KR960042991A - 반도체 제조공정용 웨이퍼 건조장치 및 방법 - Google Patents

반도체 제조공정용 웨이퍼 건조장치 및 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 표면에 묻은 탈이온수를 결빙시킨 후 승화시켜 완전히 제거하므로써 웨이퍼 표면에 발생하는 워터마크현상을 방지하므로 인해 웨이퍼의 수율을 향상시킨 것이다.
이를 위해 본 발명은 웨이퍼(1)의 세정후 건조시 탈이온수(12)가 묻어있는 웨이퍼(1)가 로딩되는 반응챔버(2)와, 상기 웨이퍼(1)에 묻어있는 탈이온수(12)를 결빙후 승화시키기 위해 반응챔버(2)를 냉각 및 가열시키는 냉가수단(3) 및 가열수단(4)과, 상기 냉각수단(3) 및 가열수단(4)을 제어하는 온도제어용 콘트롤러(5)와, 상기 반응 챔버(2)의 압력을 조절하는 압력조절 밸브(7) 및 진공펌프(8)와, 상기 압력조절 밸브(7) 및 진공펌프(8)를 제어하는 압력제어용 콘트롤러(9)로 구성하여 웨이퍼(1) 표면에 묻어있는 탈이온수(12)를 경빙시킨 다음 결빙된 탈이온수를 일정 압력하에서 승화시켜 제거하도록 된 것이다.

Description

반도체 제조공정용 웨이퍼 건조장치 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 건조장치를 나타낸 구성도, 제4도의 (가), (나), (다)는 본 발명에 따른 웨이퍼 표면의 건조과정을 나타낸 종단면도.

Claims (5)

  1. 웨이퍼의 세정후 건조시 탈이온수가 묻어있는 웨이퍼가 로딩되는 반응챔버와, 상기 웨이퍼에 묻어있는 탈이온수를 결빙후 승화시키기 위해 반응챔버를 냉각 및 가열시키는 냉가수단 및 가열수단과, 상기 냉각수단 및 가열수단을 제어하는 온도제어용 콘트롤러와, 상기 반응 챔버의 압력을 조절하는 압력조절 밸브 및 진공펌프와, 상기 압력조절 밸브 및 진공펌프를 제어하는 압력제어용 콘트롤러로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체제조공정용 웨이퍼 건조장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반응챔버 일측에 챔버내부의 온도를 검출하여 온도제어용 콘트롤러에 전달하는 온도센서가 장착되고, 상기, 반응챔버 터측에는 반응챔버내의 압력을 검출하여 압력제어용 콘트롤러에 전달하는 압력계가 장착되는 반도체 제조공정용 웨이퍼 건조장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반응챔버 일측으로는 탈이온수의 제거후 웨이퍼의 언로딩시 반응챔버내의 압력을 상압으로 상승시키기 위해 질소가스를 공급하는 질소가스 공급관이 연결되는 반도체 제조공전용 웨이퍼 건조장치.
  4. 반응 챔버 내부의 온도를 상압하에서 영하로 내린 상태로 웨이퍼를 반응 챔버에 로딩하여 웨이퍼 표면에 묻은 탈이온수를 결빙시키는 제1단계와, 상기 반응 챔버내의 온도를 영하로 유지하면서 반응 챔버내의 압력을 일정 압력으로 낮추는 제2단계와, 상기 반응 챔버의 압력을 일전단계로 유지하면서 반응 챔버내의 온도를 상온으로 상승시키는 제3단계를 차례로 수행하여 웨이퍼 표면의 탈이온수를 승화시켜 제거하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 웨이퍼 건조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 웨이퍼에 묻은 탈이온수를 결빙시킨 상태에서 반응 챔버내의 압력을 일정압력은 6.02×10-3atm으로 낮춘다음, 탈이온수의 승화완료까지 반응챔버내의 압력을 6.02×10-3atm으로 유지하도록 된 반도체 제조공정용 웨이퍼 건조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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