방법의 적당한 노출상태 및 감광성 내식막의 감광성을 제5도를 참조하여 비교해보면 본 방법에서 얻어진 감광성은 종래의 것보다 2배 더 크다는 수치가 나타났다.

그 패턴폭의 불균일성은 질소가스의 습도변화에 의해 점검되어 왔다. 제5a도~제6c도에서 제시된 것처럼 5%이하의 상대습도에 대해서 패턴 크기는 균일하지 않다. 10%이상 약 21~27%까지의 상대습도에 대해서 불규칙성은 거의 발견될 수 없고 약 35%상대습도에 대해서 패턴크기는 매우 안정된다는 것을 알게 되었다. 이 결과는 적어도 10%에서 가스습도를 유지하는 것이 중요하다는 것을 나타낸다.

위에서 언급된 습도는 그 질소가스 온도가 노출장치의 주위온도 변화로 인해 바뀔때 어느 정도 변할 수 있다는 것이 주목된다.

또한 감광성 내식막 두께(막두께) 차이로 인해 가스습도의 상태를 좌우하고 또한 가스온도도 역시 약간 변화할 수 있다는 것이 주목된다.

그 노출장치에서와 같이 가습기(16)는 상기 설명된 구성으로 한정되지 않고 분무형, 애터마이징형(atom-izing type), 이슬점형(dew point type) 및 증발형(vaporizing type)과 같은 여러가지 종류의 가습기가 사용될 수 있다.

제7도는 온도조절실에 설치되고 공기측미계은 장착되지 않은 축소노출장치의 다른 실시예를 나타낸다. 이 장치는 온도조절실(29)에서 순환되는 공기에 의해 온도조절실(29)의 온도를 설정온도로 유지시키는 공기조화기(30)을 가지고 있다. 공기조절기(30)는 귀환공기유입구(31), 외부의 맑은 공기 유입구(32), 송풍기(33), 온도조절기(34) 및 공기여과기(35)로 구성된다. 노출장치(36)는 기부(基部)(37), 기준기부(37)에 설치된 XY작업대(38) 및 광원(41)을 포함하는 광학계, XY작업대(38)에 취부된 실리콘 웨이퍼와 같은 가공판(40)표면에 피복된 감광성 내식막 위에 마스크(44)의 마스크 패턴을 투사할 수 있는 원통(42)과 대물렌즈(43)등으로 구성된다.

원통(42)의 하단에 취부된 케이징(45)은 대물렌즈(43)와 가공판(40)을 둘러싸고 있다. 이 케이징(45)에는 공기공급원(도시되지 않음)을 잇는 파이프(46)가 가습기(47)를 통해 접속된다.

본 실시예의 노출장치에 있어서 가습기(47)에 의해서 습도의 소망 수준까지 조절되는 공기는 케이징(45)내부에서 감광성 내식막(39)의 전표면으로 내뿜어 감광성 내식막 표면에 가까이에 공기습도를 지정된 값으로 유지시킴에 따라 감광성 내식막이 노출되어 있는동안 감광성 내식막의 수분함량을 일정하게 그리고 균일하게 만든다. 전술한 실시예에서와 같이 본 실시예에서도 패턴폭의 균일성을 성취시킬 수 있다. 본 실시예를 공기측미계를 가지지 않거나 또는 감광성 내식막의 모든 표면이 동시에 노출되는 장치에 이용하는 것은 특히 효과적이다.

여기서 질소가스는 공기 대신에 감광성 내식막(39) 가까이의 공간을 채우기 위해 사용될 수 있다.

제8도는 1 : 1(단위배율) 투사노출장치의 실시예를 나타낸다. 그 노출장치는 깨끗한 실내에 배치된 온도조절 밀폐실(48)내의 일부분을 차지하고 있으며 호울더(52), 이 호울더(52)의 양측에 각각 취부되는 마스크(52)와 감광성 내식막 피복물(49)이 붙어있는 가공판(50), 광원(53)을 포함하는 광학계, 감광성 내식막 표면에 국부적인 노출 역할을 하는 얇은 유리프리즘으로 형성된 슬리트(54), 마스크 패턴을 감광성 내식막에 1 : 1배율로 투사할 수 있는 광반사 프리즘(55)과 반사경(56)으로 구성되어 있다. 온도조절밀폐실(48)에는 온도센서(57)와 가습기(58)를 삽설한 공기파이프(59)와 접속된 공기유입구(60)가 구비되어 있다.

