JP7294225B2 - 単結晶引上げ装置及び半導体単結晶の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、単結晶引上げ装置及び半導体単結晶の製造方法に関する。

シリコン単結晶の主な製法であるチョクラルスキー法（ＣＺ法）は、坩堝中のシリコン原料を溶融して融液を形成し、そこに種結晶を接触させ、回転させながら引き上げることで単結晶を得る製法である。近年ではその改良型として、融液に磁場を印加して対流を抑制する磁場印加ＣＺ（ＭＣＺ）法が主流となっている。シリコン融液のような導電性を持つ流体は磁場を印加することで対流を抑制することが可能であり、大口径である直径３００ｍｍ以上の結晶製造に特に有効な手法である。

このＭＣＺ法は、例えば図７に示した装置で行われている。すなわち、チャンバー１の内部に黒鉛坩堝に支持された石英製の坩堝２が載置され、その周囲を円筒形の黒鉛製ヒーター３が取り囲んでいる。ヒーター３はクランプ４及び電極アダプター５を介してチャンバー下部の電極６に接続され、さらに電極６は電源装置に電気的に接続されている。

この装置を用いて、次のようにしてシリコン単結晶が製造される。すなわち、坩堝２の中に多結晶シリコン原料を充填した後、電極６に直流電源を供給することによって坩堝２内のシリコン原料を溶融してシリコン融液７とする。次いで、マグネットコイル８によりシリコン融液７に水平方向の磁場を印加しながら、引上げ軸９の先端に取り付けられた種結晶１０をシリコン融液７に浸し、これをゆっくりと回転しながら引き上げることによってシリコン単結晶１１を製造する。

上記のＭＣＺ法において磁場印加中でヒーターに通電すると、磁場と電流の相互作用によりヒーター内を流れる電流の方向に応じたローレンツ力が働く。これによりヒーターが回転したり浮き上がったりすると、他の炉内部材との接触による放電や漏電、あるいは部材そのものの破損が起こる恐れがある。これを防ぐ目的で、ヒーターとそれを支えるクランプとを楔及び治具で固定したり、磁力線方向に対する電流方向を定めたりするといった対策が提案されてきた（特許文献１－４）。

特開昭６３－２９７２９１号公報 特開平９－１８３６９１号公報 特開昭６３－２９７２９２号公報 特開昭６４－０４２３８９号公報

ここで、図８を用いて、電極とヒーターの接続部の構造について述べる。最も単純な構造として、図８（ａ）に示すように、電極６とヒーター３の端子部を電極アダプター５がつなぐ構造が考えられる。また、類似の構造として、電極アダプター５とヒーター端子部の間にクランプ４を挿入する構造が考えられる（図８（ｂ））。一方、図８（ｃ）に示すように、電極アダプター５とヒーター端子の軸がずれている場合に、それらをつなぐような形状のクランプを用いることも考えられる。電極とヒーターの位置関係や他の炉内部材との配置の関係によっては、このような構造が好適な場合がある。このとき、電極アダプター５とクランプ４の固定には、接続具１２であるボルトを用いて固定する方法や、あるいは電極アダプター上部から突出させたねじ部にナットを螺合する方法等が挙げられる。

図８（ａ）、（ｂ）に示される構造では各部材の中心軸が一直線上にあるので、磁場印加中での通電によりヒーターを周方向に回転させる力が加わった場合でも、基本的に電極アダプター５やクランプ４が緩むことはない。しかしながら、図８（ｃ）に示される構造でそのような力が加わった場合、電極アダプター５の軸周りにトルクがかかることになり、トルクの向きと強さによっては接続具１２であるボルトが緩む恐れがある。これによりクランプ及びヒーターが回転してしまうと、他部材との接触による破損や放電等が発生し、操業停止につながる恐れがある。特に大型部材や強い磁場条件を用いる場合、ローレンツ力も非常に大きくなり、クランプの固定が不十分な場合があった。

上記の対策として、電極アダプターとクランプを２ヶ所以上で固定することが考えられる。しかしながら、電極アダプターは電極との螺合により固定される構造のため、クランプと接続する上面や側面に固定用の構造（例えば、回転防止のピンを挿入するための穴等）を設けたとしても、その位置がクランプに対していつも同じ場所にはならない。そのため、単に固定用の構造を設けるだけでは、対策として不十分だった。

本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、磁場によりヒーターを回転させる力が加わった場合でも、クランプの回転を最小限に抑えることが可能な単結晶引上げ装置を提供することを目的としている。

