KR970003601A - 반도체소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로서, 전하저장전극 콘택홀 형성등과 같은 플라즈마 건식 식각에 의해 반도체기판의 표면부분이 손상되어 형성되는 손상부와 전하증강층을 질산과 불산 혼합 용액으로 순차적으로 식각 및 산화등으로 제거하여 손상되지 않은 반도체 기판을 노출시키고 후속 공정을 진행하여 반도체소자를 형성하였으므로, 전하 트랩 센터가 되는 전하증강층이 제거되어 접합 누설전류가 감소되고, 리플레쉬 시간이 증가되며, 소수전달자의 라이프 타임이 증가되어 소자동작의 신뢰성이 증가되며, 불량이 감소되어 공정수율이 향상된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 따른 반도체소자의 제조 공정도.
Claims (2)
- 반도체기판상에 피식각층을 형성하는 공정과, 상기 피식각층의 소정부분을 플라즈마 건식 식각방법으로 제거하여 반도체기판을 노출시키는 피식각층 패턴을 형성하되, 상기 노출되는 반도체기판의 표면에 손상부와 전하 증강층이 형성되는 공정과, 상기 구조의 반도체기판을 질산 및 불산 혼합 용액에 담구어 상기 손상부와 전하증강층을 순차적으로 제거하는 공정을 구비하는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 혼합 용액을 HNO3: HF : H2O = 0.5 ~ 3 : 1 ~ 5 : 10 ~ 1000 정도로 희석된 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950018902A KR970003601A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950018902A KR970003601A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003601A true KR970003601A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66526022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950018902A KR970003601A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003601A (ko) |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950018902A patent/KR970003601A/ko not_active Application Discontinuation
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