KR970029061A - 반도체 메모리의 y-어드레스천이에 따른 안정적 칼럼 어드레스 라인 제어회로 - Google Patents
반도체 메모리의 y-어드레스천이에 따른 안정적 칼럼 어드레스 라인 제어회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970029061A KR970029061A KR1019950040755A KR19950040755A KR970029061A KR 970029061 A KR970029061 A KR 970029061A KR 1019950040755 A KR1019950040755 A KR 1019950040755A KR 19950040755 A KR19950040755 A KR 19950040755A KR 970029061 A KR970029061 A KR 970029061A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- column address
- inverter
- address
- output
- atsb
- Prior art date
Links
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 메모리의 Y-어드레스 천이에 따른 안정적 칼럼 어드레스 라인(column address line)의 제어회로에 관한 것으로서, 다수개의 워드 라인, 다수개의 비트 라인 및 다수개의 셀로 구성되며, 로우(row) 어드레스와 칼럼(column) 어드레스가 하나의 핀을 공유하는 다중화된(multiplexed) 어드레스 구조를 가지고, 컬럼 어드레스 변화를 감지하여 CSL을 선택적으로 제어하는 회로는 상기 칼럼 어드레스 변화에 따라 상태가 변하는 신호로 모든 칼럼 어드레스 라인(csl)을 직접적으로, 혹은 한번에 컨트롤하는 칼럼 어드레스 변화를 감지하여 CSL을 선택적으로 제어하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 상술한 바와 같이 본 발명에 따른 칼럼 어드레스 제어회로는 칼럼 어드레스에 변화가 있으면, ATSB 펄스를 발생시켜 모든 CSL이 닫히게 한 후, ATSB 펄스 후에 새로운 CSL을 열게 함으로써, CSL의 오버랩을 개선하는 효과를 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 칼럼 어드레스를 제어하는 회로의 구성을 보이는 도면이다.
제4도는 제3도에 도시된 블럭도에 의한 타이밍 다이어그램을 보이는 도면이다.
Claims (1)
- 입력신호를 가진 메인 칼럼 디코더, 파셜 칼럼 디코더, 메인 칼럼 디코더로부터 출력된 신호와 파셜 칼럼 디코더로부터 출력된 신호를 입력으로 하는 NOR 게이트, 이 NOR 게이트의 출력을 받는 제1인버터를 포함하여 Y-어드레스 천이에 따른 칼럼 선택라인을 제어하는 회로에 있어서, 상기 제1인버터의 출력을 받아 칼럼 라인을 선택하는 제2인버터; 상기 제2인버터와 연결된 PMOS트랜지스터; ATSB신호를 입력하여 상기 PMOS트랜지스터의 게이트단에 출력하는 인버터; 상기 제2인버터의 출력신호(CSL)와 접지전압 사이에 채널이 연결된 NMOS트랜지스터 및 ATSB의 신호를 입력하여 NMOS트랜지스터의 게이트단과 접속된 인버터로 구성되어 ATSB 활성화 구간에 현재 활성화 상태에 있는 이전 Y어드레스에 의한 칼럼 셀렉트 라인이 디제이블 됨으로서, 새로운 니과 이전의 SCL간의 오버랩이 발생하지 않는 것을 특징으로 하는 Y-어드레스 천이에 따른 칼럼 선택라인을 제어하는 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950040755A KR970029061A (ko) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 반도체 메모리의 y-어드레스천이에 따른 안정적 칼럼 어드레스 라인 제어회로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950040755A KR970029061A (ko) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 반도체 메모리의 y-어드레스천이에 따른 안정적 칼럼 어드레스 라인 제어회로 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970029061A true KR970029061A (ko) | 1997-06-26 |
Family
ID=66587093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950040755A KR970029061A (ko) | 1995-11-10 | 1995-11-10 | 반도체 메모리의 y-어드레스천이에 따른 안정적 칼럼 어드레스 라인 제어회로 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970029061A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100533388B1 (ko) * | 1998-09-22 | 2006-01-27 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Dram 칼럼 디코더 |
-
1995
- 1995-11-10 KR KR1019950040755A patent/KR970029061A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100533388B1 (ko) * | 1998-09-22 | 2006-01-27 | 매그나칩 반도체 유한회사 | Dram 칼럼 디코더 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5164621A (en) | Delay device including generator compensating for power supply fluctuations | |
US5155397A (en) | C-mos differential sense amplifier | |
KR940008091A (ko) | 개량된 소프트 에러 저항을 갖는 모스 에스램(mos sram), 고전위 전원 전압강하 검출회로, 상보 신호 천이 검출회로 및 개량된 내부신호 시간마진을 갖는 반도체 장치 | |
KR870009397A (ko) | 불휘발성 반도체기억장치 | |
KR890010906A (ko) | 스태틱 ram의 출력회로 | |
US4063118A (en) | MIS decoder providing non-floating outputs with short access time | |
US4550264A (en) | Boosting circuit | |
KR970016535A (ko) | 어드레스 디코더 | |
KR19980073514A (ko) | 동기형 반도체 메모리 장치 | |
KR100400710B1 (ko) | 버퍼회로 | |
KR970051214A (ko) | 메모리의 어드레스 천이 검출회로 | |
KR920022300A (ko) | 개선된 라이트 동작을 가지는 반도체 메모리 장치 | |
KR970029061A (ko) | 반도체 메모리의 y-어드레스천이에 따른 안정적 칼럼 어드레스 라인 제어회로 | |
KR940018975A (ko) | 반도체 메모리 | |
KR950012459A (ko) | 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로 | |
KR850004690A (ko) | 펄스 발신 회로 | |
KR100197560B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 펄스발생 회로 | |
US6107837A (en) | Address decoding circuit | |
KR100205326B1 (ko) | 입력 버퍼회로 | |
KR970060212A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR940008720B1 (ko) | 반도체메모리장치 | |
KR0144255B1 (ko) | 디램의 컬럼 스타트 제어회로 | |
KR970017637A (ko) | 반도체 메모리장치의 센스앰프 제어회로 | |
KR0184455B1 (ko) | 다이나믹 로우 어드레스 버퍼의 제어방법 | |
KR960005622A (ko) | 마스크 rom의 워드선 구동회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |