KR920005268A - 기판처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판처리 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

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유이찌 미까다
아끼미찌 요네꾸라
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아오이 죠이찌
가부시끼가이샤 도시바
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    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases

Abstract

내용 없음

Description

기판처리 방법 및 기판 처리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시한 도면.

Claims (13)

  1. 복수의 기판상에서 소정의 표면 처리를 수행하는 방법에 있어서, 복수의 기판이 반응관내에 배열되는 방향으로 최소한 한 종류의 개스를 반응관내에 공급하는 제1단계 및 상기 반응관내의 개스 흐름 방향으로 배열되는 위치 및 최적 표면 처리 조건이 달성되는 위치를 변화시키는 제2단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2단계가 상기 반응관내의 개스 유속을 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 복수의 기판상에서 소정의 표면 처리를 수행하는 방법에 있어서, 복수의 기판이 반응관내에 배열되는 방향으로 반응관내에 유입될 수 있는 최소한 한 종류의 개스를 공급하는 제1단계, 상기 제1단계에서 공급된 상기 개스의 반응을 시작하는 제2단계, 반응이 시작되는 상기 개스의 개스 속도를 시간에 따라 변화시키는 제3단계 및 개스속도가 변화된 상기 개스를 상기 반응관내로 유입하는 제4단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제3단계가 시간에 따라 개스 압력을 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제3단계가 시간에 따라 개스 흐름 길이를 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제3항에 있어서, 상기 제2단계가 상기 한 종류의 개스를 최소한 다른 한 종류의 개스와 혼합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 복수의 기판이 배치된 반응관(10), 개스를 상기 반응관내로 공급하기 위한 수단 및 상기 개스의 유속을 시간에 따라 변화시키는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제1단부 및 제2단부를 갖고 있고 복수의 기판이 배열된 반응관(10), 개스를 함유하는 최소한 한개의 개스원(20), 상기 개스의 유량을 상기 개스원으로부터 제어하기 위해 상기 개스원에 접속된 밸브 수단(40), 상기 밸브 수단의 개방 및 폐쇄를 제어하기 위한 유량 제어 회로(60), 유량이 상기 밸브 수단에 의해 제어되는 상기 개스를 상기 제1단부를 통해 상기 반응관(10)으로 공급하기 위한 개스 유입관(30), 상기 반응관내의 압력을 제어하기 위해 상기 반응관의 상기 제2단부에 접속된 압력 제어 밸브(45), 상기 압력 제어 밸브를 개방 및 폐쇄하기 위한 압력 제어 회로(62) 및 상기 압력 제어 밸브의 하류에 제공되는 펌프(50)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 유량 제어 회로 및 상기 압력 제어 밸브를 제어하기 위한 함수 발생기(65)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 개스를 함유하는 최소한 한개의 개스원(20), 상기 개스원으로부터 상기 개스의 반응을 시작하기 위한 개스 반응 개시 수단(25), 상기 개스 반응 개시 수단에 의해 반응이 시작되는 상기 개스의 유량을 제어하기 위해 상기 개스 반응 개시 수단에 접속된 최소한 한개의 제1밸브 수단(41), 상기 제1밸브 수단에 접속된 제1단부 및 제2단부를 갖고 있는 최소한 한개의 개스 공급관 수단(32), 상기 개스 공급관 수단의 상기 제2단부에 접속된 제2밸브수단(42), 상기 제2밸브 수단에 접속된 개스 유입수단(30), 상기 개스 유입 수단에 접속된 제1단부 및 제2단부를 갖고 있고 복수의 기판이 배열된 반응관(10) 및 상기 반응관이 상기 제2단부의 하류에 제공된 펌프(50)을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 개스 공급관 수단이 상이한 직경을 갖고 있는 복수의공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 개스 공급관 수단이 상이한 흐름 길이를 갖고 있는 복수의 공급관을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제10항에 있어서, 상기 개스 반응 개시 수단이 상기 한 종류의 개스를 최소한 다른 한 종류의 개스와 혼합하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910014957A 1990-08-29 1991-08-28 기판 처리방법 및 기판 처리장치 KR950000857B1 (ko)

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