KR970060397A - 산화 시뮬레이션방법 - Google Patents
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- 238000004088 simulation Methods 0.000 title claims abstract 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 title claims abstract 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 title claims abstract 7
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims abstract 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims abstract 3
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims abstract 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims 1
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Abstract
본 발명은 산화 시뮬레이션의 과정에서 산화막 사이의 오버랩이 형성된 경우에도, 고속 시뮬레이션이 가능한 방법을 제공한다.
본 발명은 성장전의 산화막 표면을 구성하는 선부, 성장후의 산화막 표면상의 선부 및 이들 선부의 양단의 이동벡터로부터, 산화막 성장에 따라 스윕핑 사변형을 정하는 단계와, 이들 사이의 스윕핑 사변형의 예정된 소정의 도형 연산에 의해 산화막 형상의 오버랩 폭을 취득하는 단계와, 산화막 형상 사이의 오버랩 발생시 선형추정을 행하는 단계와, 산화막 형성의 오버랩 폭이 예정 허용치 이하로 감소하도록 산화막의 성장 시간을 후퇴시키는 단계와, 이 상태를 새로운 초기 상태로서 산화 시뮬레이션을 계속하는 단계를 포함하는 산화 시뮬레이션방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 실시예의 처리순서를 설명하기 위한 흐름도.
Claims (6)
- 2차원 공간에서, 성장전의 산화막 표면을 구성하는 선분(a line segment)과, 성장후의 산화막 표면상의 선분 및 이들 선분의 양단점의 이동벡터로부터 산화막 성장에 따르는 소인 사변형을 정하는 스텝과, 이들 소인 사변형끼리의 소정의 도형연산에 의해, 산화막형상의 겹침폭을 취득하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 시뮬레이션방법.
- 3차원 공간에서, 성장전의 산화막 표면을 구성하는 평면과, 성장후의 산화막 표면상의 평면 및 이들 정점의 이동벡터로부터 산화막 성장에 따르는 소인 다각주를 정하는 스텝과, 이들 소인 다각주끼리의 소정의 도형 연산에 의해, 산화막 형상의 겹침폭을 취득하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 시뮬레이션방법.
- 제1항에 있어서, 산화막 형상의 겹침이 생긴 경우, 상기 산화막 형상의 겹침폭이 미리 정해진 허용치 이하가 되도록 시간축상에서 선형추정으르 하여 산화막 성장시간을 되돌린 후, 이 상태를 새로운 초기 상태로서 시뮬레이션을 계속하는 것을 특징으로 하는 산화 시뮬레이션방법.
- 제2항에 있어서, 산화막 형상의 겹침이 생긴 경우, 상기 산화막 형상의 겹침폭이 미리 정해진 허용치 이하가 되도록 시간축상에서 선형추정을 하여 산화막 성장시간을 되돌린 후, 이 상태를 새로운 초기 상태로서 시뮬레이션을 계속하는 것을 특징으로 하는 산화 시뮬레이션방법.
- 제1항에 있어서, 국소적인 산화막의 겹침폭을 복수 구하여, 이들 국소적인 겹침폭으로부터 상기 산화막 형상 전체의 겹침폭을 구하는 것을 특징으로 하는 산화 시뮬레이션방법.
- 제5항에 있어서, 상기 산화막 형성의 겹침폭이 미리 정해진 허용치를 초과하였을 때에, 상기 국소적인 산화막의 일차 성장속도를 사용하여 상기 국소적인 산화막의 겹침폭을 시각폭에 대하여 일차식에서 근사하여 되돌림 시각을 산출하여, 가장 빠른 시각을 상기 산화막 형상 전체의 성장 되돌림 시각으로서 사용하는 것을 특징으로 하는 산화 시뮬레이션방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8025768A JP2910657B2 (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 酸化シミュレーション方法 |
JP96-25768 | 1996-01-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970060397A true KR970060397A (ko) | 1997-08-12 |
KR100248455B1 KR100248455B1 (ko) | 2000-03-15 |
Family
ID=12175029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970001224A KR100248455B1 (ko) | 1996-01-19 | 1997-01-17 | 산화 시뮬레이션 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5847973A (ko) |
JP (1) | JP2910657B2 (ko) |
KR (1) | KR100248455B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5165907B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2013-03-21 | 株式会社東芝 | 成膜形状シミュレーション方法及び電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5495417A (en) * | 1990-08-14 | 1996-02-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | System for automatically producing different semiconductor products in different quantities through a plurality of processes along a production line |
JP3713055B2 (ja) * | 1992-06-24 | 2005-11-02 | 日本電信電話株式会社 | 3次元lsi形状シミュレーションシステム |
US5367465A (en) * | 1992-06-24 | 1994-11-22 | Intel Corporation | Solids surface grid generation for three-dimensional topography simulation |
US5379225A (en) * | 1992-06-24 | 1995-01-03 | Intel Corporation | Method for efficient calculation of vertex movement for three-dimensional topography simulation |
US5677846A (en) * | 1993-12-13 | 1997-10-14 | Nec Corporation | Device simulator and mesh generating method thereof |
-
1996
- 1996-01-19 JP JP8025768A patent/JP2910657B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-01-16 US US08/784,902 patent/US5847973A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-01-17 KR KR1019970001224A patent/KR100248455B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09199492A (ja) | 1997-07-31 |
KR100248455B1 (ko) | 2000-03-15 |
US5847973A (en) | 1998-12-08 |
JP2910657B2 (ja) | 1999-06-23 |
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