KR970052108A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 아몰포스상태의 인-시튜 포스포러스 도프트 폴리실리콘막과 텅스텐 실리사이드막으로 된 폴리사이드 게이트를 형성한 후, 폴리사이드 산화공정을 2단계로 실시하는데, 1차 산화공정을 650 내지 800℃의 온도 범위에서 N2또는 건식 O2가스 분위기로 실시하고, 2차 산화공정을 850 내지 1000℃의 온도범위에서 건식 또는 습식 O2가스 분위기로 실시하여 폴리사이드 산화막을 형성한다.
따라서, 본 발명은 저온 및 고온 산화공정을 적용하므로써, 인-시튜 도프트 폴리실리콘이 고온 산화공정시 일어나는 구조 변화 및 도판트 형상(dopant profile)의 변화에 의해 야기되는 게이트 산화막 특성 열화를 방지할 수 있어 게이트 전극으로서의 사용을 가능하게 하고, 고품질의 특성을 지닌 소자 제조를 가능하게 한다.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 소자의 제조방법을 설명하기 위해 도시한 공정순서도.

Claims (7)

  1. 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 실리콘 기판이 제공되고, 상기 실리콘 기판상에 게이트 산화막을 형성한 후, 게이트 산화막상에 아몰포스상태의 인-시튜 도프트 폴리실리콘막과 텅스텐 실리사이드막으로 된 폴리사이드 게이트를 형성하는 단계; 상기 폴리사이드 게이트가 형성된 웨이퍼를 챔버에 로딩하는 단계; 저온에서 1차 산화공정을 실시하고, 고온에서 2차 산화공정을 실시함에 의해 폴리사이드 산화막이 형성되는 단계; 및 상기 폴리사이드 산화막이 형성된 웨이퍼를 언로딩하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 로딩공정은 400 내지 600℃의 온도범위에서 N2가스 분위기로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 1차 산화공정은 650 내지 800℃의 온도범위에서 N2가스 분위기로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 1차 산화공정은 650 내지 800℃의 온도범위에서 건식 O2가스 분위기로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 2차 산화공정은 850 내지 1000℃의 온도범위에서 건식 O2가스 분위기로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 2차 산화공정은 850 내지 1000℃의 온도범위에서 습식 O2가스 분위기로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 언로딩공정은 600 내지 800℃의 온도범위에서 N2가스 분위기로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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