CN219267597U - 一种射频回路及设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种射频回路及设备，涉及电子电路技术领域。该射频回路包括：可变电容、第一导电部、第二导电部、第一固定结构、第二固定结构；可变电容的一端通过第一固定结构与第一导电部固定连接，可变电容的另一端通过第二固定结构与第二导电部固定连接。本申请提供的射频回路，在第一导电部和第二导电部之间加入可变电容，通过调节可变电容的电容量，达到了对射频回路的阻抗值进行调节的目的，克服了现有的射频回路存在的问题。

Description

一种射频回路及设备

技术领域

本申请涉及电子电路技术领域，具体而言，涉及一种射频回路及设备。

背景技术

随着技术的发展，射频技术在各个领域得到了广泛应用，在通信、薄膜制造等领域中，射频回路的应用也越来越广泛。其中，射频回路的阻抗值会影响其所在设备的工艺参数值，因此，若要使工艺参数值达到最优，需要获取射频回路的最优阻抗值，并将其控制在最优阻抗值处。

但现有的射频回路中，其阻抗值由射频回路中多个元器件的阻抗值决定，即射频回路的阻抗值是固定值，无法达到对射频回路的阻抗值进行调节的目的。

实用新型内容

本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种射频回路及设备，以便解决现有技术中存在的问题。

为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种射频回路，包括：可变电容、第一导电部、第二导电部、第一固定结构、第二固定结构；

所述可变电容的一端通过所述第一固定结构与所述第一导电部固定连接，所述可变电容的另一端通过所述第二固定结构与所述第二导电部固定连接。

在可能的实现示例中，所述射频回路还包括：下电极、接地端；

所述第一导电部的一端与所述下电极连接、另一端通过所述第一固定结构与所述可变电容连接，所述第二导电部的一端与所述接地端连接、另一端通过所述第二固定结构与所述可变电容连接。

在可能的实现示例中，所述射频回路还包括：射频电源、上电极、第一绝缘块、第二绝缘块；

所述射频电源的一端接地，所述射频电源的另一端与所述上电极的一侧连接，所述上电极位于所述第一绝缘块与所述第二绝缘块之间。

在可能的实现示例中，所述第一导电部包括：第一安装孔；所述第一固定结构包括：第一连接片，所述第一连接片上设置有第二安装孔；

所述第一连接片的一端与所述可变电容的一端焊接，所述第一连接片的另一端通过所述第二安装孔与所述第一安装孔固定连接。

在可能的实现示例中，所述第二导电部包括：第三安装孔；所述第二固定结构包括：第二连接片，所述第二连接片上设置有第四安装孔；

所述第二连接片的一端与所述可变电容的一端焊接，所述第二连接片的另一端通过所述第四安装孔与所述第三安装孔固定连接。

在可能的实现示例中，所述第一安装孔的尺寸和所述第二安装孔的尺寸一致。

在可能的实现示例中，所述第三安装孔的尺寸和所述第四安装孔的尺寸一致。

在可能的实现示例中，所述第一连接片为第一弯折结构；所述第一弯折结构的一端与所述可变电容的一端焊接，所述弯折结构的另一端通过所述第二安装孔与所述第一安装孔固定连接。

在可能的实现示例中，所述第二连接片为第二弯折结构，所述第二弯折结构的一端与所述可变电容的一端焊接，所述第二弯折结构的另一端通过所述第四安装孔与所述第三安装孔固定连接。

第二方面，本申请实施例还提供了一种半导体气相沉积设备，包括上述实施例所述的射频回路。

本申请的有益效果是：本申请提供了一种射频回路，该射频回路包括可变电容、第一导电部、第二导电部、第一固定结构、第二固定结构；可变电容的一端通过第一固定结构与第一导电部固定连接，可变电容的另一端通过第二固定结构与第二导电部固定连接。本申请提供的射频回路，在射频回路的第一导电部和第二导电部之间设置有可变电容，通过调节可变电容的电容量，即可达到对射频回路的阻抗值进行调节的目的。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请一实施例提供的可变电容与射频回路连接处的结构示意图之一；

