KR970024298A - 엑시머 레이저를 이용한 마이크로결정화를 통한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 - Google Patents

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KR970024298A
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film transistor
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manufacturing
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KR1019950033890A
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송진호
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

엑시머 레이저를 이용하여 음접촉등을 선택적인 마이크로결정화를 시킴으로써 활성3층막의 증착공정시간의 감소와 함께 음접촉층 자체의 균일한 결정성을 갖게하여 접촉저항을 감소시키고 유동성 등의 박막 트랜지스터 기판의 전기 전도 특성을 향상시키는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법에 관한 것이다.

Description

엑시머 레이저를 이용한 마이크로결정화를 통한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 의해 n+비정질 실리콘층에 엑시머 레이저(eximer laser)를 조사한 결과 선택적 마이크로결정화가 일어난 상태를 나타내는 단면도,
제2도는 본 발명의 실시예에 의해 도포된 포지티브 포토레지스터에 노광공정을 거친후 선택적 마이크로결정화에 의해 형성된 음접촉층의 단면도.

Claims (8)

  1. 투명한 기판위에 게이트 전극을 형성하고, 절연막, 비정질 실리콘층, 그리고 n+비정질 실리콘의 음접촉층으로 되어 있는 활성 3층박막을 진공을 유지하면서 연속적으로 증착하는 공정, 포토레지스트를 도포, 노광, 현상하는 포토공정과 식각하는 공정, 소스/드레인 전극을 형성하는 공정 그리고 보호막을 형성하는 공정을 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 제조방법에 있어서, 상기 n+비정질 실리콘 음접촉층을 증착하는 공정에 있어서 네가티브포토레지스터을 사용하여 형성하게 제작한 마스크를 이용하여 펄스 레이저를 조사함으로써 활성패턴에 해당하는 상층부의 n+접촉층의 선택적으로 마이크로결정화를 시키는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 액정 디스플레이의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 펄스 레이저는 염화제논(XeCl2) 기체를 이용하고 308nm의 파장을 가진 엑시머 레이저인 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
  3. 제1항 및 제2항에 있어서, 상기한 펄스 레이저의 세기가 상층부의 n+접촉층에만 결정화가 일어나는 정도의 세기인 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
  4. 제1항 및 제2항에 있어서, 상기한 펄스 레이저는 그 세기를 균등하게 해주는 호모게나이저를 채택하고 스텝퍼 기능을 갖는 엑시머 레이저인 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
  5. 제1항 및 제2항에 있어서, 상기한 펄스 레이저는 결정화에 걸리는 시간이 1숏당 60-70ns인 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 활성 3층박막증착공정 후에 형성된 결정화된 부분과 비결정화된 부분의 비균일성이 보완되도록 상기 포토공정 또는 상기 식각공정시에 약간의 오버식각이 일어나는 것인 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기한 마스크는 약간의 공정 마진을 갖는 것인 트랜지스터 기판의 제조방법.
  8. 제1항 및 제6항에 있어서, 상기한 마스크는 레이저 빔에 견딜수 있는 레티클을 갖는 마스크인 박막 트랜지스터 기판의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950033890A 1995-10-04 1995-10-04 엑시머 레이저를 이용한 마이크로결정화를 통한 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 KR970024298A (ko)

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