KR970018195A - 플라즈마 식각방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조공정에 사용된 건식식각 장비에 관한 것으로 특히 플라즈마를 이용한 반응장치에 대한 것이다. 종래에 플라즈마를 이용한 장비는 설비의 유지와 관리가 힘들고, 유입되는 가스의 성분에 모두 동일하여 공통적으로 가스의 선폭이 좁아진다는 것이 단점으로 지적되고 있다.
본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로 반응 챔버에 반응가스를 유입시켜 공정을 행하는 플라즈마 식각방법에 있어서, 상기 반응챔버로 반응가스가 유입되기 전에 소스를 통해 1차적으로 분해하는 제1공정과, 제1공정에서 생성된 가스를 웨이퍼가 장착된 반응챔버로 공급하여 소스에 의해 2차적으로 분해 또는 에너지를 배가시켜 웨이터와 반응시키는 제2공정을 포함하여, 반응을 촉진시키거나 새로운 가스에 의한 공정이 가능하도록 한 것이다.

Description

플라즈마 식각방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 제1실시예에 따른 본 발명의 구성도,
제2도는 제2실시예에 따른 본 발명의 구성도,
제3도는 제3실시예에 따른 본 발명의 구성도.

Claims (9)

  1. 반응챔버에 반응가스를 유입시켜 공정을 행하는 플라즈마 식각방법에 있어서, 상기 반응챔버로 반응가스가 유입되기 전에 소스 통해 1차적으로 분해하는 제1공정과; 제1공정에서 생성된 가스를 웨이퍼가 장착된 반응챔버로 공급하여 소스에 의해 2차적으로 분해 또는 에너지를 배기시켜 반응시키는 제2공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1공정은 반응챔버로 반응가스가 유입되기 전에 반응가가스를 해리시켜 모두 반응챔버로 유입되도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1공정은 반응가스를 소오스를 통해 해리시키고, 해리된 반응가스를 소정의 물질과 반응시켜 새로운 물질을 생성하고 이를 반응챔버로 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1공정은 반응가스를 해리시키고, 소정의 가스만을 선택적으로 반응챔버에 공급하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각방법.
  5. 반응챔버에 반응가스를 유입시켜 공정을 행하는 플라즈마 식각장치에 있어서, 상기 반응챔버에 공급되는 반응가스의 공급라인에 설치되어 상기 반응가스를 해리시켜 반응챔버에 공급되도록 하는 부반응챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 부반응챔버는 상·하부에 전극봉을 설치하고, 좌측과 우측에는 자기 필드(Magnetic Fidld; 220)가 설치되는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 부반응챔버는 내부의 상·하부에 설치된 전극봉과, 양측면에 챔버내 생성가스와 반응하는 반응물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 반응물질로 Si평판을 사용한 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.
  9. 제5항에 있어서, 상기 부반응챔버는 상·하부에는 전극봉을 위치시키고, 상기 부반응챔버와 주반응챔버을 연결하는 가스공급라인 상에는 자기필드를 위치시키며, 하부의 일측에 가스를 배기할 수 있도록 형성한 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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