KR970076072A - 측면확산성분 확인 패턴 및 확인 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 전사 공정에서 식각 저항 성분의 확산 거리를 측정하는 확산 확인 패턴으로서, 기판 상에 설치된 제1감광막 패턴과, 제1감광막 패턴과 확인간격을 가지고 이격되어 상기 기판 상에 설치된 제2감광막 패턴으로 구성되는 확산 확인 단위패턴이 최소한 2개 이상으로 구성되고, 각 확산 확인 단위패턴은 확인간격을 달리하며 서로 연결되어 배열되어 있다.
확산을 확인하는 방법으로서는, 기판 상에 감광막을 형성하는 공정과, 제1패턴 및 제1패턴과 확인간격을 가지는 이격된 위치에 있는 제2패턴으로 구성되되 확인간격이 각각 다르게 형성되는 다수 개의 단위패턴을 가진 마스크를 사용하여 상기 감광막의 표면을 노광시키고, 노광된 감광막 표면상에 식각 저항 성분 함유층을 형성하는 공정과, 상기 식각저항성분 함유층을 마스크로 하여 상기 감광막을 식각하여 상기 제1패턴에 대응하는 제1감광막 패턴과 상기 제2패턴에 대응하는 제2감광막 패턴을 형성하는 공정과, 각 확산 확인 단위패턴에서 상기 제1감광막 패턴과 상기 제2감광막 패턴 사이의 확인간격이 없어지고 제1 및 제2감광막 패턴이 연결되 확산 확인 단위패턴을 검출하는 공정과, 상기 연결된 확산 확인 단위패턴 중에서 제일 큰 확인 간격의 반을 패턴 전사 시의 측면확산 거리로 정하는 공정을 포함한다.

Description

측면확산성분 확인 패턴 및 확인 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 패턴과 방법을 설명하기 위한 도면.

Claims (13)

  1. 반도체 소자의 전사 공정에서 식각 저항 성분의 확산 거리를 측정하는 확산 확인 패턴에 있어서, 기판상에 설치된 제1감광막 패턴과, 상기 제1감광막 패턴과 환인간격을 가지고 이격되어 상기 기판 상에 설치된 제2감광막 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 확산 확인 단위패턴.
  2. 반도체 소자의 전사 공정에서 식각 저항 성분의 확산 거리를 측정하는 확산 확인 패턴에 있어서, 기판상에 설치된 제1감광막 패턴과, 상기 제1감광막 패턴과 환인간격을 가지고 이격되어 상기 기판 상에 설치된 제2감광막 패턴으로 구성되는 확산 확인 단위패턴이 최소한 2개 이상으로 구성되고, 각 확산 확인 단위패턴을 확인간격을 달리하며 서로 연결되어 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 확산 확인 패턴.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2감광막 패턴은 실리레이션층과 포토레지스트로 형성되는 것이 특징인 측면확산확인용패턴.
  4. 제2항에 있어서, 상기 확인간격은 각 단위패턴 마다 서로 다르게 형성된 것이 특징인 측면확산확인용패턴.
  5. 제2항에 있어서, 상기 확인간격은 최소치에서 일정한 비율로 증가되면서 형성된 것이 특징인 측면확산확인용패턴.
  6. 제5항에 있어서, 상기 확인간격이 0.1㎛에서 1.0㎛까지 증가되는 단위패턴 다수개를 배열한 것이 특징인 측면확산확인용패턴.
  7. 제4항에 있어서, 상기 확인간격이 0.2㎛에서 1.0㎛까지 증가되는 단위패턴 다수개를 배열한 것이 특징인 측면확산확인용패턴.
  8. 제2항에 있어서, 상기 단위패턴들은 계단 모양으로 배열된 것이 특징인 측면확산확인용패턴.
  9. 기판 상에 감광막을 형성하는 공정과 제1패턴 및 확인간격을 가지고 이격된 위치에 있는 제2패턴으로 구성되는 단위패턴이 다수개 형성된 마스크를 사용하여 상기 감광막의 표면을 노광시키고, 노광된 감광막 표면상에 식각 저항 성분 함유층을 형성하는 공정과, 상기 식각 저항 성분 함유층을 마스크로 하여 상기 감광막을 식각하여 상기 제1패턴에 대응하는 제1감광막 패턴과 상기 제2패턴에 대응하는 제2감광막 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 확산 확인 패턴 형성 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 단위패턴의 확인간격을 각 단위패턴 마다 서로 다르게 형성하는 것이 특징인 측면확산확인용패턴.
  11. 제9항에 있어서, 상기 확인간격은 최소치에서 일정한 비율로 증가되면서 형성하는 것이 특징인 측면확산확인용패턴.
  12. 제9항에 있어서, 상기 단위패턴들이 제1패턴이 서로 연결되면서 계단 모양으로 배열된 것이 특징인 측면 확산확인용패턴.
  13. 기판 상에 형성되는 전사 패턴의 확산 거리를 측정하는 방법에 있어서, 기판 상에 감광막을 형성하는 공정과, 제1패턴 및 제1패턴과 확인간격을 가지고 이격된 위치에 있는 제2패턴으로 구성되되 확인간격이 각각 다르게 형성되는 다수 개의 단위패턴을 가진 마스크를 사용하여 상기 감광막의 표면을 노광시키고, 노광된 감광막 표면상에 식각 저항 성분 함유층을 형성하는 공정과, 상기 식각 저항 성분 함유층을 마스크로 하여 상기 감광막을 식각하여 상기 제1패턴에 대응하는 제1감광막 패턴과 상기 제2패턴에 대응하는 제2감광막 패턴을 형성하는 공정과, 각 확산 확인 단위패턴에서 상기 제1감광막 패턴과 상기 제2감광막 패턴 사이의 확인간격이 없어지고 제1 및 제2감광막 패턴이 연결된 확산 확인 단위패턴을 검출하는 공정과, 상기 연결된 확산 확인 단위패턴 중에서 제일 큰 확인간격의 반을 패턴 전사 시의 측면확산 거리로 정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 식각 저항 성분의 측면 확산 거리 측정 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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