KR970052918A - 질화갈륨 박막 제조방법 - Google Patents

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양승택
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Abstract

본 발명은 초음파를 가하여 균일한 질소 래디칼을 얻기 위한 질화갈륨 박막 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은 질화갈륨 박막 제조방법에 있어서, 고음전압을 가할 수 있는 원추형 챔버를 형성하는 제1과정과, 필라멘트에 의한 프라즈마를 형성하는 제2과정과, 자체 구조에 의해 프라즈마를 추출하는 제3과정 및 상기 제3과정과 동시에 기판에 초음파를 가하는 제4과정을 포함하여 균일도를 높이며 질화물 반도체 박막의 질을 향상시키는 데에 있으므로, 본 발명은 질화갈륨 박막 성장 중 기판에 가한 초음파에 의하여 부착력이 향상되므로 기존의 부착력이 낮아 성장이 어려웠던 물질의 성장이 가능하여지고, 부착계수를 증가시킬 수 있어 결정 성장 중성장 압력을 충분히 낮춘 상태에서 성장 박막의 질을 향상시킬 수 있고 소오스를 절감할 수 있다는 데에 그 효과가 있다.

Description

질화갈륨 박막 제조방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 실시예에서 초음파를 가하는 장치를 구비한 기판가열 장치도.

Claims (2)

  1. 질화갈륨 박막 제조방법에 있어서, 고음전압을 가할 수 있는 원추형 챔버를 형성하는 제1과정과, 필라멘트에 의한 프라즈마를 형성하는 제2과정과, 자체 구조에 의해 프라즈마를 추출하는 제3과정 및 상기 제3과정과 동시에 기판에 초음파를 가하는 제4과정을 포함하여 균일도를 높이며 질화물 반도체 박막의 질을 향상시키는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 박막 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 초음파 진동자를 소오스의 원추형 챔버 외벽에 장착하고; 질소 프라즈마를 추출하여 소오스로 사용하는 것을 특징으로 하는 질화칼륨 박막 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950053652A 1995-12-21 1995-12-21 질화갈륨 박막 제조방법 KR100205065B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MX2009012934A (es) * 2007-06-01 2009-12-15 Wyeth Corp Metodos y composiciones para modular la actividad de bmp-10.

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220033227A (ko) * 2020-09-09 2022-03-16 연세대학교 산학협력단 층상구조 GaN, GaN 나노시트 및 이를 이용한 전기 소자

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