KR980003819A - 감광막 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 감광막 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 감광막의 노광된 부분에 존재하는 산촉매가 기판으로 흡수됨에 의해 발생되는 감광막의 불완전한 용해를 방지하기 위하여 감광막을 도포하기 전에 기판의 표면부를 산처리하여 중화시키므로써 노광된 부분의 감광막에 존재하는 산촉매가 기판으로 흡수되는 것이 방지된다. 따라서 노광된 부분의 감광막이 현상액에 의해 완전 용해되어 양호한 형태의 패턴이 형성될 수 있으며, 이에 의해 소자의 수율이 증대될 수 있는 감광막 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2d도는 본 발명에 따른 감광막 패턴 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (5)
- 감광막 패턴 형성 방법에 있어서, 소정의 공정을 거친 기판의 표면부를 중화시키기 위하여 산처리를 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 기판상에 감광막을 도포한 후 소정의 마스크를 사용하여 상기 감광막을 노광시키는 단계와, 상기 단계로부터 가열 공정을 실시한 후 현상액을 사용하여 상기 감광막을 현상시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 감광막 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산처리는 산도가 1 내지 6인 무기물, 유기물 또는 무기물과 유기물의 혼합물중 어느 하나의 물질을 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 감광막 패턴 형성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 무기물과 유기물의 혼합물은 염산 수용액 및 아세트 산 수용액인 것을 특징으로 하는 감광막 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산처리는 산도가 1 내지 6번인 기체 상태의 분자 또는 이온중 어느 하나를 상기 기판에 주입하는 방법으로 실시되는 것을 특징으로 하는 감광막 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 감광막은 화학 증폭형 감광막인 것을 특징으로 하는 감광막 패턴 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024940A KR980003819A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 감광막 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024940A KR980003819A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 감광막 패턴 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980003819A true KR980003819A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024940A KR980003819A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 감광막 패턴 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980003819A (ko) |
-
1996
- 1996-06-28 KR KR1019960024940A patent/KR980003819A/ko not_active Application Discontinuation
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