KR970065763A - 스퍼터링 장치를 이용한 기질 코팅을 위한 구성 - Google Patents

스퍼터링 장치를 이용한 기질 코팅을 위한 구성 Download PDF

Info

Publication number
KR970065763A
KR970065763A KR1019970008765A KR19970008765A KR970065763A KR 970065763 A KR970065763 A KR 970065763A KR 1019970008765 A KR1019970008765 A KR 1019970008765A KR 19970008765 A KR19970008765 A KR 19970008765A KR 970065763 A KR970065763 A KR 970065763A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power
sputtering apparatus
supplied
sputtering
reactive gas
Prior art date
Application number
KR1019970008765A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100274096B1 (ko
Inventor
츠찌르보우스키 요아힘
테슈너 괴츠
츠멜티 안톤
브루흐 위르겐
마르크바르트 디트마르
Original Assignee
페터 좀머캠프, 이리히 투테
발쩌스 운트 레이볼트 도이치란드 홀딩 아크티엔게젤샤프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=7788255&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR970065763(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 페터 좀머캠프, 이리히 투테, 발쩌스 운트 레이볼트 도이치란드 홀딩 아크티엔게젤샤프트 filed Critical 페터 좀머캠프, 이리히 투테
Publication of KR970065763A publication Critical patent/KR970065763A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100274096B1 publication Critical patent/KR100274096B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3444—Associated circuits
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 두개의 값 사이를 변화하는 스퍼터링 전극에 공급되는 전력을 사용하여 기질을 반응성 코팅하기 위한 스퍼터링 장치에 관한 것이다. 이 두개의 전력 값은 반응성 기체의 흐름에서 스퍼터링 전극의 타겟이 첫 번째 전력값에서는 금속 모드에 있고, 두번째 전력값에서는 산화물 모드에 있도록 선택된다.
대표도:제3도

Description

스퍼터링 장치를 이용한 기질 코팅을 위한 구성
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 두개의 매그네트론과 하나의 중간 진동수 전력 공급기를 가지는 스퍼터링 장치를 나타낸 개략적으로 나타낸 그림.

Claims (16)

  1. 금속 타겟(target)을 스퍼터링(sputtering)하여 얻어진 타겟 입자를 반응성기체와 결합함으로써 얻어지는 금속 화합물을 기질에 에칭 또는 코팅하기 위한, 1.1반응 볼륨(2); 1.2 상기 반응 볼륨(2)으로 유입되는 반응성 기체 유입부(15,16); 1.3단위 시간당 유입되는 반응성 기체의 양에 따라서 전극의 방전 전압이 조절되고 전원(34)에 연결될 수 있는 적어도 하나의 전극(20,21); 1.4 첫번째와 두번째의 값 사이로 변화될 수 있는 상기 전극(20,21)에 공급되는 전력을 가진 장치를 가진 스퍼터링 장치에 있어서; 상기 첫번째 및 두번째 전력값(P1,P2)은 같은 반응 기체 유입에서 상기 두번째 전력 값(P2)이 산화물 모드(B′)에 있을 경우 상기 첫번째 전력 값(P1)의 타겟(22,23)이 금속 모드(A)에 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  2. 제1항에 있어서, 두개의 전극(20,21)은 같은 전력(P1 또는 P2)이 공급되는 것인 스퍼터링 장치.
  3. 제1항에 있어서, 두개의 전극(20,21) 중에서 첫번째 전극(20)은 첫번째의 전력(P1)으로 공급되고 동시에 두번째 전극(21)은 두번째 전력(P2)이 공급되고, 이어지는 시간 간격에서 상기 첫번째 전극(20)은 상기 두번째 전력(P2)이 공급되고 상기 두번째 전극(21)은 상기 첫번째 전력(P1)이 공급되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 첫번째 공급되는 전력(P1)에서 상기 두번째 공급되는 전력(P2)으로 및 그 역으로 전환되기 위한 장치는 변조(modulated) AC전압 소스(34)인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 첫번째 공급되는 전력(P1)에서 상기 두번째 공급되는 전력(P2)으로 및 그 역으로 전환되는 장치는 AC전압이 슈퍼임포징(superimposing)된 DC 전류 소스 수단에 의해서 발생되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 첫번째 공급되는 전력(P1)에서 상기 두번째 공급되는 전력(P2)으로 및 그 역으로 전환되는 장치는 스위치(63 내지 66)를 사용함으로써 출력값이 전환될 수 있는 DC전류 소스(60)인 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 슈퍼임포징된 AC 전압은 2 내지 30Hz의 진동수를 가지는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  8. 제1항에 있어서, 금속 모드에서 산화물 모드로 전환 및 그 역으로의 전환은 10Hz의 사이클 진동수에서 발생하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 전극에 공급되는 전력을 사용함으로써 첫번째와 두번째 값 사이로 전환하는 장치는 부가적으로 AC전압 소스(42)에 의해 변조되는 AC전압 소스(34)를 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 AC전압 소스(42)는 네트워크(41)를 AC 전압 소스(34)의 출구선에 배치된 캐패시터(39)에 연결함으로써 상기 네트워크(41)를 경유하여 상기 첫번째 AC 전압 소스(34)의 출구에 연결되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  11. 제1항에 있어서, 타겟(22,23) 및 영구 자석(24 내지 26:27 내지 29)와 함께 상기 전극(20,21)은 매그네트론(3,4)을 형성하고 상기 매그네트론(3,4)을 빈 하우징(2)내에 배치 및 기질(13)에 마주보도록 배치하고 상기 하우징(2)은 상기 기질(13)과 상기 매그네트론(3,4)사이에 다이아프램(14)을 포함하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 기질(13)과 상기 다이아프램(14) 사이의 반응성 기체 혼합물이 상기 하우징(2)내로 도입되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 전기 에너지 소스는 진동수 f0를 가진 중간 진동수 발생기(34) 및 공명 진동수 F1을 가진 네트워크를 포함하며 f0및 f1이 서로 너무 근접하여 부동(floating)함으로써 상기 스퍼터링 장치의 전력을 조절하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
  14. a) 첫번째 전력(P1)에서 첫번째 방전 전압-반응성 기체 유입 특성(I)을 결정하는 공정과; b) 두번째 전력(P2)에서 두번째 방전 전압-반응성 기체 유입 특성(Ⅱ)를 결정하는 공정과; c) 상기 첫번째 방전 전압-반응성 기체 유입 특성(I)상에서 금속 모드에서 작동되는 상기 스퍼터링 장치에서 작동점(Ⅳ)을 결정하는 공정과; d) 상기 두번째 방전 전압-반응성 기체 유입 특성(Ⅱ)상에서 산화물 모드에서 작동되는 상기 스퍼터링 장치에서 작동점(B′)을 결정하는 공정과; e) 상기 첫번째 특성(I)을 결정하는 전력(P1)에서 상기 두번째 특성(Ⅱ)을 결정하는 전력(P2)으로 변환 및 그 역이 발생하는 공정을; 포함하는 것을 특징으로 하는 제1항의 스퍼터링 장치의 작동점을 결정하기 위한 공정.
  15. 제14항에 있어서, 상기 첫번째 특성(I)의 작동점(Ⅳ) 및 상기 두번째 특성(Ⅱ)의 작동점(B′)은 반응성 기체 흐름이 동일할 경우에 선택하는 것인 공정.
  16. 제15항에 있어서, 상기 작동점들(Ⅳ,B′)를 통과하는 직선(G)은 상기 방전 전압-반응성 기체 유입 특성(I,Ⅱ)의 자기 이력 코너 점들(K1 내지 K8)과 적당한 간격을 두는 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970008765A 1996-03-14 1997-03-14 반응성 스퍼터링에 의해 기질을 코팅하는 방법 및 장치 KR100274096B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19610012.7 1996-03-14
DE19610012A DE19610012B4 (de) 1996-03-14 1996-03-14 Verfahren zur Stabilisierung eines Arbeitspunkts beim reaktiven Zerstäuben in einer Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970065763A true KR970065763A (ko) 1997-10-13
KR100274096B1 KR100274096B1 (ko) 2000-12-15

Family

ID=7788255

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970008765A KR100274096B1 (ko) 1996-03-14 1997-03-14 반응성 스퍼터링에 의해 기질을 코팅하는 방법 및 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6511584B1 (ko)
EP (1) EP0795890B1 (ko)
JP (1) JP4138043B2 (ko)
KR (1) KR100274096B1 (ko)
DE (2) DE19610012B4 (ko)
ES (1) ES2325100T3 (ko)
TW (1) TW370673B (ko)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4614546B2 (ja) * 2001-01-19 2011-01-19 畑 朋延 化合物薄膜の堆積方法とその装置
SE525231C2 (sv) * 2001-06-14 2005-01-11 Chemfilt R & D Ab Förfarande och anordning för att alstra plasma
DE10154229B4 (de) 2001-11-07 2004-08-05 Applied Films Gmbh & Co. Kg Einrichtung für die Regelung einer Plasmaimpedanz
JP4486838B2 (ja) * 2003-04-25 2010-06-23 旭硝子株式会社 酸化ケイ素膜の製造方法および光学多層膜の製造方法
KR101006452B1 (ko) * 2003-08-28 2011-01-06 삼성전자주식회사 스퍼터링 장치
DE10341717A1 (de) 2003-09-10 2005-05-25 Applied Films Gmbh & Co. Kg Anordnung für n Verbraucher elektrischer Energie, von denen m Verbraucher gleichzeitig mit Energie versorgt werden
US20050103620A1 (en) * 2003-11-19 2005-05-19 Zond, Inc. Plasma source with segmented magnetron cathode
US9771648B2 (en) 2004-08-13 2017-09-26 Zond, Inc. Method of ionized physical vapor deposition sputter coating high aspect-ratio structures
DE102004014323B4 (de) * 2004-03-22 2009-04-02 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Anordnung zur Herstellung von Gradientenschichten oder Schichtenfolgen durch physikalische Vakuumzerstäubung
DE102004014855A1 (de) * 2004-03-26 2004-10-21 Applied Films Gmbh & Co. Kg Einrichtung zum reaktiven Sputtern
US20070045111A1 (en) * 2004-12-24 2007-03-01 Alfred Trusch Plasma excitation system
EP1675155B1 (de) * 2004-12-24 2012-01-25 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Plasmaanregungssystem
US20060278521A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-14 Stowell Michael W System and method for controlling ion density and energy using modulated power signals
US20060278524A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-14 Stowell Michael W System and method for modulating power signals to control sputtering
JP5174825B2 (ja) * 2006-10-26 2013-04-03 ハウザー テクノ−コーティング ベー．フェー． デュアルマグネトロンスパッタリング電源およびマグネトロンスパッタリング装置
JP5245251B2 (ja) * 2006-12-27 2013-07-24 ソニー株式会社 光学的素子及び光学装置、並びに光学的素子の製造方法
US8133589B2 (en) 2007-03-08 2012-03-13 Applied Materials, Inc. Temperable glass coating
WO2009052874A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Hauzer Techno Coating Bv Dual magnetron sputtering power supply and magnetron sputtering apparatus
US7901781B2 (en) * 2007-11-23 2011-03-08 Agc Flat Glass North America, Inc. Low emissivity coating with low solar heat gain coefficient, enhanced chemical and mechanical properties and method of making the same
ATE535629T1 (de) * 2008-07-29 2011-12-15 Sulzer Metaplas Gmbh Gepulstes hochleistungs-magnetronsputterverfahren sowie hochleistungs-elektroenergiequelle
DE102009019146B4 (de) * 2009-04-29 2014-07-24 THEVA DüNNSCHICHTTECHNIK GMBH Verfahren und Vorrichtung zur Hochratenbeschichtung durch Hochdruckverdampfen
DE102011076404B4 (de) 2011-05-24 2014-06-26 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zur Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz einer Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung an die Impedanz einer Plasmalast und Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung
WO2013083238A1 (de) * 2011-12-05 2013-06-13 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Reaktiver sputterprozess
KR102211544B1 (ko) 2013-01-15 2021-02-02 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP6373607B2 (ja) * 2013-03-08 2018-08-15 Hoya株式会社 マスクブランクの製造方法および位相シフトマスクの製造方法
CN112456815A (zh) * 2018-07-19 2021-03-09 吴江南玻华东工程玻璃有限公司 过渡态氧化镍铬膜层的制备方法及包含该过渡态氧化镍铬膜层的可钢化低辐射镀膜玻璃

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR890004881B1 (ko) * 1983-10-19 1989-11-30 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 플라즈마 처리 방법 및 그 장치
US4579618A (en) * 1984-01-06 1986-04-01 Tegal Corporation Plasma reactor apparatus
US4693805A (en) * 1986-02-14 1987-09-15 Boe Limited Method and apparatus for sputtering a dielectric target or for reactive sputtering
DE3821207A1 (de) 1988-06-23 1989-12-28 Leybold Ag Anordnung zum beschichten eines substrats mit dielektrika
DD282035A5 (de) * 1989-02-07 1990-08-29 Adw D Ddr Phys Techn Inst Verfahren zur stabilisierung von dc-magnetronzerstaeubungsentladungen
US5108569A (en) * 1989-11-30 1992-04-28 Applied Materials, Inc. Process and apparatus for forming stoichiometric layer of a metal compound by closed loop voltage controlled reactive sputtering
EP0508359B1 (de) * 1991-04-12 1996-10-09 Balzers Aktiengesellschaft Verfahren und Anlage zur Beschichtung mindestens eines Gegenstandes
US5281321A (en) * 1991-08-20 1994-01-25 Leybold Aktiengesellschaft Device for the suppression of arcs
US5415757A (en) * 1991-11-26 1995-05-16 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for coating a substrate with electrically nonconductive coatings
US5338422A (en) * 1992-09-29 1994-08-16 The Boc Group, Inc. Device and method for depositing metal oxide films
DE4233720C2 (de) * 1992-10-07 2001-05-17 Leybold Ag Einrichtung für die Verhinderung von Überschlägen in Vakuum-Zerstäubungsanlagen
DE4237517A1 (de) * 1992-11-06 1994-05-11 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
FR2699934B1 (fr) * 1992-12-30 1995-03-17 Lorraine Inst Nat Polytech Procédé de contrôle de la concentration en métalloïde d'un dépôt réalisés par voie physique en phase vapeur réactive à l'aide d'un plasma froid de pulvérisation.
SG46607A1 (en) * 1993-07-28 1998-02-20 Asahi Glass Co Ltd Method of an apparatus for sputtering
DE4343042C1 (de) * 1993-12-16 1995-03-09 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Einrichtung zum plasmaaktivierten Bedampfen
US5651865A (en) * 1994-06-17 1997-07-29 Eni Preferential sputtering of insulators from conductive targets

Also Published As

Publication number Publication date
US6511584B1 (en) 2003-01-28
EP0795890B1 (de) 2009-04-29
DE19610012B4 (de) 2005-02-10
DE19610012A1 (de) 1997-09-18
TW370673B (en) 1999-09-21
DE59713004D1 (de) 2009-06-10
KR100274096B1 (ko) 2000-12-15
JP4138043B2 (ja) 2008-08-20
ES2325100T3 (es) 2009-08-25
EP0795890A2 (de) 1997-09-17
JPH1030177A (ja) 1998-02-03
EP0795890A3 (de) 2002-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970065763A (ko) 스퍼터링 장치를 이용한 기질 코팅을 위한 구성
EP0474315B1 (en) Microwave discharge light source apparatus
ID15883A (id) Generator plasma arus bolak balik tiga fasa
KR950016458A (ko) 고주파 마그네트론 플라즈마 장치
SE9403988D0 (sv) Apparat för alstring av en linjär vågurladdning för plasma bearbetning
KR850008361A (ko) 마그네트론 스퍼터기 제어용 장치 및 방법
SE9904295L (sv) Device for Hybrid Plasma Processing
JP2008527634A5 (ko)
KR100210178B1 (ko) 방전 램프를 동작시키기 위한 회로 장치
GB9825722D0 (en) Plasma chip
US3209244A (en) Device for the measurement of gas pressures including space current modulating means
WO1997012207A3 (de) Induktiver durchflussmesser
SU743145A1 (ru) Мембранный насос дл диэлектрических сред
FI113736B (fi) Kytkentäjärjestely purkauslampun käyttämiseksi
US2952813A (en) Device for the amplification of minute space currents
WO1999054796A1 (en) Automatic foam solution regulation for compressed-air-foam-systems
US3585420A (en) Alternating current systems employing multiple electrogasdynamic devices
RU1821496C (ru) Устройство дл ионно-плазменного травлени материалов
KR100500432B1 (ko) 라디칼 자기흐름 발생용 전극구조를 이용한 대기압플라즈마처리장치
JPS61198695A (ja) 無声放電励起レ−ザ
SU1224946A1 (ru) Устройство дл управлени однофазным реактором с подмагничиванием
JPH11269636A (ja) 真空成膜装置
RU2132815C1 (ru) Озонатор
JPS63174590A (ja) Ｐｗｍ方式のインバ−タ
RU95106794A (ru) Стационарный плазменный холловский двигатель

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120903

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130829

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140828

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150827

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160825

Year of fee payment: 17