KR970018577A - 오픈 비트선 반도체소자 - Google Patents

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KR970018577A
KR970018577A KR1019950031462A KR19950031462A KR970018577A KR 970018577 A KR970018577 A KR 970018577A KR 1019950031462 A KR1019950031462 A KR 1019950031462A KR 19950031462 A KR19950031462 A KR 19950031462A KR 970018577 A KR970018577 A KR 970018577A
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전용주
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/48—Data lines or contacts therefor
    • H10B12/482—Bit lines

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  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 오픈 비트선 반도체소자에 관한 것으로서, 렬간에 엇갈리게 배치된 활성 영역들 사이에 한렬씩 건너뛰어서 비트선이 형성되어있고, 상기의 비트선은 그 양측의 활성영역들과 접촉되도록 오픈 비트선 반도체소자를 형성하였으므로, 소자의 고집적화에 유리하며, 비트선 피치가 증가되어 센스 엠프의 배치 설계가 용이하여 공정수율 및 소자 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

오픈 비트선 반도체소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 오픈 비트선 반도체소자의 레이아웃도.
제3도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 오픈 비트선 반도체소자의 레이아웃도.

Claims (2)

  1. 오픈 비트선 반도체소자의 있어서, 반도체기판상에 사각형상으로 형성되어 각렬별로 중심 부분이 엇갈리게 배치되어 있는 활성영역과, 상기 활성영역 사이의 소자분리 영역상에 한렬 건너 마다 형성되어 있고, 양측에 위치하는 활성영역과 접촉되는 콘택들이 형성되어 있는 비트선을 구비하는 오픈 비트선 반도체소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 활성영역이 한방향으로 길게 형성되고, 셀간의 구분을 위하여 소자분리 영역으로 예정되어 있는 부분에는 기판과 동일한 불순물 이온주입에 의해 형성된 채널저지층을 구비하는 것을 특징으로 하는 오픈 비트선 반도체소자.
KR1019950031462A 1995-09-22 1995-09-22 오픈 비트선 반도체소자 KR100192928B1 (ko)

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