KR970002489A - 실리콘 웨이퍼 표면의 에칭방법 및 장치 - Google Patents

실리콘 웨이퍼 표면의 에칭방법 및 장치 Download PDF

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가츠아키 요시자와
요시노리 하야미즈
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이가라시 스구루
신에츠 한도타이 가부시키가이샤
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Abstract

(목적)
실리콘 웨이퍼 표면 혹은 표층의 중금속 불순물의 고감도 분석에 알맞고, 에칭량의 웨이퍼 면내 균일성이 높고, 동시에 면 거칠음이 생기지 않는 실리콘 웨이퍼 표면의 에칭방법을 제공한다.
(구성)
밀폐용기내(1)에 실리콘 웨이퍼(W)를 실리콘 웨이퍼 유지수단(2)에서 수평으로 유지함과 동시에, 해당 유지수단(2)를 냉각수단(12)으로 냉각하고, 밀폐용기(1)내에 설치된 저장용기(4)에 고순도질산을 저장하고, 저장용기(4)를 가열수단(5)으로 가열하여 질산의 가스를 발생시켜, 해당가스를 실리콘 웨이퍼(W)표면에 결로시켜서 박막을 형성함으로서 실리콘 웨이퍼(W)표면을 친수성으로 한후, 고순도 플루오르화수소산을 산 적하수단(6)에 의하여 저장용기(4)내의 고순도질산에 적하하여 플루오르화 수소산의 가스를 발생시켜, 해당가스를 실리콘 웨이퍼(W)표면에 형성되어 있는 제1성분의 산의 박막에 거둬들이게 함으로서 실리콘 웨이퍼(W)표면의 면상태를 양호하게 유지하면서 에칭한다.

Description

실리콘 웨이퍼 표면의 에칭방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 에칭장치의 1예를 도시하는 모식단면도이다.

Claims (12)

  1. 밀폐용기내에 실리콘 웨이퍼를 수평으로 유지하고, 해당 밀폐용기내에 제1성분의 산의 가스를 공급하든가, 또는 해당 밀폐용기내에서 제1성분의 산의 가스를 발생시켜, 해당 가스를 상기 실리콘 웨이퍼 표면에 결로시켜 박막을 형성함으로서 실리콘 웨이퍼 표면을 친수성으로 한후, 제2성분의 산의 가스를 상기 밀폐용기내에 공급하든가, 또는 해당 밀폐용기내에서 제2성분의 산의 가스를 발생시켜, 해당가스를 상기 실리콘 웨이퍼 표면에 형성되어 있는 제1성분의 산의 박막에 거둬들이게 함으로서 실리콘 웨이퍼 표면을 에칭하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 표면의 에칭방법.
  2. 밀폐용기내에 실리콘 웨이퍼를 수평으로 유지하고, 해당 밀폐용기내에 설치한 저장용기에 제1성분의 산을 저장하고, 해당 제1성분의 산을 가열하여, 제1성분의 산의 가스를 발생시켜, 해당가스를 실리콘 웨이퍼 표면에 결로시켜 박막을 형성함으로서 실리콘 웨이퍼 표면을 친수성을 한후, 제2성분의 산을 상기 저장용기내의 제1성분의 산위에 적하·가열하여 제2성분의 산의 가스를 발생시켜, 해당가스를 상기 실리콘 웨이퍼 표면에 형성되어 있는 제1성분의 산의 박막에 거둬들이게 함으로서 실리콘 웨이퍼 표면을 에칭하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 표면의 에칭방법.
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, 제1성분의 산이 고순도 질산인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 표면의 에칭방법.
  4. 제1항, 2항 또는 3항 중 어느 한 항에 있어서, 제2성분의 산이 고순도 플루오르화 수소산인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 표면의 에칭방법.
  5. 제3항 또는 4항 중에 있어서, 제1성분의 산에 대한 제2성분의 산의 적하량은 제1성분의 산의 1몰에 대하여 0.008~0.03몰의 비율로 하고, 제2성분의 산의 적하에 의한 상기 저장용기내의 산혼합액중의 수분의 합계량은 제1성분의 산의 1몰에 대하여 1.45~1.55몰의 비율로 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 표면의 에칭방법.
  6. 제3항 내지 5항 중 어느 한 항에 있어서, 제1성분의 산의 가열온도가 90~110℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 표면의 에칭방법.
  7. 제1항 내지 6항 중 어느 한 항에 있어서, 에칭량이 0.1~3.0㎛인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 표면의 에칭방법.
  8. 제1항 내지 7항 중 어느 한 항에 있어서, 에칭종료후에 촉침식 조도게이지로 측정한 실리콘 웨이퍼 표면의 거칠기가 Ra값으로 0.5~5.0nm범위에 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 표면의 에칭방법.
  9. 밀폐용기와 해당 밀폐용기내에 실리콘 웨이퍼를 수평으로 유지하는 유지수단과, 제1성분의 산을 저장하는 산저장용기와, 해당산 저장용기내의 제1성분의 산을 가열하는 가열수단과, 상기 산저장용기에 제2성분의 산을 적하가능한 산 적하수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 표면의 에칭장치.
  10. 제9항에 있어서, 실리콘 웨이퍼가 유지되는 위치의 바로 위의 밀폐용기 내벽을 가열하는 가열수단을 적소에 구비하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 표면의 에칭장치.
  11. 제9항 또는 10항에 있어서, 상기 산저장용기내의 제1성분의 산을 가열하는 가열수단은, 전열에 의하여 상기 산 저장용기를 가열하고, 상기 밀폐용기내벽을 가열하는 가열수단도 전열에 의하여 가열하는 것이고, 이들의 가열수단, 이들의 가열수단을 전원에 접속하는 전선은 4플루오르화 에틸렌계 수지로 피복되고, 상기 밀폐용기, 실리콘 웨이퍼 유지수단, 산저장용기, 및 산적하수단은 4플루오르화 에틸렌계 수지로 피복되어 있든가, 또는 4플루오르화 에틸렌계 수지제인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 표면의 에칭장치.
  12. 제9항 내지 11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼 유지수단은, 실리콘 웨이퍼를 냉각하는 냉각수단 및 해당 냉각수단에 냉각재를 공급하는 배관을 구비하고, 이들 냉각수단 및 배관은 4플루오르화 에틸렌계 수지로 피복되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 표면의 에칭장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960019465A 1995-06-02 1996-06-01 실리콘 웨이퍼 표면의 에칭방법 및 장치 KR970002489A (ko)

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