온도센서(57)의 출력으로 가습기(58)에 설치된 온도조절기(61)는 설정된 습도와 온도로 공기를 조절하도록 제어되어 조절된 공기를 온도조절밀폐실(48)에 공급한다.

그 결과, 온도조절실과 감광성내식막(49) 표면의 가까이에 있는 공기는 소망되는 습도와 온도로 유지되어 노출은 이런 상태하에서 이루어진다.

제9도는 접촉형 또는 근접형 노출장치의 다른 실시예를 나타낸다. 가공판으로서의 웨이퍼(62)는 가공판에 피복된 감광성 내식막(63)을 가지고 있으며 θ방향과 마찬가지로 XY방향으로 이동될 수 있는 XYθ작업대(64)에 놓여진다. XXθ작업대(64)는 승강장치(65)에 의해 수직으로 이동한다. 그 XYθ작업대(64)와 동일한 레벨에 설치되는 작업대(67)는 경사노즐(66)과 작업대의 웨이퍼(62)가 노출되는 개구(68)를 가지고 있다. 작업대(67)에 취부된 케이징(70)은 웨이퍼를 공급 및 인출하기 위한 개구(69), (69')와 XYθ작업대(64)의 대향측에 마스크(72)가 취부되는 개구(71)를 가지고 있다.

조명장치(73)는 마스크 패턴을 웨이퍼(62)상의 감광성내식막(63)에 노출시키기 위해 마스크(72)위에 설치된다.

마스크(72)에 대한 웨이퍼의 위치는 XYθ작업대(64)와 승강장치(65)에 의해 조정된다.

작업대(67) 하부에는 공기압력형 웨이퍼 이송장치(74)가 설치된다. 가스공급부의 가스공급원(75)는 케이징(70) 및 가스공급을 위한 파이프(76), (77), (78)를 통해 웨이퍼 이송장치(74)에 연결된다. 파이프(76)에는 상류로부터 압력조절기(79), 가습기(80), 정제여과기(81), 온도조절기(82) 순으로 설치된다. 즉 분기판(77)에는 밸브983), 압력스위치(84), 밸브(85)를 갖는 또다른 분기관(78)과 압력스위치(86)가 설치되어 있다.

(1% 또는 그 이하의 상대습도를 갖고 먼지가 전혀없는 가스 공급원(75)으로 가압된 건조공기(또는 처리과정에 요구되는 다른 가스)는 파이프(76)를 통해 가습기(80)에 공급된다. 이 처리과정에서 압력조절기(79)는 표준공기압력을 1.5기압으로 조정한다. 가습기(80)에서는 가압된 공기가 감광성 내식막(63)의 노출에 적당히 지정된 습도와 온도로 조절된다.

그 공기는 정제여과기(81)에 의해 먼지 또는 불순물이 제거되고 감광성내식막의 온도와 동일한 온도로 온도조절기(82)에 의해 조절된다.

분기관(78)에 설치된 밸브(85)는 이송장치(74)에 공급되도록 가압 공기량을 조정한다.

그리고 이 이송장치에서는 웨이퍼가 공급노즐(66)의 가압공기 분출력에 의해 XY작업대(64)로 잇달아 이송한다. 분기관(77)은 습도 및 온도가 조절된 가압공기를 밸브(83)의 통로를 따라 케이징(70)으로 보낸다. 이 경우에 분기관(77)의 단부에서 케이징(70)으로 불어내는 공기의 상태는 소나기처럼 분출된다. 동작의 예로서 작업대(67)의 바른쪽 끝단에서 배치된 실리콘 웨이퍼는 통로(69)를 통하여 가스 압력형 이송장치(74)를 향하여 기계적으로 밀려 들어가면 그때 공기압력에 의해 이송되고 XYθ작업대(64)위에 있는 기계적 스톱퍼에 의해 인도되어 그곳에 노출된다.

