KR970015507A - 저 유전율을 지니는 고주파 회로용 글래스 조성물 - Google Patents

저 유전율을 지니는 고주파 회로용 글래스 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고주파회로용의 유전율을 지니는 글래스 조성물에 관한 것이고, 본 발명의 글래스 조성물은 SiO2,및 B2○3또는 K2○ 중 적어도 하나를 SiO2, B2O3및 K2O의 삼원 시스템에 의한 조성도에서 점 A(65, 35, 0), 점 B(65, 20, 15), 점 C(85, 0, 15), 및 점 D(85, 15, 0)를 통과하는 선으로 둘러싸인 영영내에 있는 비율로 포함한다. 본 발명의 글래스 조성물은 용융온2도 및 글래스 연화점이 저하되도록 소량의 세정제를 함유할 수 있다. 본 발명의 조성물은 절연물질로서 콤팩트 및 페스트 전자기계 및 장치에서 고주파용으로 특히 적합하다.

Description

저 유전율을 지니는 고주파 회로용 글래스 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (20)

  1. Si○2, 및 B2○3또는 K2○ 중 적어도 하나를 SiO2, B2O3및 K2O의 삼원 시스템에 의한 조성도에서 점 A(65, 35, 0), 점 B(65, 20, 15), 점C(85, 0, 15), 및 점 D(85, 15, 0)를 통과하는 선으로 둘러싸인 영역내에 있는 비율로 포함함을 특징으로 하는 글래스 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 전체 Si○2, B2○3및 K2○3의 양의 2중량% 이하의 양으로 As2O3, As2O5, Sb2O3로 이루어진 그룹 중에서 선택된 한가지 이상의 개질제를 더 포함함을 특징으로 하는 조성물.
  3. 제1항에 있어서 전체 Si○2, B2O5및 K2○의 양의 0.05 내지 0.5중량%의 양으로 As2O3, As2O5, Sb2O3및 Na2SO4로 이루어진 그룹 중에서 선택된 한가지 이상의 개질제를 더 포함함을 특징으로 하는 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 전체 SiO2, B2O3및 K2○의 양의 0.05 내지 0.2중량%의 양으로 As2O3, As2O5, Sb2O3및 Na2S○4로 이루어진 그룹 중에서 선택된 한가지 이상의 개질제를 더 포함함을 특징으로 하는 조성물.
  5. SiO2, 및 B2○3또는 K2O 중 적어도 하나를 SiO2, B2O3및 K2O의 삼원 시스템에 의한 조성도에서 점 A(65, 35, 0), 점 B'(65, 32, 3), 점 C'(85, 12, 3), 및 점 D(85, 15, 0)를 통과하는 선으로 둘러싸인 영역내에 있는 비율로 포함함을 특징으로 하는 글래스 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 전체 SiO2, B2O3및 K2O의 양의 2중량% 이하의 양으로 As2O3, As2O5, Sb2○3및 Na2SO|4로 이루어진 그룹 중에서 선택된 한가지 이상의 개질제를 더 포함함을 특징으로 하는 조성물.
  7. 제5항에 있어서. 전체 Si○2, B2O3및 K2O의 양의 0.05 내지 0. 5중량%의 양으로 As2O3, As2O5, Sb2O3및 Na2SO4로 이루어진 그룹 중에서 선택된 한가지 이상의 개질제를 더 포함함을 특징으로 하는 조성물.
  8. 제5항에 있어서, 전체 SiO2, B2O3및 K2O의 양의 0.05 내지 0. 2중량%의 양으로 As2O3, As2O5, Sb2O3및 Na2SO4로 이루어지 그룹 중에서 선택된 한가지 이상의 개질제를 더 포함함을 특징으로 하는 조성물.
  9. Si○2및 B2O3또는 K2O 중 적어도 하나를 SiO2, B2O3및 K2O의 삼원 시스템에 의한 조성도에서 점 A"(75, 245, 05) 점 B"(75, 22, 3), 점 C'(85, 12, 3), 및 점 D"(85, 145, 0.5)를 통과하는 선으로 둘러싸인 영역내에 있는 비율로 프함함을 특징으로 하는 글래스 조성물.
  10. 제9항에 있어서, 전체 SiO2, B2O3및 K2O의 양의 2중량% 이하의 양으로 As2O3,As2O5, Sb2O3및 Na2SO|4로 이루어진 그룹 중에서 선택된 한가지 이상의 개질제를 더 포함함을 특징으로 하는 조성물.
  11. 제9항에 있어서, 전체 SiO2, B2O3및 K2O의 양의 0.05 내지 0.5중량%의 양으로 AS2O3, AS2O5, Sb2O3및 Na2SO|4로 이루어진 그룹 중에서 선택된 한가지 이상의 개질제를 더 포함함을 특징으로 하는 조성물.
  12. 제9항에 있어서, 전체 SiO2, B2O3및 K2○의 양의 0.05 내지 0. 2중량%의 양으로 As2O3, As2O5, Sb2O3및 Na2SO4로 이루어진 그룹 중에서 선택된 한가지 이상의 개질제를 더 포함함을 특징으로 하는 조성물.
  13. 절연재료가 제1항의 글래스임을 특징으로 하여 절연재료 부분을 함유하는 전기 장치.
  14. 절연재료가 제2항의 글래스임을 특징으로 하여 절연재료 부분을 함유하는 전기 장치.
  15. 절연재료가 제5항의 글래스임을 특징으로 하여 절연재료 부분을 함유하는 전기 장치.
  16. 절연재료가 제6항의 글래스임을 특징으로 하여 절연재료 부분을 함유하는 전기 장치.
  17. 절연재료가 제9항의 글래스임을 특징으로 하여 절연재료 부분을 함유하는 전기 장치.
  18. 절연재료가 제10항의 글래스임을 특징으로 하여 절연재료 부분을 함유하는 진기 장치.
  19. 절연재료가 제11항의 글래스임을 특징으로 하여 절연재료 부분을 함유하는 전기 장치.
  20. 절연재료가 제12항의 글래스임을 특징으로 하여 절연재료 부분을 함유하는 전기 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960041473A 1995-09-22 1996-09-21 저 유전율을 지니는 고주파회로용 글래스 조성물 KR0166444B1 (ko)

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