KR960025766A - 정전기 방전 보호 회로 - Google Patents

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KR960025766A
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박근우
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Abstract

본 발명의 정전기 방전 보호 회로에 관한 것으로 정전기 방전 전류가 발생하더라도 내부 소자에 영향을 미치지 않도록 저항을 첨가하여 정전기 방전 전류를 방지할 수 있도록 하였으며, 이로 인해 정전기 방전 전류 불량 분석에 소요되는 시간과 비용을 줄였다.

Description

정전기 방전 보호 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (3)

  1. 반도체 기억소자의 정전기 방전 보호 회로에 있어서, 전원전압(Vdd) 및 노드(N3) 사이에 접속된 NMOS트랜지스터(Q1)와, 상기 노드(N3) 및 그라운드 단자(N2:GND) 사이에 접속된 NMOS트랜지스터(Q2)와, 노드(N6)에 접속된 패드(PAD :11)와 상기 노드(N6) 및 상기 노드(N3) 사이에 접속된 저항(R2)과, 상기 노드(N3) 및 노드(N4) 사이에 접속된 저항(R1)과 상기 노드(N4) 및 상기 노드(N2) 사이에 접속되며 게이트가 그라운드(GND)에 연결된 NMOS트랜지스터(Q5)와 전원전압(Vdd) 및 노드(N5)사이에 접속되며 게이트에 상기 노드(N4)가 연결된 NMOS트랜지스터(Q3)와, 상기 노드(N5) 및 그라운드(GND) 사이에 접속되며 게이트에 상기 노드(N4)가 연결된 NMOS트랜지스터(Q4)로 구성된 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호 회로
  2. 제1항에 있어서, 상기 저항(R2)은 상기 패드로부터 인가되는 정전기 방전 전류의 피크 값과 주파수를 줄이는 역할을 하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제항(R2)은 내부 회로와 거리를 멀게하여 상기 저항(R2)이 정전기 방전 전류를 소모할 때 영향을 받지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100444013B1 (ko) * 1997-05-09 2004-11-03 삼성전자주식회사 정전기보호기능을가진반도체집적회로의능동저항소자

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100444013B1 (ko) * 1997-05-09 2004-11-03 삼성전자주식회사 정전기보호기능을가진반도체집적회로의능동저항소자
KR100336896B1 (ko) * 1998-12-30 2003-06-12 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 액정표시소자

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