KR970003232A - 저전력소비용 반도체 메모리장치 - Google Patents

저전력소비용 반도체 메모리장치 Download PDF

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KR970003232A
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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
본발명은 저전력소비용 반도체 메모리장치에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 경우 스탠바이상태에서 워드라인과 비트라인 사이에 마이크로 브리지가 발생하는 경우 스탠바이 상태에서 전류소비가 심하였다. 이러한 문제점을 해결하고자 스페어 어레이블럭을 마련하여 대체하는 방법이 사용되었는데 이를 감지하는디렉터와 별도의 스페어 어레이블럭이 필요하므로 칩면적이 급격하게 증가되므로 반도체 메모리장치의 고집적화에 불리하게 된다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명에서는 반도체 메모리장치를 구성하는 프리차아지회로 및 등화회로로 전달되는 게이트전압을 분리하여 공급하였다.
4. 발명의 중요한 용도
이에 따라 칩면적의 증가없이 스탠바이전류의 소비를 억제하는 저전력소비용 반도체 메모리장치가 구현된다.

Description

저전력소비용 반도체 메모리장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 프리차아지 및 동화회로의 회로도.

Claims (2)

  1. 다수의 비트라인과 다수의 워드라인 사이에 매트릭스형태로 배치되는 다수의 메모리셀을 구비하는 반도체메모리장치에 있어서, 한쪽단자가 비트라인에 접속되고 제1등화신호에 응답하여 동작하는 프리차아지회로와, 상기 비트라인쌍 사이에 위치하고 제2등화신호에 응답하여 비트라인쌍의 전압을 동일하게 만들어주는 등화회로를 구비하며, 스탠바이상태에서 주기적으로 발생되는 상기 제1등화신호에 응답하여 소정의 제1시간동안만 프리차아지전압을 상기 비트라인쌍으로 공급함을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1등화신호는 반도체 메모리장치에 내부클럭발생기가 존재하여 동작주기를 만들고그 주기에 따라 동작됨을 특징으로 하는 반도체 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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