KR940015668A - 미세패턴의 형성방법 - Google Patents

미세패턴의 형성방법 Download PDF

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Abstract

프로파일을 향상시킬 수 있는 미세패턴의 형성방법이 개시되어 있다. 화학 증폭형 포토레지스트를 도포한 후, 마스크를 사용하여 노광한다. 다음에 베이크하고 레지스트 표면을 산처리하거나, 마스크를 사용하여 노광 공정전, 또는 후에 전면노광을 수행한다. 현상하여 레지스트 패턴을 수득한다. 단면이 수직형인 레지스트 패턴이 얻어지게 된다.

Description

미세패턴의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따라 미세패턴을 형성하는 공정을 나타내는 도면으로서, (가)는 노광에 의해 레지스트의 노광부에 산이 발생한 모습을 나타내고, (나)는 노광부 표면에 산의 농도가 줄어든 모습이고, (다)는 산처리후 레지스트 표면에 산의 농도가 줄어든 모습이고, (라)는 현상후 얻어지는 수직패턴의 단면도이고,제4도는 본 발명의 다른 실시예에 따라 미세패턴을 형성하는 공정을 나타내는 도면으로서, (가)는 전면 노광을 실시하여레지스트표면이 가용성으로 변화된 모습을 나타내는 도면이고, (나)는 노광에 의해 노광부에 산이 발생한 모습을 나타내고, (다)는 현상후 얻어지는 수직패턴의 단면도이다.

Claims (10)

  1. 화학증폭형 포토레지스트를 도포한 후 마스크를 사용하여 수행되는 노광 공정, 베이크 공정 및 현상공정을 포함하는 미세패턴의 형성방법에 있어서, 상기 베이크 공정후에 레지스트 표면에 산처리하는 공정이 포함되는 것을 특징으로 하는 미세패턴의 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트가 포지티브형인 것을 특징으로 하는 미세패턴의 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산이 유기산인 것을 특징으로 하는 미세패턴의 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 산이 개미산, 초산 및 설폰산 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 미세패턴의 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 산이 무기산인 것을 특징으로 하는 미세패턴의 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 산이 황산, 질산 및 인산 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 미세패턴의 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 산에 계면활성제가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 미세패턴의 형성방법.
  8. 화학 증폭형 포토레지스트를 도포한 후 마스크를 사용하여 수행되는 노광 공정, 베이크 공정 및 현상공정을 포함하는 미세패턴의 형성방법에 있어서, 상기 마스크를 사용한 노광 공정의 전 또는 후에 마스크 노광시의 에너지량 보다 약한 노광에너지량으로 전면노광을 수행하는 것을 특징으로 하는 미세패턴의 형성방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 포토레지스트가 포지트브형인 것을 특징으로 하는 미세패턴의 형성방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 전면노광시의 광에너지량이 마스크를 사용한 노광시의 광에너지량의 1 내지 40%인 것을 특징으로하는 미세패턴의 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020012135A (ko) * 2000-08-03 2002-02-15 니시가키 코지 포지티브형 화학 증폭 레지스트 및 그 패턴의 형성 방법
KR100472733B1 (ko) * 1997-06-26 2005-05-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의포토레지스트패턴형성방법

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KR100472733B1 (ko) * 1997-06-26 2005-05-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의포토레지스트패턴형성방법
KR20020012135A (ko) * 2000-08-03 2002-02-15 니시가키 코지 포지티브형 화학 증폭 레지스트 및 그 패턴의 형성 방법

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