KR970063567A - 반도체 습식산화공정 수소가스 과도현상 방지방법 - Google Patents

반도체 습식산화공정 수소가스 과도현상 방지방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970063567A
KR970063567A KR1019960005407A KR19960005407A KR970063567A KR 970063567 A KR970063567 A KR 970063567A KR 1019960005407 A KR1019960005407 A KR 1019960005407A KR 19960005407 A KR19960005407 A KR 19960005407A KR 970063567 A KR970063567 A KR 970063567A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
hydrogen gas
supplied
diffusion furnace
wet oxidation
oxidation process
Prior art date
Application number
KR1019960005407A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0174995B1 (ko
Inventor
최진오
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019960005407A priority Critical patent/KR0174995B1/ko
Publication of KR970063567A publication Critical patent/KR970063567A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0174995B1 publication Critical patent/KR0174995B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

확산로에 공급되는 수소가스의 양을 제어하는 반도체 습식산화공정 수소가스 과도현상 방지방법에 관한 것이다.
본 발명은, 습식산화공정을 위하여 산소가스와 수소가스를 유량조절기의 제어로 확산로로 공급하는 반도체 확산설비의 가스공급 방법에 있어서, 상기 산소가스가 일정한 속도로 정량이 공급되며 상기 수소가스가 가변공급되는 초기구간을 세과정으로 구분하고, 제1과정으로 상기 수소가스를 분당 0.95-1.05ℓ로 공급하며, 제2과정으로 상기 수소가스를 분당 0.95-2.06ℓ로 공급하고, 제3과정으로 상기 수소를 분당 4.95-5.05ℓ로 공급하며, 상기 제1,2과정에서 상기 수소가스를 상기 유량조절기로 제어하여 상기 확산로로 1.95ℓ내지 2.05ℓ의 양으로 공급하고, 상기 제3과정에 상기 수소가스를 상기 확산로로 6.95ℓ내지 7.05ℓ의 양으로 공급함을 특징으로 한다.
따라서, 반도체 습식산화공정 초기 단계에 확산로가 폭발하는 문제를 해결할 수 있다.

Description

반도체 습식산화공정 수소가스 과도현상 방지방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따를 반도체 습식산화공정 수소가스 과도현상 방지방법을 설명하기 위한 도면이다.

Claims (1)

  1. 습식산화공정을 위하여 산소가스와 수소가스를 유량조절기의 제어로 확산로로 공급하는 반도체 확산설비의 가스공급 방법에 있어서, 상기 산소가스가 일정한 속도로 정량이 공급되며 상기 수소가스가 가변공급되는 초기 구간을 세과정으로 구분하고, 제1과정으로 상기 수소가스를 분당 0.95-1.05ℓ로 공급하며, 제2과정으로 상기 수소가스를 분당 0.95-2.05ℓ로 공급하고, 제3과정으로 상기 수소를 분당 4.95-5.05ℓ로 공급하며, 상기 제1,2과정에서 상기 수소가스를 상기 유량조절기로 제어하여 상기 확산로로 1.95ℓ내지 2.05ℓ의 양으로 공급하고, 상기 제3과정에 상기 수소가스를 상기 확산로로 6.95ℓ내지 7.05ℓ의 양으로 공급함을 특징으로 하는 반도체 습식산화공정 수소가스 과도현상 방지방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960005407A 1996-02-29 1996-02-29 반도체 습식산화공정 수소가스 과도현상 방지방법 KR0174995B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960005407A KR0174995B1 (ko) 1996-02-29 1996-02-29 반도체 습식산화공정 수소가스 과도현상 방지방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960005407A KR0174995B1 (ko) 1996-02-29 1996-02-29 반도체 습식산화공정 수소가스 과도현상 방지방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970063567A true KR970063567A (ko) 1997-09-12
KR0174995B1 KR0174995B1 (ko) 1999-04-01

Family

ID=19452280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960005407A KR0174995B1 (ko) 1996-02-29 1996-02-29 반도체 습식산화공정 수소가스 과도현상 방지방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0174995B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR0174995B1 (ko) 1999-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960043020A (ko) 반도체 제조장치 및 로드록 실 산소 농도의 제어방법과 자연 산화막의 생성방법
US5522721A (en) Process for combustion in an industrial furnace
TW351847B (en) Method and apparatus for making semiconductor device
NO983586D0 (no) Fremgangsmåte for omdanning av en hydrokarbonholdig ström ved partiell oksydasjon
KR970063567A (ko) 반도체 습식산화공정 수소가스 과도현상 방지방법
JPS57212779A (en) Fuel controlling method in fuel cell power generating system
FR2803021B1 (fr) Chalumeau oxy-combustible
KR920002817A (ko) 가스 침탄 방법 및 그의 장치
AU625618B2 (en) Process and equipment for the heat treatment, before hardening, of metallic pieces, by cementation, carbonitridation or heating
DK0474198T3 (da) Fremgangsmåde til forbrænding
ITMI932040A1 (it) Metodo e dispositivo per la formazione e l'erogazione controllata di un'atmosfera gassosa ad almeno due componenti ed applicazione di
SI0826925T1 (en) Process and device for shutting off a burner
AU5811794A (en) Method and apparatus for treating a flow of gas containing oxidized sulphur compounds
KR980005394A (ko) 반도제 제조 공정의 가스 공급 방법
MY124403A (en) Flame adjusting device for oxygen and hydrogen generator
KR970077135A (ko) 반도체 제조 장치의 가스 공급 라인
KR0172712B1 (ko) 슬로우 듀티 솔레노이드 밸브를 취부한 믹서 구조
KR920005268A (ko) 기판처리 방법 및 기판 처리 장치
PL322128A1 (en) Method of oxygenating molten metal baths and oxygen lance therefor
ATE125345T1 (de) Verfahren zum verbrennen von brenngas mit sauerstoffgas sowie zugehöriger brenner.
KR960039201A (ko) 산화장치 및 산화방법
ES2130974A1 (es) Sistema para la mejora energetica en un horno rotativo de fusion por oxicombustion para la fabricacion de fundicion de hierro.
KR950018503A (ko) 래들의 탈인제 투입속도 제어방법
FR2702266B1 (fr) Procédé et installation de fourniture de gaz à un poste d'utilisation sur un site utilisateur.
KR960039200A (ko) 산화장치 및 산화방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20051007

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee