KR970054061A - 반도체 장치의 커패시터 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 커패시터 제조방법 Download PDF

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KR970054061A
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insulating film
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KR1019950057187A
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이권재
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

단순한 공정으로 커패시턴스가 향상된 실린더형 스토리지 전극 구조를 갖는 반도체 장치의 커패시터 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 트랜지스터가 형성된 반도체 기판 상에 제1절연막 및 제2절연막을 형성하는 단계와, 상기 제1절연막 및 제2절연막을 식각하여 상기 반도체 기판을 노출하는 개구부를 형성하는 단계와, 상기 개구부를 매립하는 스토리지 전극용 제1도전막을 형성하는 단계와, 상기 제1도전막 상에 사진공정을 이요하여 일부가 슬릿 형태로 남아있는 감광막을 패턴을 형성하는 단계와, 상기 슬릿을 갖는 감광막 패턴을 마스크로 상기 제1도전막을 이방성 식각하여 스토리지 전극을 형성하는 단계와, 상기 스토리지 전극이 형성된 기판의 전면에 유전막 및 플레이트 전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방벙을 제공한다. 본 발명에 의하면, 단순한 슬릿형태의 감광막 패턴을 이용하여 스토리지 전극을 형성함으로써 동일한 면적내에서 보다 큰 커패시턴스를 얻을 수 있다.

Description

반도체 장치의 커패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 커패시터 제조방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이다.

Claims (4)

  1. 트랜지스터가 형성된 반도체 기판 상에 제1절연막 및 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막 및 제2절연막을 식각하여 상기 반도체 기판을 노출하는 개구부를 형성하는 단계; 상기 개구부를 매립하는 스토리지 전극용 제1도전막을 형성하는 단계; 상기 제1도전막 상에 사진공정을 이용하여 일부가 슬릿 형태로 남아있는 감광막 패턴을 형성하는 단계; 상기 슬릿을 갖는 감광막 패턴을 마스크로 상기 제1도전막을 이방성 식각하여 스토리지 전극을 형성하는 단계; 및 상기 스토리지 전극이 형성된 기판의 전면에 유전막 및 플레이트 전극을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치으 커패시터 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 HTO, LTO, PE-OX, BPSG 및 USG 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 도핑된 실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커팻시터 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 감광막 패턴을 불완전 노광/ 현상에 의해 도포된 전체 감광막중 일부를 슬릿 형태로 남도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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