本発明は、上記目的を達成するためになされたものであり、加熱ヒーター及び溶融した半導体原料が収容される坩堝が配置される引上げ炉と、該引上げ炉の周囲に設けられ、超電導コイルを有する磁場発生装置とを備え、前記超電導コイルへの通電により前記溶融した半導体原料に水平磁場を印加して、前記溶融した半導体原料の前記坩堝内での対流を抑制する単結晶引上げ装置であって、前記加熱ヒーターに電力を供給するための電極と、前記電極に接続された円柱形の電極アダプターと、前記電極アダプターと前記加熱ヒーターの端子とを接続するクランプと、前記電極アダプターと前記クランプとを接続する接続具を含み、前記電極アダプターは、クランプ側接続端の外周面に少なくとも１つの凹部を有し、前記クランプは、前記凹部と連通する少なくとも１つの貫通孔を有し、前記貫通孔を通して前記凹部に挿入される少なくとも１つの回転防止冶具を備える単結晶引上げ装置を提供する。

このような単結晶引上げ装置によれば、磁場を印加している状態でヒーターに通電した場合の、磁場と電流の相互作用に起因したヒーター内を流れる電流の方向に応じたローレンツ力による加熱ヒーターの回転を、電極アダプターとクランプの位置関係に拘らず、最小限に抑えることができ、その結果、他の炉内部材との接触による放電や漏電、あるいは部材そのものの破損の発生を抑制可能なものとなる。

このとき、前記電極アダプターは複数の前記凹部を有し、前記クランプは複数の前記貫通孔を有し、前記複数の凹部のうちの１つの凹部と、前記複数の貫通孔のうちの１つの貫通孔が、１組以上連通しており、前記連通した少なくとも１組の前記貫通孔と前記凹部に挿入される、少なくとも１つの前記回転防止冶具を備える単結晶引上げ装置とすることができる。

これにより、凹部と貫通孔とが複数設けられていれば、電極アダプターの凹部とクランプの貫通孔が一致しうる箇所が増えるため、より確実に加熱ヒーターの回転を抑制できるものとなる。

このとき、前記クランプの貫通孔は、前記電極アダプターの中心軸周りに等間隔にｎ回対称（但し、ｎは６以上の整数）となるように、及び／又は、前記凹部は、前記電極アダプターの中心軸周りに等間隔にｍ回対称（但し、ｍは６以上の整数）となるように配置されたものである単結晶引上げ装置とすることができる。

これにより、いずれかの凹部及び貫通孔に回転防止冶具が挿入可能な配置数をできるだけ多いものとすることができる。

このとき、前記貫通孔の数と、前記凹部の数の最大公約数が１又は２である単結晶引上げ装置とすることができる。

このようなものであっても、加熱ヒーターの回転を効果的に抑えることができるものである。

このとき、前記電極アダプター、前記クランプ及び前記回転防止冶具は、同一材質のものからなるものである単結晶引上げ装置とすることができる。

このようなものであれば、高温にさらされるＣＺ法の炉内において、熱膨張率の違いによる破損や変形の恐れが抑制されたものとなる。

このとき、上記単結晶引上げ装置を用いてＭＣＺ法により半導体単結晶を製造する半導体単結晶の製造方法とすることができる。

これにより、磁場を印加してヒーターを回転させる力が加わった場合でも、クランプの回転を最小限に抑えることが可能となるため、他の部材との接触による破損や放電等が抑制でき、操業停止につながるトラブルを抑制しながら半導体単結晶を製造することができる。その結果、歩留まりや生産性を向上することができる。

以上のように、本発明の単結晶引上げ装置によれば、磁場を印加している状態でヒーターに通電した場合の、磁場と電流の相互作用に起因したヒーター内を流れる電流の方向に応じたローレンツ力によるヒーターの回転を、電極アダプターとクランプの位置関係に拘らず、最小限に抑えることができ、その結果、他の炉内部材との接触による放電や漏電、あるいは部材そのものの破損の発生を抑制可能なものとなる。

本発明に係る電極、電極アダプター、クランプの構造を示す断面図である。 本発明に係るクランプにおける貫通孔の配置例（上面図）である。 本発明に係る電極アダプターのクランプ側接続端の一例を示す平面図である。 本発明に係るクランプと電極アダプターを重ね合わせた際の配置を示す平面図である。 図４の配置から、クランプを反時計回りに２°回転させた際の配置を示す平面図である。 図４の配置から、クランプを反時計回りに１°回転させた際の配置を示す平面図である。 単結晶引上げ装置の一例を示す概念図である。 一般的な電極、電極アダプター、クランプの構造の例を示す断面図である。

