KR970013738A - Cmos트랜지스터를 이용한 기준 전압 발생회로 - Google Patents
Cmos트랜지스터를 이용한 기준 전압 발생회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970013738A KR970013738A KR1019950026278A KR19950026278A KR970013738A KR 970013738 A KR970013738 A KR 970013738A KR 1019950026278 A KR1019950026278 A KR 1019950026278A KR 19950026278 A KR19950026278 A KR 19950026278A KR 970013738 A KR970013738 A KR 970013738A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resistance means
- transistor
- power supply
- node
- gate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
본 발명은 외부에서 사용되는 외부 전원 전압을 칩내부에서 사용되는 기준 전원 전압으로 변환하는 반도체 메모리 칩의 기준 전원 발생회로에 있어서, 상기 외부 전원 전압 VCC와 접지 전압 VSS사이에 차례로 직렬 연결된 제1,2,3저항 수단과, 상기 제2저항 수단과 상기 제3저항 수단 사이의 NODE와 접지 전압 VSS사이에 연결된 제3트랜지스터와, 상기 제2저항 수단과 상기 제3저항 수단 사이의 NODE가 게이트에 연결된 제1트랜지스터와, 상기 제1저항 수단과 상기 제2저항 수단 사이의 NODE가 게이트에 연결된 제2트랜지스터와, 그리고 상기 제3저항 수단과 상기 제1트랜지스터 사이의 NODE가 게이트에 연결된 제3트랜지스터를 구비하여, 상기 제2저항 수단과 상기 제3저항 수단 사이의 NODE가 출력 단자와 연결되어 구성된 것으로서, 외부에서 공급되는 전압에 의해서 게이트 사화막이 BREAK DOWN 되는것을 방지하는 CMOS트랜지스터를 이용한 기준 전압 발생 회로에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 CMOS트랜지스터를 이용한 기준 전압 발생회로를 나타낸 도면.
Claims (1)
- 외부에서 사용되는 외부 전원 전압을 칩내부에서 사용되는 기준 전원 전압으로 변환하는 반도체 메모리 칩의 기준 전원 전압 발생회로에 있어서, 상기 외부 전원 전압 VCC와 접지 전압 VSS사이에 차례로 직렬 연결된 제1,2,3저항 수단과, 상기 제2저항 수단과 상기 제3저항 수단 사이의 NODE와 접지 전압 VSS사이에 연결된 제3트랜지스터와, 상기 제2저항 수단과 상기 제3저항 수단 사이의 NODE가 게이트에 연결된 제1트랜지스터와, 상기 제1저항수단과 상기 제2저항 수단 사이의 NODE가 게이트에 연결된 제2트랜지스터와, 그리고 상기 제3저항 수단과 상기 제1트랜지스터 사이의 NODE가 게이트에 연결된 제3트랜지스터를 구비하여, 상기 제2저항 수단과 상기 제3저항수단 사이의 NODE가 출력 단자와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 CMOS트랜지스터를 이용한 기준 전압 발생회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950026278A KR970013738A (ko) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | Cmos트랜지스터를 이용한 기준 전압 발생회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950026278A KR970013738A (ko) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | Cmos트랜지스터를 이용한 기준 전압 발생회로 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970013738A true KR970013738A (ko) | 1997-03-29 |
Family
ID=66596091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950026278A KR970013738A (ko) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | Cmos트랜지스터를 이용한 기준 전압 발생회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970013738A (ko) |
-
1995
- 1995-08-24 KR KR1019950026278A patent/KR970013738A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970051145A (ko) | 전위 발생회로 | |
| KR950004272A (ko) | 반도체 메모리 장치의 칩 초기화 신호 발생장치 | |
| KR980006142A (ko) | 레이저 퓨즈 옵션회로(laser fuse option circuit) | |
| KR920015365A (ko) | 입출력 버퍼회로 | |
| KR970013732A (ko) | 멀티파워를 사용하는 데이타 출력버퍼 | |
| KR900011152A (ko) | 전원전압 강하검파 및 초기화회로 재설정 회로 | |
| KR970076865A (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 장치의 차지 펌프 회로 | |
| KR970029739A (ko) | 반도체 전위 공급 장치 및 이를 이용한 반도체 기억 장치 | |
| KR940025175A (ko) | 반도체 집적회로의 중간전위 발생회로 | |
| KR930020847A (ko) | 기준전류 발생회로 | |
| KR940020669A (ko) | 바이어스 회로(bias circuit) | |
| KR970013738A (ko) | Cmos트랜지스터를 이용한 기준 전압 발생회로 | |
| KR960009155A (ko) | 반도체 소자의 전압 조정 회로 | |
| KR960027331A (ko) | 버퍼회로 및 바이어스회로 | |
| KR960019978A (ko) | 펄스 발생기 | |
| KR960025766A (ko) | 정전기 방전 보호 회로 | |
| KR970003935A (ko) | 논리 및 레벨 변환 회로 및 반도체 장치 | |
| KR970003193A (ko) | 외부 전원 전압 레벨 감지기에서의 기준 전압 발생 회로 | |
| KR970029746A (ko) | 듀얼 백 바이어스 공급 장치 | |
| KR960003373Y1 (ko) | 리셋 신호 발생회로 | |
| KR970055451A (ko) | 파워 온 리셋 회로 | |
| KR970051366A (ko) | 반도체 메모리 장치의 퓨즈(fuze) 회로 | |
| KR980004936A (ko) | 반도체 메모리 장치의 내부 전압 발생기 | |
| KR970013749A (ko) | 고전압 레벨 검출기 | |
| KR930018581A (ko) | 반도체 메모리 소자의 고전압 발생기 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |