KR970071783A - 반도체 메모리 장치의 cmos 기준전압 발생회로 - Google Patents

반도체 메모리 장치의 cmos 기준전압 발생회로 Download PDF

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KR970071783A
KR970071783A KR1019960012541A KR19960012541A KR970071783A KR 970071783 A KR970071783 A KR 970071783A KR 1019960012541 A KR1019960012541 A KR 1019960012541A KR 19960012541 A KR19960012541 A KR 19960012541A KR 970071783 A KR970071783 A KR 970071783A
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transistor
electrode connected
output terminal
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KR1019960012541A
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Inventor
박찬종
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 메모리 장치의 CMOS 기준전압 발생회로에 관해 게시한다. 본 발명은 제1주전극의 전원전압에 연결되고 입력단은 접지전압에 연결되며 제2주전극은 기준전압 출력단자에 접속된 제1트랜지스터와, 상기 기준전압 출력단자에 제1주전극이 연결되고 입력단은 접지전압에 연결되며 제2주전극은 N노드에 연결된 제2트랜지스터와, 제1주전극이 N노드에 연결되고 입력단은 기준전압 출력단자에 연결되며 제2주전극은 접지 전압에 연결된 제3트랜지스터와, 제1주전극은 기준전압 출력단자에 연결되고 입력단은 N노드에 연결되며 제2주전극은 접지전압에 연결된 제4트랜지스터로 구성함으로써 반도체 메모리 장치에서 CMOS 기준전압 발생회로가 차지하는 면적을 감소시킬 수 있다.

Description

반도체 메모리 장치의 CMOS 기준전압 발생회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 반도체 메모리 장치의 CMOS기준전압 발생회로도.

Claims (4)

  1. 제1주전극은 전원전압에 연결되고 입력단은 접지전압에 연결되며 제2주전극은 기준전압 출력단자에 접속된 제1트랜지스터와; 상기 기준전압 출력단자에 제1주전극이 연결되고 입력단은 접지전압에 연결되며 제2주전극은 N노드에 연결된 제2트랜지서터; 제1주전극이 N노드에 연결되고 입력단은 기준전압 출력단자에 연결되며 제2주전극은 접지전압에 연결된 제3트랜지스터; 제1주전극은 기준전압 출력단자에 연결되고 입력단은 N노드에 연결되며 제2주전극은 접지전압에 연결된 제4트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 CMOS 기준전압 발생기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1트랜지스터는 PMOS트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 CMOS 기준전압 발생기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2트랜지스터는 PMOS트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 CMOS 기준전압 발생기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제3트랜지스터는 제2트랜지스터보다 채널저항의 온도변화계수가 큰 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 CMOS 기준전압 발생기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960012541A 1996-04-24 1996-04-24 반도체 메모리 장치의 cmos 기준전압 발생회로 KR970071783A (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100496792B1 (ko) * 1997-09-04 2005-09-08 삼성전자주식회사 기준전압발생회로

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KR100496792B1 (ko) * 1997-09-04 2005-09-08 삼성전자주식회사 기준전압발생회로

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