以下、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

上述のように、磁場によりヒーターを回転させる力が加わった場合でも、クランプの回転を最小限に抑えることが可能な単結晶引上げ装置が求められていた。

本発明者らは、上記課題について鋭意検討を重ねた結果、加熱ヒーター及び溶融した半導体原料が収容される坩堝が配置される引上げ炉と、該引上げ炉の周囲に設けられ、超電導コイルを有する磁場発生装置とを備え、前記超電導コイルへの通電により前記溶融した半導体原料に水平磁場を印加して、前記溶融した半導体原料の前記坩堝内での対流を抑制する単結晶引上げ装置であって、前記加熱ヒーターに電力を供給するための電極と、前記電極に接続された円柱形の電極アダプターと、前記電極アダプターと前記加熱ヒーターの端子とを接続するクランプと、前記電極アダプターと前記クランプとを接続する接続具を含み、前記電極アダプターは、クランプ側接続端の外周面に少なくとも１つの凹部を有し、前記クランプは、前記凹部と連通する少なくとも１つの貫通孔を有し、前記貫通孔を通して前記凹部に挿入される少なくとも１つの回転防止冶具を備える単結晶引上げ装置により、磁場を印加している状態でヒーターに通電した場合の、磁場と電流の相互作用に起因したヒーター内を流れる電流の方向に応じたローレンツ力によるヒーターの回転を、電極アダプターとクランプの位置関係に拘らず、最小限に抑えることができ、その結果、他の炉内部材との接触による放電や漏電、あるいは部材そのものの破損の発生を抑制可能なものとなることを見出し、本発明を完成した。

以下、本発明の一実施形態に係る単結晶引上げ装置について、図１～７を参照しながら説明する。

（単結晶引上げ装置）
本発明に係る単結晶引上げ装置は、加熱ヒーター及び溶融した半導体原料が収容される坩堝が配置される引上げ炉と、該引上げ炉の周囲に設けられ、超電導コイルを有する磁場発生装置とを備え、超電導コイルへの通電により溶融した半導体原料に水平磁場を印加して、溶融した半導体原料の前記坩堝内での対流を抑制する単結晶引上げ装置において、電源（不図示）から、電極、電極アダプター、クランプを介して加熱ヒーターへ電力を供給するための、電極アダプターとクランプの接続部の構造に特徴を有するものである。以下、本発明に係る単結晶引上げ装置における、電極アダプターとクランプの接続構造について詳細に説明するが、電極アダプター、クランプの接続構造以外の、図７に示す単結晶引上げ装置と同等の事項については、説明を適宜省略することがある。

図１は、本発明に係るシリコン単結晶製造装置の電極６、円柱形の電極アダプター５、クランプ４の接続構造の一例を示す断面図である。外部に設けられた電源（不図示）から、電極６、電極アダプター５、クランプ４を介して、加熱ヒーターに電力が供給される。ここで、電極６と電極アダプター５の接続、固定方法は特に限定されず、例えば、電極６の上端にねじ切り加工（オスネジ）を施し、同じくねじ切り加工（メスネジ）された円柱形の電極アダプター５の下端とを螺合することにより固定することができる。

電極アダプター５と加熱ヒーター３の端子とは、クランプ４により接続され、電極アダプター５とクランプ４とは接続具１２で接続される。図１の例では、電極アダプター５の上端のクランプ側接続端１３を、クランプ４の座ぐり部にはめ合わせてクランプ４を載置する。クランプ４の座ぐり部の中央には、接続具１２、例えばボルトを通すための穴が空いており、接続具１２と電極アダプター５のクランプ側接続端１３を螺合することで、間にあるクランプごと固定して接続する構造となっている。また、クランプ４には、接続した電極アダプター５の中心軸１４周りに、少なくとも１つの貫通孔１６が形成されている。さらに、円柱形の電極アダプター５のクランプ側接続端１３には、外周部に少なくとも１つの凹部１７が設けてある。そして、接続具１２と電極アダプター５とが接続されたときに、凹部１７と貫通孔１６とがいずれかの位置で連通するように形成されている。

