KR970028874A - 유도결합형 플라즈마 화학증착 및 그 제어방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유도결합형 고주파 플라즈마 화학증착법을 이용하는 유도결합형 플라즈마 화학증착 장치 및 그 제어방법에 관한 것이다. 본 발명의 유도결합형 고주파 플라즈마 화학증착 장치는 플라즈마에 의해 기판에 박막을 형성시키는 반응기 영역, 고주파를 공급하는 고주파 발생기, 발생된 고주파와 반응기간의 임피던스를 매칭시키는 매칭 네트워크부, 반응기의 진공도 유지 및 진공도 측정을 위한 배기부, 반응기체가 공급되는 반응기체 공급부로 구성되는 유도결합형 플라즈마 화학증착 장치에 있어서, 상기 매칭 네트워크부가 고주파 발생기의 출력단에 직렬로 연결된 가변 부하 캐패시터와; 상기 가변 부하 캐패시터와 병렬로 연결된 가변 튠 캐패시터를 구비하고, 상기 고주파 발생기의 임피던스와 매칭네트워크, 유도코일을 포함하는 반응기 전체의 임피던스를 자동으로 매칭시키며, 상기 매칭 네트워크부를 자동 제어하기 의하여 선택적으로 자동 매칭네트워크 제어부를 더욱 구비함으로써 반응기에 대전력을 공급하여 고밀도의 균일한 플라즈마를 제공하면서도 가능한한 임피던스 매칭점을 빨리 찾을 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 유도결합형 화학증착 장비에 연결된 매칭 네트워크부의 회로도.
제4도는 본 발명의 일예에 따른 13.56MHz의 고주파 출력을 임피던스 매칭시키기 위한 자동 매칭 네트워크 제어부의 접속도.
Claims (6)
- 플라즈마에 의해 기판에 박막을 형성시키는 반응기 영역, 고주파를 공급하는 고주파 발생기, 발생된 고주파와 반응기간의 임피던스를 매칭시키는 매칭 네트워크부, 반응기의 진공도 유지 및 진공도 측정을 위한 배기부, 반응기체가 공급되는 반응기체 공급부로 구성되는 유도결합형 플라즈마 화학증착 장치에 있어서, 상기 매칭 네트워크부가 고주파 발생기의 출력단에 직렬로 연결된 가변 부하 캐패시터와; 상기 가변 부하 캐패시터와 병렬로 연결된 가변 튠 캐패시터를 구비하고, 상기 고주과 발생기의 임피던스와 상기 반응기에 설치된 유도코일간의 임피던스를 자동으로 매칭시키며, 상기 매칭 네트워크부를 자동 제어하기 위하여 선택적으로 자동 매칭 네트워크 제어부를 더욱 구비한 것을 것을 특징으로 하는 유도결합형 고주파 플라즈마 화학증착 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 자동 매칭 네트워크 제어부가 상기 매칭 네트워크부와 고주파 발생기의 전송라인에 전기적으로 연결되며 반사전력을 측정하는 감지수단; 상기 감지수단의 출력값중 교류전류의 진폭값 차이 및 위상차이 신호를 직류로 정류하기 위한 정류수단; 상기 정류신호를 소정의 고주파 출력에 대응하는 진폭값 차이 및 위상차이를 조절하여 하기 제2제어수단을 제어하는 제1제어수단; 상기 제1제어수단의 출력값에 따라 상기 매칭 네트워크부를 제어하는 적어도 2개 이상의 제2제어수단을 구비하고, 상기 매칭 네트워크부에서 출력되는 반사전력을 상기 감지수단으로 감지하여 상기 제1제어수단으로 출력하고 상기 제2제어수단이 매칭 네트워크부의 커패시턴스를 조절함으로써 고주파 전송라인과 상기 매칭 네트워크부간의 임피던스를 자동적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 유도결합형 고주파 플라즈마 화학증착 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 가변 튠 캐패시터의 용량이 7∼1000pF이고 가변 부하 캐패시터의 용량이 5∼500pF인 것을 특징으로 하는 유도결합형 고주파 플라즈마 화학증착 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반응기의 기판을 지지하는 서셉터에 기판에 흘러드는 고주파 노이즈를 제거시켜 고주파 전력세기에 무관하게 기판온도를 조절하기 위하여 고주파 노이즈 필터를 접속한 것을 특징으로 하는 유도결합형 고주파 플라즈마 화학증착 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 반응기에 설치된 유도코일이 고주파 반사파에 의한 방전 및 저항을 낮추기 위하여 은도금시키고, 상기 고주파 입력단의 전기회로 15㎜의 홀을 접촉없이 통과시켜 전기적으로 접지에 접속되지 않도록 한 것임을 특징으로 하는 유도결합형 고주파 플라즈마 화학증착 장치.
- 플라즈마에 의해 기판에 박막을 형성시키는 반응기 영역, 고주파를 공급하는 고주파 발생기, 발생된 고주파와 반응기간의 임피던스를 매칭시키는 매칭 네트워크부, 반응기의 진공도 유지 및 진공도 측정을 위한 배기부, 반응기체가 공급되는 반응기체 공급부로 구성되는 유도결합형 플라즈마 화학증착 장치의 매칭 네트워크 임피던스 제어방법에 있어서, 상기 매칭 네트워크부에 전력이 인가되면 그 반사전력값에 따라서 상기 매칭 네트워크부의 전류 및 전압을 변화시켜 상기 고주파 발생기와 상기 매칭네트워크, 유도코일을 포함하는 반응기 전체의 임피던스를 매칭시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유도결합형 플라즈마 화학증착 장치의 매칭 네트워크 임피던스 제어방법.※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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|---|---|---|---|
| KR1019950039241A KR970028874A (ko) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 유도결합형 플라즈마 화학증착 및 그 제어방법 |
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| KR1019950039241A KR970028874A (ko) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 유도결합형 플라즈마 화학증착 및 그 제어방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR970028874A true KR970028874A (ko) | 1997-06-24 |
Family
ID=66586911
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| KR1019950039241A KR970028874A (ko) | 1995-11-01 | 1995-11-01 | 유도결합형 플라즈마 화학증착 및 그 제어방법 |
Country Status (1)
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| KR (1) | KR970028874A (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101123584B1 (ko) * | 2009-09-17 | 2012-03-22 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 처리장치 및 처리방법 |
| KR20200001970A (ko) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 베러티 인스트루먼트, 인코퍼레이티드 | 마이크로파 플라즈마 소스 |
| US10679832B2 (en) | 2017-07-10 | 2020-06-09 | Verity Instruments, Inc. | Microwave plasma source |
| US10923324B2 (en) | 2017-07-10 | 2021-02-16 | Verity Instruments, Inc. | Microwave plasma source |
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1995
- 1995-11-01 KR KR1019950039241A patent/KR970028874A/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101123584B1 (ko) * | 2009-09-17 | 2012-03-22 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 처리장치 및 처리방법 |
| US8445988B2 (en) | 2009-09-17 | 2013-05-21 | Jusung Engineering Co., Ltd | Apparatus and method for plasma processing |
| US10679832B2 (en) | 2017-07-10 | 2020-06-09 | Verity Instruments, Inc. | Microwave plasma source |
| US10923324B2 (en) | 2017-07-10 | 2021-02-16 | Verity Instruments, Inc. | Microwave plasma source |
| KR20200001970A (ko) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 베러티 인스트루먼트, 인코퍼레이티드 | 마이크로파 플라즈마 소스 |
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