KR980005294A - 웨이퍼 저장 시스템 및 저장 방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 웨이퍼(3)위에 성장된 게이트 산화물층은 산화물의 성장과 다음 증착 단계간의 클린룸에서 유기화합물 입자에 의해 오염된다. 상기 반도체 웨이퍼는 상기 오존이 새로운 입자를 발생하지 않고 유기 화합물 입자를 분해하도록 크롬 산화물과 같은 오존 시험 물질의 내측벽(1e/1j)으로 피복된 용기(1)에서 환경으로 봉입된다.

Description

웨이퍼 저장 시스템 및 저장 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 상이한 웨이퍼 저장 기술에 대해 조사된 브레이크 다운 전하에 의해 누적 불량율을 도시하는 그래프.

Claims (10)

  1. 적어도 하나의 반도체 웨이퍼를 수요하도록 밀폐실(le)을 한정하는 용기(1)를 포함하는 적어도 하나의 반도체 웨이퍼(3)를 저장하는 웨이퍼 저장 시스템에 있어서, 상기 용기는 오존 시험 물질로 형성된 내측벽(1e/1j)을 가지며, 상기 밀폐실은 오존원(2)에 접속되어 오존을 상기 밀폐실에 공급하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 저장 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 오존 시험 물질은 크롬 산화물인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 저장 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 용기(1)는 내측벽(1e/1j)을 가지는 다층 구조인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 저장 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 내측벽(le/1j)은 합성 수지를 형성된 외측벽(1d/1i)상에 적층되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 저장 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 내측벽(1e/1j)는 크롬 산화물로 형성되며, 상기 외측벽(1d/1i)은 폴리테트라플로오로에칠렌, 퍼플로오르알칼록시, 폴리비닐염소, 테트라플로오르에칠렌, 테트라플로오르에칠렌과 헥사플로오르프로필렌간의 중합체, 테트라플로오르에칠렌과 에칠렌간의 중합체, 폴리클로오르트리플로오르에칠렌, 폴리비닐리덴플로오르 및 비닐리덴플로오르로 구성되는 그룹으로부터 선택된 합성 수지로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 저장 시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 용기(1)는 할로우 공간을 한정하는 오존 시험 물질의 제1의 내부 보조벽(1e)을 가지는 정지 케이스(1a)와, 상기 제1의 내부 보조벽과 함께 밀폐실을 한정하는 오존 실험 물질의 제2의 내부 보조벽(1j)을 가지는 미끄럼 가능 리드(1b)를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 저장 시스템.
  7. 제6항에 있어서, 상기 용기는 상기 미끄럼 가능 리드에 부착되어 적어도 하나의 반도체 웨이퍼를 지지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 저장 시스템.
  8. 적어도 하나의 반도체 웨이퍼를 저장하는 방법에 있어서, a) 오존 시험 물질로 형성된 내측벽(1e/1j)을 가지며 밀폐실(1e)을 한정하는 용기(1)를 준비하는 단계와, b) 상기 밀폐실내에 적어도 하나의 반도체 웨이퍼(3)를 위치시키는 단계와, c) 상기 밀폐실내에 적어도 하나의 반도체 웨이퍼를 봉입하는 단계와, d) 상기 밀폐실에 오존 대기를 발생하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 저장 방법.
  9. 제8항에 있어서, 불활성 대기로 오존 대기를 대체하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 저장 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 불활성 대기는 질소에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 저장 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970028213A 1996-06-27 1997-06-27 웨이퍼 저장 시스템 및 저장 방법 KR100256529B1 (ko)

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