クランプ４の貫通孔１６の一つに、回転防止冶具１５として例えば回転防止ピンを挿入し、それが電極アダプター５のクランプ側接続端１３の外周部に形成された凹部１７に挿入されることで、クランプが回転するのを防止する役割を果たしている。なお、電極アダプター、クランプ及び回転防止冶具は、同一材質のものとすることが好ましく、特には黒鉛材からなるものとすることが好ましい。ＣＺ法の単結晶製造装置の炉内は高温に曝されるため、同一の材質からなる部材同士を接続させると、熱膨張率の違いによる破損や変形を有効に防止できるものとなる。

電極アダプター５とクランプ４を接続固定する際には、電極アダプター５の凹部１７とクランプ４の貫通孔１６が一致する箇所に回転防止冶具１５を差し込んでから、電極アダプター５とクランプ４を、ボルト等の接続具１２により接続固定する。

図２に、クランプ４における貫通孔１６の配置例（上面図）を示す。また、図３に、電極アダプター５のクランプ側接続端１３の一例の上面図を示す。このように、電極アダプター５はクランプ側接続端１３の外周面に複数の凹部１７を有し、クランプ４は複数の貫通孔１６を有するものとすることができる。そして、複数の凹部１７のうちの１つの凹部と、複数の貫通孔１６のうちの１つの貫通孔は、１組以上連通しており、連通した少なくとも１組の貫通孔と凹部に、少なくとも１つの回転防止冶具１５を挿入するものとすることが好ましい。電極アダプター５の凹部１７とクランプ４の貫通孔１６を、それぞれ複数とすることで、回転防止冶具１５が挿入可能となる箇所を増やすことができる。

また、クランプ４の貫通孔１６は、電極アダプター５の中心軸１４周りに等間隔にｎ回対称（但し、ｎは６以上の整数）となるように、及び／又は、電極アダプター５の凹部１７は、電極アダプター５の中心軸１４周りに等間隔にｍ回対称（但し、ｍは６以上の整数）となるように配置されたものとすることが好ましい。これは、いずれかの貫通孔１６に回転防止冶具１５が挿入可能な配置数をできるだけ多くしようとした場合、ｎ、ｍが６以上の整数であれば、そのような配置数を十分にとることができるからである。また、貫通孔１６や電極アダプター５の凹部１７が中心軸１４周りに対称であれば、回転防止冶具１５が挿入可能であるときの電極アダプターに対するクランプの角度（以下、「挿入可能角度」と呼ぶ）が等間隔で存在するようになるため、両部材の位置関係による偏りがなくなる。また、挿入可能角度の検討でクランプ４を電極アダプター５に対して回転させることを考える際、貫通孔１６と凹部１７がそれぞれ中心軸周りに対称であれば、基準位置０°から（３６０／ｎ）°までの角度を検討すれば、それ以降は検討済みの配置と重なるので、検討が簡便になるという利点もある。

また、貫通孔１６の数と凹部１７の数の最大公約数が、１又は２のものとすることが好ましい。一般に、ある挿入可能角度において、回転防止冶具１５を挿入可能な貫通孔はｎとｍの最大公約数に等しい数だけ同時に存在する。これらの同時に挿入可能な貫通孔１６及び／又は凹部１７を増やしても回転防止の観点では利点が少ないため、最大公約数を小さくし、異なる角度において挿入可能な配置数を増やすことがより好ましい。

図２の例では、貫通孔１６の数ｎを２０としており、中心軸１４を中心とした円上に１８°等間隔に配置されている。図３の例ではクランプ側接続端１３の外周部に形成した凹部１７の数ｍを９としており、中心軸１４周りに４０°等間隔に配置されている。

図４に、基準位置において図３の電極アダプター５の凹部１７と図２のクランプ４における貫通孔１６を重ね合わせた図を示す。電極アダプター５のクランプ側接続端１３のうち、クランプ４の貫通孔１６を通して見える部分を実線で、クランプ４に隠れて見えない部分を破線で示した。この貫通孔の数ｎと電極アダプターのクランプ側接続端の凹部の数ｍの組合せの場合、２０と９は互いに素（最大公約数が１）であるので、図４に示す通り、クランプ側接続端１３の凹部が貫通孔と一致するのは右端の１箇所のみとなる。このとき、もしｎとｍの最大公約数が２以上であれば、この状態で最大公約数に一致する数だけ同時に挿入可能な貫通孔が存在することになる。図４では、右端の貫通孔に貫通孔と略同じサイズの回転防止冶具１５を挿入することで、回転防止の効果が発揮される。

