KR970019400A - 고체 촬상 소자의 구동 방법 - Google Patents

고체 촬상 소자의 구동 방법 Download PDF

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다까노 야스아끼
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Abstract

고체 촬상 소자의 전송 채널의 정보 전하의 축적 능력과 전송 능력과의 차를 없앤다.
정보 전하의 축적 기간에는 기판 클럭 Ψb를 하강한 상태에서 수직클럭 Ψv를 상승하고, 전송 채널과 기판(드레인)과의 사이에 소정의 높이의 전위장벽을 형성한다. 축적 기간의 종료 시점에서 기판 클럭Ψb를 일시적으로 상승시킴으로써, 전송 채널과 기판사이의 전위 장벽을 조금만 낮게 하여 전송 채널의 전하의 축적량을 제한한 후에, 수직 클럭Ψv에 의해 전송을 개시한다.

Description

고체 촬상 소자의 구동 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도1은 본 발명의 고체 촬상 소자의 구동 방법을 설명하는 타이밍도.
도2은 종형 오버플로우 드레인 구조의 고체 촬상 소자에 본 발명의 구동 방법을 적용한 때의 전위의 변화를 도시한 프로파일도.
도3은 횡형 오버플로우 드레인 구조의 고체 촬상 소자의 촬상부의 구조를 도시한 단면도.
도4은 횡형 오버플로우 드레인 구조의 고체 촬상소자에 본 발명의 구동 방법을 적용한 때의 전위의 변화를 도시한 프로파일도.
도5은 프레임 전송 방식의 고체 촬상 소자를 채용한 촬상 장치의 구성을 도시한 블록도.
도6은 촬상 장치의 동작을 설명하는 타이밍도.
도7은 종형 오버플로우 드레인 구조의 고체 촬상 소자의 촬상부의 구조를 도시한 단면도.
도8은 횡형 오버플로우 드레인 구조의 고체 촬상소자의 셔터 동작시의 전위의 변화를 도시한 프로파일도.

Claims (2)

  1. 반도체 기판의 표면 영역에 한 방향으로 뻗어 있는 채널 영역이 형성되고, 이 채널 영역에 인접하여 과잉 전하를 흡수하는 드레인 영역이 형성되는 고체 촬상 소자의 구동 방법에 있어서, 상기 채널 영역내에 전위의 우물 및 장벽을 형성하고, 소정 기간에 상기 채널 영역내에 발생하는 정보 전하를 전위의 우물에 축적함과 동시에, 축적한 정보 전하를 전위 변화의 작용으로 상기 채널 영역을 따라 전송할 때, 상기 채널 영역과 상기 드레인 영역과의 사이에 형성되는 전위의 장벽을 일시적으로 정보 전하의 축적기간 중 보다도 낮게 하여 상기 채널 영역내의 전위 우물의 전하의 축적 허용량을 제한한 후, 상기 채널 영역과 상기 드레인 영역과의 사이에 형성되는 전위의 장벽을 정보 전하의 축적 기간중과 같은 정도의 높이로 복귀시켜 정보 전하의 전송을 개시하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 구동 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 채널 영역내의 전위의 우물 및 장벽은 상기 채널 영역을 덮어 상기 반도체 기판상에 형성되는 복수의 게이트 전극의 전위로 제어하고, 상기 채널 영역과 상기 드레인 영역 사이의 전위의 장벽은 상기 드레인 영역의 전위로 제어하는 것을 특징으로 하는 고체 촬상 소자의 구동 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960041208A 1995-09-29 1996-09-20 고체촬상소자의구동방법 KR100365251B1 (ko)

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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6608647B1 (en) * 1997-06-24 2003-08-19 Cognex Corporation Methods and apparatus for charge coupled device image acquisition with independent integration and readout
US6847401B1 (en) * 1997-08-25 2005-01-25 Sanyo Electric Co., Ltd. Solid-state image pickup device for producing thinned image
US6580456B1 (en) * 1997-11-16 2003-06-17 Pictos Technologies, Inc. Programmable timing generator
TW425563B (en) * 1998-06-03 2001-03-11 Nippon Electric Co Solid state image pickup device and driving method therefore
JP2000134546A (ja) * 1998-10-27 2000-05-12 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像素子の駆動方法
US6646683B1 (en) * 1999-07-14 2003-11-11 Sony Corporation Iris control of a CCD camera using selective well dumping
US7102679B1 (en) * 2000-04-25 2006-09-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Photosensor array using multiple exposures to reduce thermal noise
JP2007215164A (ja) * 2006-01-16 2007-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置およびその駆動方法
US8471310B2 (en) * 2011-01-11 2013-06-25 Aptina Imaging Corporation Image sensor pixels with back-gate-modulated vertical transistor

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4736261A (en) * 1985-08-12 1988-04-05 Eastman Kodak Company Full frame recirculating imaging device having a field sequential output
US4851915A (en) * 1986-08-11 1989-07-25 Xian Northwest Telecommunication Engineering Inst. Method and apparatus for obtaining clear images of high speed moving objects
US4875100A (en) * 1986-10-23 1989-10-17 Sony Corporation Electronic shutter for a CCD image sensor
FR2633455B1 (fr) * 1988-06-24 1990-08-24 Thomson Csf Matrice photosensible a transfert de trame d.t.c., avec un systeme antieblouissement vertical, et procede de fabrication d'une telle matrice
JP2636898B2 (ja) * 1988-09-08 1997-07-30 富士通株式会社 半導体装置
US5144445A (en) * 1989-12-26 1992-09-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Solid-state image pickup apparatus having a plurality of photoelectric transducers arranged in a matrix
JPH04312082A (ja) * 1991-04-10 1992-11-04 Sony Corp 固体撮像装置
US5270558A (en) * 1991-12-03 1993-12-14 Massachusetts Institute Of Technology Integrated electronic shutter for charge-coupled devices

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