KR970003228A - 전위 펌핑회로 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 기억장치의 전위 펌핑회로에 관한 것으로, 액티브 동작시에 전류 소모를 줄이기 위하여 워드라인이 턴-온하면서 빠진 전하를 펌핑 동작에 의해 원하는 전위까지 충전시킨 다음, 상기 펌핑 동작을 멈추도록 구현하였다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 전위 펌핑회로의 블럭도, 제4도는 제3도에 도시된 에지 발생부의 회로도, 제6도는 제3도에 도시된 동작모드용 전위레벨 검출부의 회로도.
Claims (3)
- 반도체 기억장치의 전위 펌핑회로에 있어서, 워드라인이 턴-온하면서 빠진 전하를 회복시켜 주기 위해 대기 상태에서 전위레벨이 원하는 전위보다 낮을때 전하를 펌핑해 주는 제1전위 펌핑수단과, 액티브 상태에서 전위레벨이원하는 전위보다 낮을때 전하를 펌핑해준 다음, 전류 소모를 줄이기 위하여 상기 펌핑 동작을 멈추도록 하는 제2전위 펌핑수단으로 구비되고, 상기 제2전위 펌핑 수단이, 라스 신호(/RAS)를 입력으로 하여 내부 라스 신호(RASi)로 만들어 주는내부라스(RASi) 발생수단과, 상기 내부라스(RASi) 발생 수단으로 부터의 입력신호를 지연체인을 통하여 일정시간 동안 지연시킨 다음 이 지연된 펄스폭 만큼의 에지 신호를 발생시키기 위한 에지 발생 수단과, 상기 에지 발생 수단으로 부터의에지 신호가 입력되면 전위 레벨을 감지한 펄스 신호를 출력하는 동작 모드용 전위레벨 검출수단과, 상기 동작 모드용 전위레벨 검출 수단으로 부터의 신호에 의해 제어되어 일정 주기의 펄스 신호를 발생시키는 동작 모드용 오실레이터 수단과, 상기 동작 모드용 오실레이터 수단으로부터의 펄스 신호에 의해 워드라인으로 전하를 펌핑해 주기위한 동작 모드용 전하 펌프 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 전위 펌핑회로.
- 제1항에 있어서, 상기 에지 발생 수단은, 상기 내부 라스신호 라인에 직렬 접속된 홀수개의 인버터로 이루어진 지연라인과, 상기 지연라인에 의하여 지연된 입력신호와 상기 내부 라스신호 라인으로 부터의 입력신호를 NAND 연산하여 출력하는 NAND 게이트와, 상기 NAND 게이트의 출력신호를 반전하여 상기 고전위 레벨 검출수단으로 출력하는 인버터소자로 구성된 것을 특징으로 하는 전위 펌핑회로.
- 제1항에 있어서, 상기 에지 발생수단으로 부터 출력된 에지 신호는 원하는 전위까지 충전이 될 수 있도록충분한 시간의 펄스폭을 가지는 것을 특징으로 하는 전위 펌핑회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950018877A KR0146168B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 전위 펌핑 회로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950018877A KR0146168B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 전위 펌핑 회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970003228A true KR970003228A (ko) | 1997-01-28 |
KR0146168B1 KR0146168B1 (ko) | 1998-11-02 |
Family
ID=19419304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950018877A KR0146168B1 (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 전위 펌핑 회로 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0146168B1 (ko) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100432890B1 (ko) * | 2002-06-07 | 2004-05-22 | 삼성전자주식회사 | 안정적으로 승압 전압을 발생하는 승압 전압 발생 회로 및그 승압 전압 제어 방법 |
KR100596856B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2006-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전하 펌프 회로 |
KR100576457B1 (ko) * | 1998-10-13 | 2006-07-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리의 리프레쉬 장치 |
KR100705206B1 (ko) * | 2002-07-09 | 2007-04-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 펌프 회로 |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950018877A patent/KR0146168B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100576457B1 (ko) * | 1998-10-13 | 2006-07-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리의 리프레쉬 장치 |
KR100596856B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2006-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전하 펌프 회로 |
KR100432890B1 (ko) * | 2002-06-07 | 2004-05-22 | 삼성전자주식회사 | 안정적으로 승압 전압을 발생하는 승압 전압 발생 회로 및그 승압 전압 제어 방법 |
KR100705206B1 (ko) * | 2002-07-09 | 2007-04-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 펌프 회로 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0146168B1 (ko) | 1998-11-02 |
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