次に、図４からクランプを反時計回りに２°だけ回転させたときの状態を、図５に示す。ただし、図５，６では、電極アダプター５のクランプ側接続端１３側は、可視・不可視にかかわらずすべて破線で表示する。図５のθ＝０°の位置のクランプ側接続端１３の凹部は、その上部の貫通孔の位置がずれたので挿入することはできず、代わりにθ＝２００°の位置に回転防止冶具が挿入可能となっている。また、図５からさらに反時計回りに２°だけ回転させると、θ＝４０°の位置に挿入可能となる。以下同様にして、２°刻みで挿入可能な凹部が移り変わりながら、１６°までの回転でクランプ側接続端の９個の凹部に１回ずつピンが挿入されることになる。そこからさらに２°回転させた状態（図４から見て貫通孔が１８°回転した状態）は、貫通孔の位置が元の図４と一致するため、それ以降も２°刻みで回転防止冶具を挿入可能であることは自明である。

ｎ＝２０、ｍ＝９のときの例では、クランプ４と電極アダプター５の相対的な回転角度が２°刻みでピンが挿入可能だったが、一般に、回転防止冶具の挿入可能な角度間隔は以下の式で与えられる。
（３６０°×ｇｃｄ）／（ｎ×ｍ） ・・・ （１）
ただし、ｎはクランプの貫通孔の数、ｍは電極アダプターのクランプ側接続端の凹部の数、ｇｃｄはｎとｍの最大公約数である。この式から分かるように、角度間隔を細かく取りたい場合には、ｎとｍを大きくとり、かつ最大公約数が小さくなるようにすればよい。

ここで、上記の例について、クランプが０°と２°の間の角度で回転した場合を考える。図６にはクランプが１°回転したときの状態を示す。この例では０°と２°のときに凹部と貫通孔が正確に一致するので、１°回転のときが最も凹部と貫通孔のずれ量が多い角度となる。クランプがどの角度に位置する場合でも回転防止冶具を挿入可能にするには、１°回転のときに回転防止冶具がぴったりはまるよう、貫通孔に対する回転防止冶具のサイズを設定すればよい。なお、この１°回転のように、最もずれ量が多くなる角度に限り２箇所のくぼみに回転防止冶具を挿入可能であるが、クランプが反時計回りに回って緩むことを防止するという目的を考えると、図６の例ではθ＝０°の位置に回転防止冶具を挿入することがより好ましい。また、上記のサイズ設定により貫通孔や凹部に対して回転防止冶具が若干小さくなる分遊びが生じるが、ずれ量が最も多くなる位置でぴったりはまるサイズにすることで、遊びを最小限にすることが可能である。この例では、遊びによるクランプの回転可能角度は最大でも２°であり、実用的な回転防止機構となっている。

なお、上記の例では貫通孔、凹部及び回転防止冶具の断面形状は四角形としたが、これは回転防止に適した構造の一つとして採用しているものであり、同様の効果が得られるのであればこの形状に限定されるものではない。

（半導体単結晶の製造方法）
本発明に係る半導体単結晶の製造方法においては、上述の単結晶引上げ装置を用いてＭＣＺ法により半導体単結晶を製造する。単結晶引上げ条件は特に限定されない。本発明に係る半導体単結晶の製造方法であれば、磁場を印加してヒーターを回転させる力が加わった場合でも、クランプの回転を最小限に抑えることが可能となるため、他の部材との接触による破損や放電等が抑制でき、操業停止につながるトラブルを抑制することができる。その結果、歩留り、生産性が向上する。

以下、実施例を挙げて本発明について具体的に説明するが、これは本発明を限定するものではない。

（実施例）
シリコン単結晶の引上げにあたり、図１～３に示す構造の電極アダプター、クランプ、回転防止ピン（回転防止冶具）を用いて、電極及びヒーターの接続を行った。クランプの貫通孔の数は２０個、電極アダプターのクランプ側接続端に形成した凹部の数は９個とした。貫通孔の形状は正方形とし、図２のａで示される１辺の長さを１４．４ｍｍとした。電極アダプターのクランプ側接続端の凹部の形状は、図３のｂ，ｃにおいてそれぞれ１４．４ｍｍ、９．４ｍｍとした。また、回転防止ピンの断面形状は１辺１３．２ｍｍの正方形とし、挿入可能な位置に１本挿入した。
その他の条件は、以下のとおりである。
坩堝口径：直径８００ｍｍ
多結晶シリコン原料のチャージ量：４００ｋｇ
単結晶サイズ：直径３０６ｍｍ
磁場：コイル軸と引上げ軸の交点において１５００～４０００Ｇとなる水平磁場を印加
上記条件で合計８本のシリコン単結晶の引上げを行った。最大磁束密度とクランプ回転の有無をまとめた結果を、表１に示す。

