Claims (7)
반도체기판 상부에 하부도선배선층을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 하부도전배선층 상부에 다량의 실리콘이 함유된 제1텅스텐 실리사이드를 일정두께 형성하는 공정과, 상기 제1텅스텐 실리사이드 상부이 제2텅스텐 실리사이드를 형성하는 공정과, 도전배선마스크를 이용한 식각공정으로 상기 제2텅스텐 실리사이드, 제1텅스텐 실리사이드 및 하부도전배선층을 순차적으로 식각하여 도전배선을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.Forming a predetermined thickness of the lower conductive wiring layer on the semiconductor substrate, forming a predetermined thickness of the first tungsten silicide containing a large amount of silicon on the lower conductive wiring layer, and forming a second tungsten silicide on the upper portion of the first tungsten silicide And forming a conductive wiring by sequentially etching the second tungsten silicide, the first tungsten silicide, and the lower conductive wiring layer by an etching process using a conductive wiring mask.
제1항에 있어서, 상기 하부도전배선층은 400 내지 700℃의 온도에서 인-수트 공정으로 도프된 다결정실리콘막으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.The method of claim 1, wherein the lower conductive wiring layer is formed of a polysilicon film doped in an in-suit process at a temperature of 400 to 700 ℃.
제1항에 있어서, 상기 제1텅스텐 실리사이드는 원자수가 2이상인 텅스텐 실리사이드(WSiX, X≥2)인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.The method of claim 1, wherein the first tungsten silicide is tungsten silicide having two or more atoms (WSi X , X ≧ 2).
제1항에 있어서, 상기 제1텅스텐 실리사이드와 제2텅스텐 실리사이드는 DCS, MS, DS중의 한 가스와 WF6가스를 반응가스로 하여 형성된 것으로 400 내지 700℃의 온도에서 형성된 것을 특징으로 하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.The semiconductor device of claim 1, wherein the first tungsten silicide and the second tungsten silicide are formed by using one gas of DCS, MS, or DS and a WF 6 gas as a reaction gas, and are formed at a temperature of 400 to 700 ° C. 3. Conductive wiring forming method.
제1항에 있어서, 상기 제1텅스텐 실리사이드 형성공정은 반응가스인 WF6의 유량을 2,0 내지 5.0 SCCM 그리고 DCS 유량을 150 내지 500SCCM으로 하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.The method of claim 1, wherein the first tungsten silicide forming process is performed using a flow rate of 2,0 to 5.0 SCCM and a DCS flow rate of 150 to 500 SCCM for WF 6 as a reaction gas. .
제1항에 있어서, 상기 제1텅스텐 실리사이드는 300 내지 2000Å두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.The method of claim 1, wherein the first tungsten silicide is formed to have a thickness of about 300 to about 2000 microns.
제1항에 있어서, 상기 제2텅스텐 실리사이드 형성공정은 반응가스인 WF6의 유량을 3.0 내지 6.0SCCM 그리고 DCS 유량을 100 내지 400SCCM으로 하여 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 도전배선 형성방법.The method of claim 1, wherein the second tungsten silicide forming step is performed using a flow rate of WF 6 as a reaction gas at 3.0 to 6.0 SCCM and a DCS flow rate at 100 to 400 SCCM.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.