KR970077135A - 반도체 제조 장치의 가스 공급 라인 - Google Patents
반도체 제조 장치의 가스 공급 라인 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 제조 장치의 가스 공급라인에 관한 것으로, 본 발명에 의한 가스 공급 라인은 반도체 제조를 위한 반응 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 라인과, 상기 가스 라인에 설치되고 상기 가스 라인을 통하여 공급되는 가스의 흐름을 온/오프하는 에어 밸브와, 상기 가스 라인상에서 상기 에어 밸브의 하류에 설치되고, 상기 가스 라인을 통하여 상기 반응 챔버 내로 공급되는 가스의 유량을 제어하는 적어도 2개의 MFC(Mass Flow Control)를 갖추고, 상기 MFC중 가장 상류측의 MFC는 다른 MFC보다 큰 유량 제어 용량을 가진다.
본 발명에 의하면, 반도체 제조 공정시에 가스 공급 라인을 통하여 반도체 제조 장치에 안정된 유량의 가스를 공급할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체 제조 장치의 가스 공급 라인을 개략적으로 나타낸 도면이다.
Claims (2)
- 반도체 제조를 위한 반응 챔버 내로 가스를 공급하는 가스 라인과, 상기 가스 라인에 설치되고 상기 가스라인을 통하여 공급되는 가스이 흐름을 온/오프하는 에어 밸브와, 상기 가스 리인상에서 상기 에어 밸브의 하류에 설치되고, 상기 가스 라인을 통하여 상기 반응 챔버 내로 공급되는 가스의 유량을 제어하는 적어도 2개의 MFC(Mass Flow Control)를 갖추고, 상기 MFC중 가장 상류측의 MFC는 다른 MFC보다 큰 유량 제어 용량을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치의 가스 공급 라인.
- 제1항에 있어서, 상기 MFC의 갯수는 2개이고, 상기 가장 상류측의 MFC의 유량 제어 용량은 다른 MFC의 유량 제어 용량의 적어도 2배인 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 가스 공급 라인.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960015555A KR970077135A (ko) | 1996-05-11 | 1996-05-11 | 반도체 제조 장치의 가스 공급 라인 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960015555A KR970077135A (ko) | 1996-05-11 | 1996-05-11 | 반도체 제조 장치의 가스 공급 라인 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970077135A true KR970077135A (ko) | 1997-12-12 |
Family
ID=66219991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019960015555A KR970077135A (ko) | 1996-05-11 | 1996-05-11 | 반도체 제조 장치의 가스 공급 라인 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR970077135A (ko) |
-
1996
- 1996-05-11 KR KR1019960015555A patent/KR970077135A/ko not_active Application Discontinuation
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