KR970004071A - 접합의 전기적 특성을 향상시킨 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
접합의 전기적 특성을 향상시킨 반도체 장치 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970004071A KR970004071A KR1019950019024A KR19950019024A KR970004071A KR 970004071 A KR970004071 A KR 970004071A KR 1019950019024 A KR1019950019024 A KR 1019950019024A KR 19950019024 A KR19950019024 A KR 19950019024A KR 970004071 A KR970004071 A KR 970004071A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- region
- semiconductor device
- field oxide
- concentration
- active region
- Prior art date
Links
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Abstract
접합의 전기적 특성을 향상시킨 반도체 장치 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 의한 반도체장치의 특징은 활성 영역과 필드 산화막의 경계 근방에서 저농도의 제1확산 영역을 사이에 두고, 고농도의 제2확산 영역이 채널 정지 불순물 영역과 분리되어 있는 것이다. 따라서, 본 발명의 반도체 장치에서 접합의 항복 전압이 감소하거나 또는 누설 전류가 증가하는 것을 피하고, 반도체 장치의 신뢰성을 향상시키는 장점도 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체 장치를 보여주는 단면도이다, 제3A도 내지 제3D도는 본 발명에 의한 반도체장치의 제조방법을 공정 순서대로 보여주는 단면도들이다.
Claims (4)
- 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되어 활성 영역을 한정하는 필드 산화막; 상기 필드 산화막 아래의 상기 반도체 기판에 형성된 채널 정지 불순물 영역; 상기 활성 영역에 형성된 제1농도의 불순물을 포함하는 제1확산 영역; 및 상기 활성 영역과 상기 필드 산화막 경계 근방에서 상기 제1확산 영역을 사이에 두고 상기 채널 정지 불순물 영역과 분리되고, 제1농도보다 더 큰 제2농도의 불순물을 포함하는 제2확산 영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1확산 영역 및 상기 제2확산 영역은 각각 인(P) 및 비소(As)를 불순물로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 반도체 기판 상에 활성 영역을 한정하는 필드 산화막을 형성하는 단계; 상기 필드 산화막 아래의 반도체기판에 채널 정지 불순물 영역을 형성하는 단계; 상기 활성 영역에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 필드 산화막 및 상기 게이트 전극을 마스크로 이용하여 상기 활성 영역에 제1농도로 불순물을 이온 주입하는 단계; 상기 게이트 전극의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계; 사진 묘화 공정을 통하여 상기 활성 영역보다 더 좁은 영역에 상기 제1농도보다 더 큰 제2농도로 불순물을 이온 주입하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 채널 정지 불순물 영역은 마스크 없이 상기 반도체 기판의 전면에 이온 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019024A KR970004071A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 접합의 전기적 특성을 향상시킨 반도체 장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019024A KR970004071A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 접합의 전기적 특성을 향상시킨 반도체 장치 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970004071A true KR970004071A (ko) | 1997-01-29 |
Family
ID=66526616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950019024A KR970004071A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 접합의 전기적 특성을 향상시킨 반도체 장치 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970004071A (ko) |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950019024A patent/KR970004071A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5510279A (en) | Method of fabricating an asymmetric lightly doped drain transistor device | |
| KR960036041A (ko) | 고내압 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR970013402A (ko) | 플래쉬 메모리장치 및 그 제조방법 | |
| KR100276775B1 (ko) | Mos 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR890013796A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| KR940008571B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR980006542A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| JPS6331945B2 (ko) | ||
| US5623154A (en) | Semiconductor device having triple diffusion | |
| KR970004071A (ko) | 접합의 전기적 특성을 향상시킨 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR970004079A (ko) | 반도체소자 및 그 제조방법 | |
| KR970053039A (ko) | 반도체 소자와 그의 제조방법 | |
| KR100252747B1 (ko) | 플래쉬메모리소자및그제조방법 | |
| KR19990066411A (ko) | 모스팻 및 이의 제조방법 | |
| KR0152897B1 (ko) | 바이폴라소자 및 그 제조방법 | |
| KR950024300A (ko) | 트렌치형 소자분리구조를 갖는 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR0179168B1 (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR0172763B1 (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| JPH0342874A (ja) | 半導体装置 | |
| KR930009472B1 (ko) | 스태틱 유도형 반도체장치의 제조방법 및 이에 의해 제조된 반도체장치 | |
| KR100239457B1 (ko) | 모오스 트랜지스터 제조방법 | |
| KR970024287A (ko) | 실리콘-온- 절연체 모스 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조방법(Silicon-On-Insulator MOS transistor and fabricating method thereof) | |
| KR950004606A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| KR950026031A (ko) | 전력용 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JPH0251278A (ja) | 二重拡散型電界効果半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |