KR970065778A - 실리콘 단결정 제조장치 - Google Patents
실리콘 단결정 제조장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970065778A KR970065778A KR1019970010889A KR19970010889A KR970065778A KR 970065778 A KR970065778 A KR 970065778A KR 1019970010889 A KR1019970010889 A KR 1019970010889A KR 19970010889 A KR19970010889 A KR 19970010889A KR 970065778 A KR970065778 A KR 970065778A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- heater
- parts
- crucible
- heat generating
- support members
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/917—Magnetic
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1076—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
- Y10T117/1088—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone including heating or cooling details
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
실리콘 단결정 제조장치가 도가니, 히터, 전극 및 자석을 포함한다.
복수의 발열부 및 2개의 주전극부 이외에도, 상기 히터는 2 이상의 보조 전극부를 갖는다.
절연성을 갖는 2 이상의 히터 지지부재가 상기 보조전극부를 통해 히터를 지지하도록 제공된다.
히터 지지부재와 전극사이 및 인접한 히터지지부재사이에 존재할 수 있는 발열부의 수는 4 이하이다.
히터의 각 발열부는 25㎜ 이상의 두께를 갖는다.
이 구조는, 히터를 통해 다량의 전류가 흐르는 경우라도, 도가니내의 실리콘 용해물에 고강도의 자장이 인가되는 경우에도, 그리고 히터의 직경이 보다 큰 경우에도, 히터를 파손시킴이 없이 실리콘 단결정을 제조 가능하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 실리콘 단결정 제조장치의 일실시예의 개략단면도.
Claims (5)
- 실리콘 용해물을 수용하는 회전도가니; 상기 도가니의 외주연을 둘러싸도록 배치되어 있으며, 복수의 발열부, 직류를 받기 위한 2개의 주전극부 및 2 이상의 보조전극부를 갖는 히터; 절연성을 갖고 상기 보조전극부를 통해 상기 히터를 지지하게 되어 있는 2 이상의 히터 지지부재; 및 상기 도가니내에 포함된 실리콘 융해물에 수평자장을 인가하는 자석;을 포함하여 구성되며, 상기 히터지지부재와 전극사이 및 서로 인접한 히터 지지부재사이에 존재하는 발열부의 수는 4 이하인, 실리콘 단결정 제조장치.
- 제1항에 있어서, 상기 히터의 발열부 각각은 25㎜ 이상의 두께를 가짐을 특징으로 하는 장치.
- 실리콘 융해물을 수용하는 회전도가니; 상기 도가니의 외주연을 둘러싸도록 배치되어 있으며, 복수의 발열부, 직류를 받기 위한 2개의 주전극부 및 2 이상의 보조전극부를 갖는 히터; 절연성을 갖고 상기 보조전극부를 통해 상기 히터를 지지하게 되어 있는 2 이상의 히터 지지부재; 및 상기 도가니내에 포함된 실리콘 융해물에 수평자장을 인가하는 자석;을 포함하고, 상기 히터의 발열부 각각은 25㎜ 이상의 두께를 가지는, 실리콘 단결정 제조장치.
- 제3항에 있어서, 히터 지지부재와 전극사이 혹은 서로 인접한 히터 지지부재사이에 존재하는 발열부의 수는 4 이하임을 특징으로 하는 장치.
- 실리콘 융해물을 수용하는 회전도가니; 상기 도가니의 외주연을 둘러싸도록 배치되어 있으며, 복수의 발열부, 직류를 받기 위한 2개의 주전극부 및 2 이상의 보조전극부를 갖는 히터; 절연성을 갖고 상기 보조전극부를 통해 상기 히터를 지지하도록 되어 있는 2 이상의 히터 지지부재; 및 상기 도가니내에 포함된 실리콘 융해물에 수평자장을 인가하는 자석;을 포함하여 구성되며, 히터 지지부재와 전극사이 및 서로 인접한 히터지지 부재사이에 존재하는 발열부의 수는 4 이하이며, 히터의 발열부 각각은 25㎜ 이상의 두께를 갖는, 실리콘 단결정 제조장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8097704A JPH09263491A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | シリコン単結晶の製造装置 |
JP8-97704 | 1996-03-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970065778A true KR970065778A (ko) | 1997-10-13 |
KR100482812B1 KR100482812B1 (ko) | 2005-08-09 |
Family
ID=14199318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970010889A KR100482812B1 (ko) | 1996-03-27 | 1997-03-27 | 실리콘단결정제조장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5968266A (ko) |
EP (1) | EP0798404B1 (ko) |
JP (1) | JPH09263491A (ko) |
KR (1) | KR100482812B1 (ko) |
DE (1) | DE69706589T2 (ko) |
TW (1) | TW531572B (ko) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5922127A (en) * | 1997-09-30 | 1999-07-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Heat shield for crystal puller |
US6093913A (en) * | 1998-06-05 | 2000-07-25 | Memc Electronic Materials, Inc | Electrical heater for crystal growth apparatus with upper sections producing increased heating power compared to lower sections |
US6287382B1 (en) * | 1998-10-13 | 2001-09-11 | Memc Electronic Materials, Inc. | Electrode assembly for electrical resistance heater used in crystal growing apparatus |
US6285011B1 (en) | 1999-10-12 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Electrical resistance heater for crystal growing apparatus |
DE19959416C1 (de) * | 1999-12-09 | 2001-03-15 | Freiberger Compound Mat Gmbh | Heizelement zum Beheizen von Schmelztiegeln und Anordnung von Heizelementen |
DE10129675A1 (de) * | 2001-06-20 | 2003-01-02 | Solarworld Ag | Vorrichtung zur elektrischen Beheizung eines senkrecht stehenden Raumes |
JP4161655B2 (ja) * | 2002-09-13 | 2008-10-08 | 信越半導体株式会社 | 結晶製造用ヒーター及び結晶製造装置並びに結晶製造方法 |
JP4773340B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2011-09-14 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体単結晶製造装置 |
WO2007040081A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Komatsu Denshi Kinzoku Kabushiki Kaisha | 単結晶半導体製造装置および製造方法 |
EP2022876A4 (en) | 2007-05-30 | 2010-05-05 | Sumco Corp | APPARATUS FOR TRACING A SILICON MONOCRYSTAL |
TW200928018A (en) * | 2007-12-21 | 2009-07-01 | Green Energy Technology Inc | Crystal-growing furnace with convectional cooling structure |
JP5169455B2 (ja) * | 2008-05-08 | 2013-03-27 | 信越半導体株式会社 | 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置 |
JP5293615B2 (ja) * | 2010-01-08 | 2013-09-18 | 信越半導体株式会社 | 単結晶製造装置 |
KR102017080B1 (ko) * | 2017-12-05 | 2019-09-02 | 웅진에너지 주식회사 | 잉곳 성장장치 |
JP7294225B2 (ja) * | 2020-04-23 | 2023-06-20 | 信越半導体株式会社 | 単結晶引上げ装置及び半導体単結晶の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3039071A (en) * | 1959-07-06 | 1962-06-12 | William M Ford | Electrical resistance-type heater |
US4606037A (en) * | 1983-01-18 | 1986-08-12 | Agency Of Industrial Science & Technology | Apparatus for manufacturing semiconductor single crystal |
US4597949A (en) * | 1983-03-31 | 1986-07-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Apparatus for growing crystals |
JPS6144794A (ja) * | 1984-08-08 | 1986-03-04 | Hitachi Ltd | 発熱体 |
JPH0772116B2 (ja) * | 1991-02-15 | 1995-08-02 | 信越半導体株式会社 | 単結晶引上装置 |
JP2688137B2 (ja) * | 1991-12-04 | 1997-12-08 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の引上げ方法 |