表１に示すとおり、合計８本のいずれの結晶の引上げでもクランプが緩んで操業継続不能となったものはなく、安全に操業を完了できた。

（比較例）
クランプ及び電極アダプターの構造を、回転防止ピンの挿入口のない図８（ｃ）の構造とし、その他の条件を実施例１と同一にして、合計５本のシリコン単結晶の引上げを行った。最大磁束密度とクランプ回転の有無をまとめた結果を、表２に示す。

表２に示すとおり、最大磁束密度２０００Ｇの条件では、３回中１回で操業中にクランプが回転してしまい、操業継続不能となった。また、最大磁束密度３０００Ｇを狙った条件では、超電導磁石の励磁途中の約２５００Ｇにおいてクランプが回転してしまい、操業継続不能となった。

以上のとおり、本発明の実施例によれば、クランプの回転が抑制された結果、操業継続不能となったものはなく、安全に操業を完了することができた。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

１…チャンバー、 ２…坩堝、 ３…ヒーター、 ４…クランプ、
５…電極アダプター、 ６…電極、 ７…シリコン融液、 ８…マグネットコイル、
９…引上げ軸、 １０…種結晶、 １１…シリコン単結晶、 １２…接続具、
１３…クランプ側接続端、 １４…電極アダプターの中心軸、 １５…回転防止冶具、
１６…貫通孔、 １７…凹部。

Claims (7)

1. 加熱ヒーター及び溶融した半導体原料が収容される坩堝が配置される引上げ炉と、該引上げ炉の周囲に設けられ、超電導コイルを有する磁場発生装置とを備え、前記超電導コイルへの通電により前記溶融した半導体原料に水平磁場を印加して、前記溶融した半導体原料の前記坩堝内での対流を抑制する単結晶引上げ装置であって、
   前記加熱ヒーターに電力を供給するための電極と、前記電極に接続された円柱形の電極アダプターと、前記電極アダプターと前記加熱ヒーターの端子とを接続するクランプと、前記電極アダプターと前記クランプとを接続する接続具を含み、
   前記電極アダプターは、クランプ側接続端の外周面に少なくとも１つの凹部を有し、
   前記クランプは、前記凹部と連通する少なくとも１つの貫通孔を有し、
   前記貫通孔を通して前記凹部に挿入される少なくとも１つの回転防止冶具を備え、
   前記電極アダプターと前記加熱ヒーターの端子との軸がずれており、前記電極アダプターと前記加熱ヒーターの端子とをつなぐように前記クランプが設けられたものであることを特徴とする単結晶引上げ装置。
2. 前記電極アダプターは複数の前記凹部を有し、
   前記クランプは複数の前記貫通孔を有し、
   前記複数の凹部のうちの１つの凹部と、前記複数の貫通孔のうちの１つの貫通孔が、１組以上連通しており、
   前記連通した少なくとも１組の前記貫通孔と前記凹部に挿入される、少なくとも１つの前記回転防止冶具を備えることを特徴とする請求項１に記載の単結晶引上げ装置。
3. 前記クランプの貫通孔は、前記電極アダプターの中心軸周りに等間隔にｎ回対称（但し、ｎは６以上の整数）となるように配置されたものであることを特徴とする請求項２に記載の単結晶引上げ装置。
4. 前記凹部は、前記電極アダプターの中心軸周りに等間隔にｍ回対称（但し、ｍは６以上の整数）となるように配置されたものであることを特徴とする請求項２又は３に記載の単結晶引上げ装置。
5. 前記貫通孔の数と、前記凹部の数の最大公約数が１又は２であることを特徴とする請求項２～４のいずれか一項に記載の単結晶引上げ装置。
6. 前記電極アダプター、前記クランプ及び前記回転防止冶具は、同一材質のものからなるものであることを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の単結晶引上げ装置。
7. 請求項１～６のいずれか一項に記載の単結晶引上げ装置を用いてＭＣＺ法により半導体単結晶を製造することを特徴とする半導体単結晶の製造方法。

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