图2为本申请一实施例提供的可变电容与射频回路连接处的结构示意图之二；

图3为本申请一实施例提供的第一导电部的结构示意图；

图4为本申请一实施例提供的第一固定结构的结构示意图；

图5为本申请一实施例提供的第二导电部的结构示意图；

图6为本申请一实施例提供的第二固定结构的结构示意图；

图7为本申请一实施例提供的半导体气相沉积设备的结构示意图。

附图标记说明：1、可变电容；2、第一导电部；3、第二导电部；4、第一固定结构；5、第二固定结构；21、第一安装孔；31、第三安装孔；41、第一连接片；42、第二安装孔；43、第一螺栓；51、第二连接片；52、第四安装孔；6、下电极；7、接地端；8、射频电源；9、上电极、10、第一绝缘块；11、第二绝缘块；12、真空腔。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要说明的是，若出现术语“上”、“下”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接，可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例中的特征可以相互结合。

射频简称RF(Radio Frequency，简称RF)，射频就是射频电流，是一种高频交流变化电磁波的简称，每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流，大于1000次的称为高频电流，射频就是这样一种高频电流。射频回路指处理信号的电磁波长与电路尺寸处于同一量级的电路，主要用于通信、等离子体淀积薄膜等领域中。

通常，在射频回路所在的电路中，还可能含有除射频回路之外的其他回路，在高频条件下，如果电路中各回路之间的阻抗不匹配，杂散电容和杂散电感对电路的影响会很大，也即射频回路的阻抗值会影响其所在设备的工艺参数值，若要使工艺参数值达到最优，需要获取射频回路的最优阻抗值，并将其控制在最优阻抗值处。

而现有的射频回路通常由射频接收电路、射频发射电路、以及射频合成电路组成，其阻抗值由射频接收电路、射频发射电路、以及射频合成电路的阻抗值共同决定。由于工艺设计的需求，射频接收电路、射频发射电路、以及射频合成电路的阻抗值是固定值，则射频回路的阻抗值也是固定值，无法达到对射频回路的阻抗值进行调节的目的，因此，亟需一种阻抗值可调的射频回路。

以下结合附图通过多个示例对本申请提供的射频回路和设备进行具体的示例说明。

图1为本申请一实施例提供的可变电容与射频回路连接处的结构示意图之一，图2为本申请一实施例提供的可变电容与射频回路连接处的结构示意图之二。参照图1和图2，该射频回路包括可变电容1、第一导电部2、第二导电部3、第一固定结构4、第二固定结构5。

在本实施例中，可变电容1的一端通过第一固定结构4与第一导电部2固定连接，可变电容1的另一端通过第二固定结构与5第二导电部3固定连接，从而将可变电容连接在第一导电部2与第二导电部3之间。其中，第一固定结构4起到将可变电容1的一端与第一导电部2固定连接的作用，第二固定结构与5起到将可变电容1的另一端与5第二导电部3固定连接的作用。

具体地，可变电容1例如可以为电容量能在一定范围内调节的电容器，第一导电部2和第二导电部3为射频回路中可以被设置有可变电容的一部分(射频回路分为高压区域和低压区域，高压区域的电压高，会对可变电容的电容量稳定性造成一定影响，因此，在本实施例中，第一导电部和第二导电部优选射频回路中的低压区域)。

射频回路的阻抗调节可以通过调节可变电容的电容量来实现，在实际操作中，将可变电容1设置在第一导电部2和第二导电部3之间，通过不断地调节可变电容1的电容量，并检测射频回路所在的设备的工艺参数值，当设备的工艺参数值达到最优时，将可变电容的电容量固定在其当前值处，即可达到对射频回路的阻抗值进行调节，并将其阻抗值控制在最优值的目的。以射频回路所在的设备为半导体气相沉积设备为例，设备的工艺参数包括半导体薄膜的膜厚、折射率、以及应力等。

可选的，当设备的工艺参数值达到最优，并将可变电容的电容量固定在其当前值处之后，还可以用阻抗检测设备检测出可变电容当前的阻抗值，并用固定容值的电容替换可变电容，这样不仅可以减少可变电容的使用成本，还可以避免可变电容的电容量因一些不可避免的因素造成变化，而对射频回路的阻抗值造成影响。

综上，本实施例提供了一种射频回路，该射频回路的第一导电部和第二导电部之间设置有可变电容，通过调节可变电容的电容量，即可达到对射频回路的阻抗值进行调节的目的。

图3为本申请一实施例提供的第一导电部的结构示意图，图4为本申请一实施例提供的第一固定结构的结构示意图。

参照图3和图4，第一导电部2可以包括如图3所示的第一安装孔21，第一固定结构4可以包括如图4所示的第一连接片41，第一连接片41为如图4所示的第一弯折结构，第一连接片41上设置有第二安装孔42。

第一连接片41的一端与可变电容1的一端焊接，第一连接片41的另一端通过第二安装孔42与第一安装孔21固定连接(即第一弯折结构的一端与可变电容1的一端焊接，第一弯折结构的另一端通过第二安装孔42与第一安装孔21固定连接)，从而将可变电容1的一端与第一导电部2固定连接起来。

可选的，第一固定结构还包括第一螺栓43(如图1所示)、以及与第一螺栓43匹配的第一螺母(图中未示出)。第一导电部2的第一安装孔21与第一连接片41的第二安装孔42对齐，第一螺栓43的第一螺杆部穿过第一安装孔21和第二安装孔42时，第一螺栓43的头部朝向第一螺杆部的内侧面与第二安装孔42的第一预设位置相接触；第一螺母在螺纹孔方向上与第一螺栓43匹配，第一螺母与第一螺栓43紧固连接时与第二安装孔42的第二预设位置处相接触。

图5为本申请一实施例提供的第二导电部的结构示意图，图6为本申请一实施例提供的第二固定结构的结构示意图。

参照图5和图6，第二导电部3可以包括如图5所示的第三安装孔31，第二固定结构5可以包括如图6所示的第二连接片51，第二连接片51为如图6所示的第二弯折结构，第二连接片51上设置有第四安装孔52。

第二连接片51的一端与可变电容1的一端焊接，第二连接片51的另一端通过第四安装孔52与第三安装孔31固定连接(即第二弯折结构的一端与可变电容1的另一端焊接，第二弯折结构的另一端通过第四安装孔52与第三安装孔31固定连接)，从而将可变电容1的另一端与第二导电部3固定连接起来。

可选的，第二固定结构还包括第二螺栓以及与第二螺栓匹配的第二螺母(图中未示出)。第二导电部3的第三安装孔31与第二连接片51的第四安装孔52对齐，第二螺栓的第二螺杆部穿过第三安装孔31和第四安装孔52时，第二螺栓的头部朝向第二螺杆部的内侧面与第四安装孔52的第三预设位置相接触；第二螺母在螺纹孔方向上与第二螺栓匹配，第二螺母与第二螺栓紧固连接时与第三安装孔31的第四预设位置处相接触。

本申请上述实施例提供的第一安装孔21的尺寸和第二安装孔42的尺寸一致。尺寸一致指的是第一安装孔21的尺寸和第二安装孔42大小相等，这样可使第一螺栓43的螺杆部穿过第一安装孔21和第二安装孔42时，与第一安装孔21和第二安装孔42的内壁都接触，起到将第一导电部2通过第一安装孔21与第一螺栓43连接，第一固定结构4通过第二安装孔42与第一螺栓43连接的作用。

本申请上述实施例提供的第三安装孔31的尺寸和第四安装孔52的尺寸一致。尺寸一致指的是第三安装孔31的尺寸和第四安装孔52大小相等，这样可使第二螺栓的螺杆部穿过第三安装孔31和第四安装孔52时，与第三安装孔31和第四安装孔52的内壁都接触，起到将第二导电部3通过第三安装孔31与第二螺栓连接，第二固定结构5通过第四安装孔52与第二螺栓连接的作用。

在可能的实现示例中，图7为本申请一实施例提供的半导体气相沉积设备的结构示意图，如图7所示，本申请一实施例还提供了一种半导体气相沉积设备，包括上述实施例提供的射频回路。

参照图7，本申请一实施例提供了一种将可变电容设置在射频回路的低压区域的可能实施方式，如图7所示，射频回路还包括下电极6、接地端7。

通常，半导体气相沉积设备的射频回路包括上电极、下电极、接地端所构成的回路，而在半导体气相沉积设备的射频回路中，下电极处于低电位，下电极和接地端连接，等离子体经过下电极流入接地端，因此，下电极和接地端被称为射频回路的低压区域。

在本实施例中，第一导电部2的一端与下电极6连接，另一端通过第一固定结构4与可变电容1连接，第二导电部3的一端与接地端7连接、另一端通过第二固定结构5与可变电容1连接，从而将可变电容设置在半导体气相沉积设备的下电极和接地端之间，实现了将可变电容设置在射频回路的低压区域。

继续参照图7，射频回路还包括射频电源8、上电极9、绝缘块10。射频电源8的一端接地，另一端与上电极9的一侧连接，射频电源8用于将射频功率提供至上电极，为上电极9提供一个高电位，使得上电极9与下电极6之间产生电势差，等离子体即可由上电极9流向下电极6。

在实际操作中，上电极9和下电极6可以位于一个封闭的真空腔12内，将预设气体放入真空腔12内，上电极9和下电极6即可将预设气体电离成等离子体，上电极9还位于第一绝缘块10与第二绝缘块11之间，第一绝缘块10与真空腔的一侧内壁连接，第二绝缘块11与真空腔的另一侧内壁连接，第一绝缘块10和第二绝缘块11用于防止等离子体从真空腔中溢出。综上，可变电容1、第一导电部2、第二导电部3、第一固定结构4、第二固定结构5、下电极6、接地端7、射频电源8、上电极9构成了半导体气相沉积设备的射频回路。

综上，如图7所示，半导体气相沉积设备包括下电极6、接地端7、射频电源8、上电极9、第一绝缘块10、以及第二绝缘块11，100所指的模块中包含上述可变电容1、第一导电部2、第二导电部3、第一固定结构4、第二固定结构5、第一安装孔21、第三安装孔31、第一连接片41、第二安装孔42、第一螺栓43、第一螺母、第二连接片51、第四安装孔52、第二螺栓、第二螺母。

预设气体被放入半导体气相沉积设备的真空腔之后，上电极9和下电极6之间的电势差会将预设气体电离，生成等离子体，等离子体在下电极6上沉积，即可产生半导体薄膜。

以上仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种射频回路，其特征在于，包括：可变电容(1)、第一导电部(2)、第二导电部(3)、第一固定结构(4)、第二固定结构(5)；

所述可变电容(1)的一端通过所述第一固定结构(4)与所述第一导电部(2)固定连接，所述可变电容(1)的另一端通过所述第二固定结构(5)与所述第二导电部(3)固定连接。

2.如权利要求1所述的射频回路，其特征在于，所述射频回路还包括：下电极(6)、接地端(7)；

所述第一导电部(2)的一端与所述下电极(6)连接、另一端通过所述第一固定结构(4)与所述可变电容(1)连接，所述第二导电部(3)的一端与所述接地端(7)连接、另一端通过所述第二固定结构(5)与所述可变电容(1)连接。

3.如权利要求2所述的射频回路，其特征在于，所述射频回路还包括：射频电源(8)、上电极(9)、第一绝缘块(10)、第二绝缘块(11)；

所述射频电源(8)的一端接地，所述射频电源(8)的另一端与所述上电极(9)的一侧连接，所述上电极(9)位于所述第一绝缘块(10)与所述第二绝缘块(11)之间。

4.如权利要求1所述的射频回路，其特征在于，所述第一导电部(2)包括：第一安装孔(21)；所述第一固定结构(4)包括：第一连接片(41)，所述第一连接片(41)上设置有第二安装孔(42)；

所述第一连接片(41)的一端与所述可变电容(1)的一端焊接，所述第一连接片(41)的另一端通过所述第二安装孔(42)与所述第一安装孔(21)固定连接。

5.如权利要求1所述的射频回路，其特征在于，所述第二导电部(3)包括：第三安装孔(31)；所述第二固定结构(5)包括：第二连接片(51)，所述第二连接片(51)上设置有第四安装孔(52)；

所述第二连接片(51)的一端与所述可变电容(1)的一端焊接，所述第二连接片(51)的另一端通过所述第四安装孔(52)与所述第三安装孔(31)固定连接。

6.如权利要求4所述的射频回路，其特征在于，所述第一安装孔(21)的尺寸和所述第二安装孔(42)的尺寸一致。

7.如权利要求5所述的射频回路，其特征在于，所述第三安装孔(31)的尺寸和所述第四安装孔(52)的尺寸一致。

8.如权利要求4所述的射频回路，其特征在于，所述第一连接片(41)为第一弯折结构；所述第一弯折结构的一端与所述可变电容(1)的一端焊接，所述弯折结构的另一端通过所述第二安装孔(42)与所述第一安装孔(21)固定连接。

9.如权利要求5所述的射频回路，其特征在于，所述第二连接片(51)为第二弯折结构，所述第二弯折结构的一端与所述可变电容(1)的一端焊接，所述第二弯折结构的另一端通过所述第四安装孔(52)与所述第三安装孔(31)固定连接。

10.一种半导体气相沉积设备，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的射频回路。

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