KR970018624A - 난드 플래쉬 메모리(nand flash memory) 소자의 구조 - Google Patents

난드 플래쉬 메모리(nand flash memory) 소자의 구조 Download PDF

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KR970018624A
KR970018624A KR1019950030986A KR19950030986A KR970018624A KR 970018624 A KR970018624 A KR 970018624A KR 1019950030986 A KR1019950030986 A KR 1019950030986A KR 19950030986 A KR19950030986 A KR 19950030986A KR 970018624 A KR970018624 A KR 970018624A
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KR
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cell
bit line
floating gate
nand flash
flash memory
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Application number
KR1019950030986A
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English (en)
Inventor
강정의
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Publication date
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
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    • H01L29/788—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with floating gate
    • H01L29/7881—Programmable transistors with only two possible levels of programmation
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Abstract

본 발명은 비휘발성 메모리 셀(memory cell)과 이 셀을 구동하는 트랜지스터를 갖는 난드 플래시 메모리(nand flash memory)에 관한 것으로서, 상기 난드 플래쉬 메모리는 평행한 복수의 비트라인과 복수의 워드라인이 각각 수직으로 교차하고, 상기 한 개의 비트라인 접촉부를 갖고, 상기 비트라인 접촉부와 메모리 셀을 전기적으로 연결시켜 주는 비트라인 선택 트랜지스터와, 소스 라인과 연결시켜 주는 소스라인 선택 트랜지스터 사이에 독립된 복수의 메모리 셀이 직렬 연결되고, 상기 메모리 셀은 제1절연막 위에 셀마다 분리된 플로팅 게이트와 상기 플로팅 게이트 위에 워드라인과 평행하게 연결되고, 상기 플로팅 게이트와 컨트롤 게이트는 제3절연막으로 분리되고, 상기 비트라인 공통 소스라인을 선택하는 선택 트랜지스터는 워드라인과 평행하고, 상기 선택 트랜지스터의 플로팅 게이트는 메모리 셀과 달리 셀마다 분리되지 않고 컨트롤 게이트와 동일하며 이웃한 셀과 연결되면서 전기적으로 플로팅되는 것을 특징으로 한다. 따라서 상술한 바와 같이 본 발명에 의한 제2절연막은 셀 트랜지스터와는 달리 터널링에 의한 역치전압의 변화가 불필요하기 때문에 터널 산화막인 제1절연막보다 두껍게 형성시켜 줄 수 있는 효과를 갖는다.

Description

난드 플래쉬 메모리(NAND FLASH MEMORY)소자의 구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 메모리 셀을 나타내는 등가회로를 보이는 도면이다.

Claims (3)

  1. 난드플래쉬 메모리 소자의 구조에 있어서, 평행한 복수의 비트라인과 복수의 워드라인이 각각 수직으로 교차하고, 상기 한 개의 비트라인은 복수의 비트라인 접촉부를 갖고, 상기 비트라인 접촉부와 메모리 셀을 전기적으로 연결시켜 주는 비트라인 선택 트랜지스터와, 소스 라인과 연결시켜 주는 소스라인 선택 트랜지스터 사이에 독립된 복수의 메모리 셀이 직렬 연결되고, 상기 메모리 셀은 제1절연막 위에 셀마다 분리된 플로팅 게이트와 상기 플로팅 게이트 위에 워드라인을 형성하는 컨트롤 게이트가 복수의 플로팅 게이트를 공유하여 이웃한 워드 라인과 평행하게 연결되고, 상기 플로팅 게이트와 컨트롤 게이트는 제3절연막으로 분리되고, 상기 비트라인 공통 소스라인을 선택하는 선택 트랜지스터는 제2절연막 위에 플로팅 게이트와 제3절연막 위의 컨트롤 게이트가 선택 라인을 형성하여 워드 라인과 평행하고, 상기 선택 트랜지스터의 플로팅 게이트는 메모리 셀과 달리 셀마다 분리되지 않고 컨트롤 게이트와 동일하며 이웃한 셀과 연결되면서 전기적으로 플로팅되는 것을 특징으로 하는 난드플래쉬 메모리 소자의 구조
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2절연막이 제1절연막 보다 두껍게 형성되는 것을 특징으로 하는 난드플래쉬 메모리 소자의 구조
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2절연막이 동일한 제1절연막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 난드플래쉬 메모리 소자의 구조
KR1019950030986A 1995-09-21 1995-09-21 난드 플래쉬 메모리(nand flash memory) 소자의 구조 KR970018624A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100854896B1 (ko) * 2002-06-05 2008-08-28 주식회사 하이닉스반도체 플래시 메모리 소자의 제조 방법

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