노출후 노출된 웨이퍼는 개구(69')을 통하여 작업대의 다른측을 향해 기계적으로 밀린다. 그 가스압력형 이송장치(74)로부터 불어지는 가스는 마스크(72)와 웨이퍼(62) 사이의 공간을 채우고 개구(68), (69')등을 통해서 배출된다.

그결과 감광성 내식막 주위의 공기를 지정된 습도와 온도로 유지시킴으로서 감광성 내식막의 수분함량은 일정하고 균일하게 만들어지고 패턴폭은 균일하게 될 수 있다. 웨이퍼 이송장치(74)의 이송작용은 단속적으로 실행되기 때문에 이송장치(74)로 흐르는 공기는 그 웨이퍼가 XYθ작업대 위로 이동될 때 만이 공기압력 스위치(86)에 의해 공급된다.

본 발명은 상기한 실시예로써만 한정되는 것이 아니라 그 개조 또는 변경은 본 발명에 의하지 않아도 이루어질 수 있다. 상기한 실시예는 주로 실리콘웨이퍼 위에 피복된 감광성 내식막의 마스크 패턴의 노출에 관한 것이지만 제1마스크로부터 제2마스크의 형성시에도 적용될 수 있다.

상술한 바와같이 감광성내식막을 노출하기 위한 본 발명의 방법과 장치는 감광성내식막에 분출된 가스가 어떤 습도의 범위내에서 그리고 온도의 소망 범위에서 감광성내식막 수분함량을 감광성 내식막의 마스크 패턴을 형성할때 송일하게 만들도록 설정되기 때문에, 감광성 내식막의 감광성은 균일하게 될 수 있고, 패턴폭은 감광성 내식막 두께 및 감광성 내식막 표면에 분출된 가스양의 변화가 약간 있을때라도 감광성 내식막 표면위치의 차에 관계없이 균일하게 될 수 있는 장점을 가지고 있다.

Claims

적어도 설정된 전지역과 노출기간에 감광성 내식막의 수분함량을 균일하게 만들기 위해 주위대기와 격리되어 감광성 내식막과 접촉하는 가스의 습도를 설정범위의 값으로 조절하는 스텝과 상기한 조절상태하에 감광성 내식막을 설정지역에서 노출시키도록 가공판에 피복된 감광성 내식막위에 빛을 방사하는 스텝등을 포함하고 있는 가공판에 피복된 감광성 내식막을 노출시키는 방법.
제1항에 있어서 감광성 내식막과 접촉하는 가스가 설정온도의 범위으로 조절되는 감광성 내식막을 노출시키는 방법.
제1항 또는 2항에 있어서 감광성 내식막과 접촉하는 가스의 상대습도가 약 10% 또는 그 이상으로 하는 감광성 내식막을 노출시키는 방법.
감광성 내식막에 패턴을 형성하도록 감광성 내식막을 노출시키기 위한 대물렌즈를 가지는 광학계와 상기 대문렌즈와 감광성 내식막 사이의 공간으로 가스를 공급하는 가스공급부와 가스의 습도를 성정범위 이내로 유지시키기 위해 가스공급부에 연결된 습도조절기등을 포함하고 있는 가공판에 피복된 감광성 내식막을 노출시키는 장치.
제4항에 있어서 가스공급부는 가스공급원과 감광성 내식막에 가스를 분출하기 위한 가스분출노즐과 광학계의 촛점을 조정하는 공기 측미계등을 구비하고 습도조절기가 가스공급원과 가스분출노즐 사이에 설치되게한 감광성 내식막을 노출시키는 장치.
제4항에 있어서 가스공급부는 광학계와 가공판의 대물렌즈를 적어도 부분적으로 밀폐하고 있는 케이징을 가지고 있으며, 가스가 케이징으로 분출되어 감광성 내식막의 표면과 접촉되게한 감광성 내식막을 노출시키는 장치.
제4항 또는 제5항 또는 6항에 있어서 가습조절기가 가스를 가습하기 위해 물을 담고 있는 용기를 갖고 있어 그 용기내부가 가스가 통과하는 통로의 일부로 형성되게한 감광성 내식막을 노출시키는 장치.