JP3402041B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2003-04-28 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の製造装置 |
JPH09227286A (ja) * | 1996-02-24 | 1997-09-02 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 単結晶製造装置 |
JP3482979B2 (ja) * | 1996-04-09 | 2004-01-06 | 三菱住友シリコン株式会社 | 単結晶引上装置におけるヒーター電極溶損防止装置 |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP8097704A patent/JPH09263491A/ja active Pending
-
1997
- 1997-03-20 US US08/822,088 patent/US5968266A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-20 TW TW086103535A patent/TW531572B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-03-24 EP EP97301967A patent/EP0798404B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-03-24 DE DE69706589T patent/DE69706589T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-03-27 KR KR1019970010889A patent/KR100482812B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100482812B1 (ko) | 2005-08-09 |
EP0798404A2 (en) | 1997-10-01 |
EP0798404B1 (en) | 2001-09-12 |
DE69706589T2 (de) | 2002-07-11 |
JPH09263491A (ja) | 1997-10-07 |
EP0798404A3 (en) | 1997-11-05 |
TW531572B (en) | 2003-05-11 |
US5968266A (en) | 1999-10-19 |
DE69706589D1 (de) | 2001-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970065778A (ko) | 실리콘 단결정 제조장치 | |
DE69608422D1 (de) | Elektrische isolierungsanordnung bei hohen temperaturen | |
DE3482673D1 (de) | Waermesenkeinheiten und dabei verwendete elektrische isolatoren. | |
DE69533609D1 (de) | Elektrodenstruktur und diese enthaltendes elektrisches Heizelement | |
DE69626262T2 (de) | Gesintertes siliciumnitrid hoher wärmeleitfähigkeit und druckgeschweisste struktur | |
DE69517624D1 (de) | Gerät mit Selbstregelung des elektrische Stromes | |
DE69628583D1 (de) | Diffusionsbarrieren zur vorbeugung des angriffs von wasserstoff bei hohen temperaturen | |
FR2653197B1 (fr) | Procede d'etancheification d'une extremite d'element de chauffage electrique et element etancheifie par ce procede. | |
KR970004959A (ko) | 접속부를 가진 흑연전극 | |
KR900002395A (ko) | 디렉트 모니터링(Direct Monitoring)전기로를 이용한 수평 브리지만(Bridgman)단결정성장장치 | |
DE29707172U1 (de) | Elektrische Maschine mit Fluidkühlung | |
DE69719149D1 (de) | Wärmeerzeuger und viskose flüssigkeit dafür | |
DE29714614U1 (de) | Elektrische Maschine mit Flüssigkeitskühlung | |
KR960702724A (ko) | 전기 융해 장치(Electric melting device) | |
FR2671628B1 (fr) | Appareil pour mesurer la temperature de chauffage dans un champ electrique intense de micro-ondes. | |
ATA67790A (de) | Elektrode für elektrische messeinrichtungen und dgl. | |
DE69108502D1 (de) | Isolierelement und elektrische Bauteile daraus. | |
DE69808992T2 (de) | Heizelementträger für einen elektrischen Wärmebehandlungsofen | |
DE69821614D1 (de) | Sicherheitsvorrichtung von elektrischen verbindern mit stromschienen, installationskanälen und ähnlichen. | |
DE69636860D1 (de) | PTC-Vorrichtung zum Schutz von elektrischen Vorrichtungen | |
DE9404719U1 (de) | Abschirmelement zur thermischen und elektrischen Isolation von erdverlegten Versorgungsleitungen | |
IT1275308B (it) | Dispositivo per la protezione dei motori elettrici dalle temperature e dalle correnti elevate | |
CO5290301A1 (es) | Aparato para suministrar una corriente de vidrio de cubierta | |
ITPI960051A1 (it) | Dispositivo ad incasso completo di derivazioni elettriche e supporti per l'installazione di lampadari o altri apparecchi elettrici | |
FR2819942B1 (fr) | Dispositif pour contact electrique pour materiaux fibreux et son uitilisation pour le chauffage par effet joule |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080328 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |