JPS63140087A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS63140087A JPS63140087A JP28738986A JP28738986A JPS63140087A JP S63140087 A JPS63140087 A JP S63140087A JP 28738986 A JP28738986 A JP 28738986A JP 28738986 A JP28738986 A JP 28738986A JP S63140087 A JPS63140087 A JP S63140087A
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- JP
- Japan
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- raw material
- gas
- introducing
- substrate
- ion source
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 17
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- 238000007865 diluting Methods 0.000 abstract 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、減圧容器内に導入した原料ガスと反応ガス
をグロー放電により励起さ仕て、反応生成物を基板上に
て気相成長させるプラズマＣＶＤ装置に関ずろ。
をグロー放電により励起さ仕て、反応生成物を基板上に
て気相成長させるプラズマＣＶＤ装置に関ずろ。
従来、この種のプラズマＣＶ Ｉ）装置は、減圧容ｚ＋
内において直流グロー放電または高周波グロー放電を起
こすことにより、そのときのプラズマによって、減圧容
器内に導入した原料ガスと反応ガスを励起させている。
内において直流グロー放電または高周波グロー放電を起
こすことにより、そのときのプラズマによって、減圧容
器内に導入した原料ガスと反応ガスを励起させている。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、直流グロー族７１ｉと高周波グ〔ｌ−放電は
イオン化率低い（数％）。そのため、それらのみによる
イオン化に際しては、基板の処理温度を上げろ必要があ
って、その低温化ができなかった。
イオン化率低い（数％）。そのため、それらのみによる
イオン化に際しては、基板の処理温度を上げろ必要があ
って、その低温化ができなかった。
この発明は、このような問題を解決する乙のである。
［問題点を解決ずろための手段］
この発明のプラズマＣＶＤ装置は、減圧容器内に導入し
た原料ガスと反応ガスをグロー放電により励起させで、
反応生成物をＪ、（板上にて気相成長さ仕るプラズマＣ
ＶＤ装置において、原料ガスをｌｌλ圧容型容器内入す
る導入部と、反応ガスを減圧容器内に導入する導入部の
少なくとも一方に、導したことを特徴とする。
た原料ガスと反応ガスをグロー放電により励起させで、
反応生成物をＪ、（板上にて気相成長さ仕るプラズマＣ
ＶＤ装置において、原料ガスをｌｌλ圧容型容器内入す
る導入部と、反応ガスを減圧容器内に導入する導入部の
少なくとも一方に、導したことを特徴とする。
［作用］
この発明のプラズマＣＶＤ装置は、原料ガスを減圧容器
内に導入する導入部と、反応ガスを減圧容器内に導入す
る導入部の少なくとも一方に、導入するガスをイオン化
させるイオン源装置を装備して、このイオン源装置によ
って、イオン化率を積極的に上げて低温処理を可能とす
る。
内に導入する導入部と、反応ガスを減圧容器内に導入す
る導入部の少なくとも一方に、導入するガスをイオン化
させるイオン源装置を装備して、このイオン源装置によ
って、イオン化率を積極的に上げて低温処理を可能とす
る。
［実施例］
以下、この発明の一実施例を図面に」、（づいて説明す
る。
る。
図において！は真空容器であり、弁２を通して図示しな
い真空排気装置に接続されている。真空容器■内には、
処理対象としての基板３が配置されており、それらはモ
ーター４によって回転さ仕られるようになっている。そ
して、真空容器■側に直流電源５の陽極が接続され、ま
た基板３側に直流電源５の陰極が接続されていて、これ
らの間にてグロー放電が起きるようになっている。真空
容器１には、希釈ガスの配管６と、原料ガスの配管７と
、反応ガスの配管８が接続されている。
い真空排気装置に接続されている。真空容器■内には、
処理対象としての基板３が配置されており、それらはモ
ーター４によって回転さ仕られるようになっている。そ
して、真空容器■側に直流電源５の陽極が接続され、ま
た基板３側に直流電源５の陰極が接続されていて、これ
らの間にてグロー放電が起きるようになっている。真空
容器１には、希釈ガスの配管６と、原料ガスの配管７と
、反応ガスの配管８が接続されている。
以上の構成は従来のらのと同様である。
この発明の場合は、更に、原料ガスと反応ガスの導入部
にイオン源ＡＡ’；！ｉ ９を装備している。このイオ
ン源装置９は、真空容器ｌ内に導入される原料ガスと反
応ガスを事前にイオン化さ仕るらのであって、本例の場
合は、交流電源ｌＯに接続されたコイル１１から熱電子
を放出して、それを直流電源１２の陽極側の電極１３に
向けてアーク放電させるようになっている。したがって
、原ｔ１ガスと反応ガスは、その放電界中を通って真空
容器Ｉ内に導入されることになる。
にイオン源ＡＡ’；！ｉ ９を装備している。このイオ
ン源装置９は、真空容器ｌ内に導入される原料ガスと反
応ガスを事前にイオン化さ仕るらのであって、本例の場
合は、交流電源ｌＯに接続されたコイル１１から熱電子
を放出して、それを直流電源１２の陽極側の電極１３に
向けてアーク放電させるようになっている。したがって
、原ｔ１ガスと反応ガスは、その放電界中を通って真空
容器Ｉ内に導入されることになる。
このようにイオン源装置９を装備したことにより、原料
ガスと反応ガスは、イオン源装置９によってつくられた
族１ｕ界中を通ってイオン化される。
ガスと反応ガスは、イオン源装置９によってつくられた
族１ｕ界中を通ってイオン化される。
したがって、真空容器ｌ内におけるグロー放電と相まっ
て、原料ガスと反応ガスのイオン化が促進されることに
なる。この結果、基板３の処理温度が低くても所期通り
の反応生成物が基板３上に気相成長する。
て、原料ガスと反応ガスのイオン化が促進されることに
なる。この結果、基板３の処理温度が低くても所期通り
の反応生成物が基板３上に気相成長する。
ところで、イオン源装置９は、少なくても原料ガスと反
応ガスのいずれか一方をイオン化するものであってもよ
く、またそのイオン化の方式は何隻上記実施例のみに特
定されず任、αであって、種々の形式のイオン源装置９
を採用することができる。
応ガスのいずれか一方をイオン化するものであってもよ
く、またそのイオン化の方式は何隻上記実施例のみに特
定されず任、αであって、種々の形式のイオン源装置９
を採用することができる。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明のプラズマＣＶＤ装置は
、原料ガスを減圧容器内に導入する導入部と、反応ガス
を減圧容器内に導入する導入部の少なくとも一方に、導
入するガスをイオン化させろイオン源装置を装備した＋
Ｍ成であるから、新たに付設したイオン源装置によって
イオン化率が上がり、低温処理が可能となる。この結果
、高温処理が問題となる最終商品への適用が可能となり
、例えば、従来不可能だった鉄鋼材料（高速度鋼、ダイ
ス鋼など）への適用が可能となって、その適用範囲が広
がる。
、原料ガスを減圧容器内に導入する導入部と、反応ガス
を減圧容器内に導入する導入部の少なくとも一方に、導
入するガスをイオン化させろイオン源装置を装備した＋
Ｍ成であるから、新たに付設したイオン源装置によって
イオン化率が上がり、低温処理が可能となる。この結果
、高温処理が問題となる最終商品への適用が可能となり
、例えば、従来不可能だった鉄鋼材料（高速度鋼、ダイ
ス鋼など）への適用が可能となって、その適用範囲が広
がる。
また、イオン源装置によるイオン化率の制御を操業可能
域の幅を広げることらできる。
域の幅を広げることらできる。
図面はこの発明の一実施例を説明するための概略構成図
である。 ■・・・・・・真空容器、 ２・・・・・・弁、 ３・
・・・・・ノ、す板、４・・・・・・モーター、 ５
・・・・・・直流電源、６・・・・・・希釈ガスの配管
、 ７・・・・・・原料ガスの配管、 ８・・・・・・反応ガスの配管、 ９・・・・・・イオ
ン源装置、ｌＯ・・・・・・交流７（ｆ源、 ｌｌ・
・・・・・コイル、１２・・・・・・直流ＩＩ源、
１３・・・・・・電極。
である。 ■・・・・・・真空容器、 ２・・・・・・弁、 ３・
・・・・・ノ、す板、４・・・・・・モーター、 ５
・・・・・・直流電源、６・・・・・・希釈ガスの配管
、 ７・・・・・・原料ガスの配管、 ８・・・・・・反応ガスの配管、 ９・・・・・・イオ
ン源装置、ｌＯ・・・・・・交流７（ｆ源、 ｌｌ・
・・・・・コイル、１２・・・・・・直流ＩＩ源、
１３・・・・・・電極。
Claims (1)
- 減圧容器内に導入した原料ガスと反応ガスをグロー放電
により励起させで、反応生成物を基板上にて気相成長さ
せるプラズマＣＶＤ装置において、原料ガスを減圧容器
内に導入する導入部と、反応ガスを減圧容器内に導入す
る導入部の少なくとも一方に、導入するガスをイオン化
させるイオン源装置を装備したことを特徴とするプラズ
マＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28738986A JPS63140087A (ja) | 1986-12-02 | 1986-12-02 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28738986A JPS63140087A (ja) | 1986-12-02 | 1986-12-02 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63140087A true JPS63140087A (ja) | 1988-06-11 |
Family
ID=17716715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28738986A Pending JPS63140087A (ja) | 1986-12-02 | 1986-12-02 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63140087A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5328513A (en) * | 1991-03-25 | 1994-07-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Apparatus for producing dies for extruding ceramic honeycomb bodies |
-
1986
- 1986-12-02 JP JP28738986A patent/JPS63140087A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5328513A (en) * | 1991-03-25 | 1994-07-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Apparatus for producing dies for extruding ceramic honeycomb bodies |
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